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Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals

The study of radiation defects in silicon single crystals of different orientation is carried out by means of methods of internal friction (IF) and electrical resistance. At the mechanical damping measurement a strategy of low-frequency flexible oscillations (f ~ 5 Hz) was used during the process of...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Вопросы атомной науки и техники
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Ryzhikov, V.D., Rokhmanov, N.Ya., Galkin, S.N., Gnap, A.K.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Schlagworte:	Применение ускоренных пучков
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79390
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals / V.D. Ryzhikov, N.Ya. Rokhmanov, S.N. Galkin, A.K. Gnap // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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