Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Ryzhikov, V.D., Rokhmanov, N.Ya., Galkin, S.N., Gnap, A.K.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
• Schlagworte: Применение ускоренных пучков
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79390
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals / V.D. Ryzhikov, N.Ya. Rokhmanov, S.N. Galkin, A.K. Gnap // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

The study of radiation defects in silicon single crystals of different orientation is carried out by means of methods of internal friction (IF) and electrical resistance. At the mechanical damping measurement a strategy of low-frequency flexible oscillations (f ~ 5 Hz) was used during the process of...