Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field
The paper presents a model taking into account the time character of heat localization and distribution in semiconductor devices unlike the classical Wunsch-Bell linear model describing the thermal mechanism of EM-radiation action on REA. The classification of action levels is given. The nonlinear...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79398 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field / V.I. Chumakov, N.I. Slichenko, A.V. Stolarhuk, A.M. Egorov, Yu.F. Lonin // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 203-205. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-79398 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Chumakov, V.I. Slichenko, N.I. Stolarhuk, A.V. Egorov, A.M. Lonin, Yu.F. 2015-03-31T19:36:15Z 2015-03-31T19:36:15Z 2004 Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field / V.I. Chumakov, N.I. Slichenko, A.V. Stolarhuk, A.M. Egorov, Yu.F. Lonin // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 203-205. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 61.80.-x https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79398 The paper presents a model taking into account the time character of heat localization and distribution in semiconductor devices unlike the classical Wunsch-Bell linear model describing the thermal mechanism of EM-radiation action on REA. The classification of action levels is given. The nonlinear model permitting to determine the time boundary of heat propagation in the semiconductor device is presented. In the time range t>tcr a uniform volumetric heating of the object takes place, and for t<tcr there is a heat localization in the range of energy release due to the lag of the heat dissipation process behind the energy input process. Taking this into account one determines the energy leading to irreversible results of action. The model allows one to determine the feeblest aspects of REA. В роботі, на відміну від класичної лінійної моделі Вунча-Белла, яка описує тепловий механізм впливу ЕМ-випромінювання на РЕА, пропонується модель, що враховує часовий характер локалізації та розповсюдження тепла в напівпровідникових пристроях. Дається класифікація рівнів впливу. Приводиться нелінійна модель, яка дозволяє враховувати часову межу розподілення тепла в напівпровідникових пристроях. В масштабі часу t>tкр має місце однорідний об’ємний розігрів об’єкту, а при t<tкр має місце локалізація тепла внаслідок запізнення процесу тепловідводу від процесу енерговводу в області енерговиділення. Виходячи з цього визначається енергія, що приводить до незворотних наслідків дії. Модель дозволяє визначити найбільш слабкі місця РЕА і дозволяє спростити експериментальні випробування елементної бази РЕА в цілому. В работе, в отличие от классической линейной модели Вунча-Белла, описывающей тепловой механизм влияния ЭМ-излучения на РЭА, предлагается модель, учитывающая временной характер локализации и распространения тепла в полупроводниковых приборах. Дается классификация уровней воздействия. Приводится нелинейная модель, которая позволяет определить временную границу распространения тепла в полупроводниковом приборе. В диапазоне времен t>tкр имеет место однородный объемный разогрев объекта, а при t<tкр происходит локализация тепла в области энерговыделения вследствие запаздывания процесса теплоотвода от процесса энерговвода. Исходя из этого, определяется энергия, приводящая к необратимым результатам воздействия. Модель позволяет определить наиболее слабые места РЭА и позволяет упростить экспериментальные испытания элементной базы и РЭА в целом. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Применение ускоренных пучков Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field Моделювання теплового механізму в напівпровідниках при дії імпульсним електромагнітним полем Моделирование теплового механизма в полупроводниках при воздействии импульсным электромагнитным полем Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field |
| spellingShingle |
Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field Chumakov, V.I. Slichenko, N.I. Stolarhuk, A.V. Egorov, A.M. Lonin, Yu.F. Применение ускоренных пучков |
| title_short |
Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field |
| title_full |
Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field |
| title_fullStr |
Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field |
| title_full_unstemmed |
Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field |
| title_sort |
simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field |
| author |
Chumakov, V.I. Slichenko, N.I. Stolarhuk, A.V. Egorov, A.M. Lonin, Yu.F. |
| author_facet |
Chumakov, V.I. Slichenko, N.I. Stolarhuk, A.V. Egorov, A.M. Lonin, Yu.F. |
| topic |
Применение ускоренных пучков |
| topic_facet |
Применение ускоренных пучков |
| publishDate |
2004 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Моделювання теплового механізму в напівпровідниках при дії імпульсним електромагнітним полем Моделирование теплового механизма в полупроводниках при воздействии импульсным электромагнитным полем |
| description |
The paper presents a model taking into account the time character of heat localization and distribution in semiconductor devices unlike the classical Wunsch-Bell linear model describing the thermal mechanism of EM-radiation
action on REA. The classification of action levels is given. The nonlinear model permitting to determine the time
boundary of heat propagation in the semiconductor device is presented. In the time range t>tcr a uniform volumetric
heating of the object takes place, and for t<tcr there is a heat localization in the range of energy release due to the lag
of the heat dissipation process behind the energy input process. Taking this into account one determines the energy
leading to irreversible results of action. The model allows one to determine the feeblest aspects of REA.
В роботі, на відміну від класичної лінійної моделі Вунча-Белла, яка описує тепловий механізм впливу
ЕМ-випромінювання на РЕА, пропонується модель, що враховує часовий характер локалізації та
розповсюдження тепла в напівпровідникових пристроях. Дається класифікація рівнів впливу. Приводиться
нелінійна модель, яка дозволяє враховувати часову межу розподілення тепла в напівпровідникових
пристроях. В масштабі часу t>tкр має місце однорідний об’ємний розігрів об’єкту, а при t<tкр має місце
локалізація тепла внаслідок запізнення процесу тепловідводу від процесу енерговводу в області
енерговиділення. Виходячи з цього визначається енергія, що приводить до незворотних наслідків дії.
Модель дозволяє визначити найбільш слабкі місця РЕА і дозволяє спростити експериментальні
випробування елементної бази РЕА в цілому.
В работе, в отличие от классической линейной модели Вунча-Белла, описывающей тепловой механизм
влияния ЭМ-излучения на РЭА, предлагается модель, учитывающая временной характер локализации и распространения тепла в полупроводниковых приборах. Дается классификация уровней воздействия. Приводится нелинейная модель, которая позволяет определить временную границу распространения тепла в полупроводниковом приборе. В диапазоне времен t>tкр имеет место однородный объемный разогрев объекта, а
при t<tкр происходит локализация тепла в области энерговыделения вследствие запаздывания процесса теплоотвода от процесса энерговвода. Исходя из этого, определяется энергия, приводящая к необратимым результатам воздействия.
Модель позволяет определить наиболее слабые места РЭА и позволяет упростить экспериментальные испытания элементной базы и РЭА в целом.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/79398 |
| citation_txt |
Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field / V.I. Chumakov, N.I. Slichenko, A.V. Stolarhuk, A.M. Egorov, Yu.F. Lonin // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 2. — С. 203-205. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT chumakovvi simulationofthethermalmechanisminsemiconductorsunderactionofpulsedelectromagneticfield AT slichenkoni simulationofthethermalmechanisminsemiconductorsunderactionofpulsedelectromagneticfield AT stolarhukav simulationofthethermalmechanisminsemiconductorsunderactionofpulsedelectromagneticfield AT egorovam simulationofthethermalmechanisminsemiconductorsunderactionofpulsedelectromagneticfield AT loninyuf simulationofthethermalmechanisminsemiconductorsunderactionofpulsedelectromagneticfield AT chumakovvi modelûvannâteplovogomehanízmuvnapívprovídnikahpridííímpulʹsnimelektromagnítnimpolem AT slichenkoni modelûvannâteplovogomehanízmuvnapívprovídnikahpridííímpulʹsnimelektromagnítnimpolem AT stolarhukav modelûvannâteplovogomehanízmuvnapívprovídnikahpridííímpulʹsnimelektromagnítnimpolem AT egorovam modelûvannâteplovogomehanízmuvnapívprovídnikahpridííímpulʹsnimelektromagnítnimpolem AT loninyuf modelûvannâteplovogomehanízmuvnapívprovídnikahpridííímpulʹsnimelektromagnítnimpolem AT chumakovvi modelirovanieteplovogomehanizmavpoluprovodnikahprivozdeistviiimpulʹsnymélektromagnitnympolem AT slichenkoni modelirovanieteplovogomehanizmavpoluprovodnikahprivozdeistviiimpulʹsnymélektromagnitnympolem AT stolarhukav modelirovanieteplovogomehanizmavpoluprovodnikahprivozdeistviiimpulʹsnymélektromagnitnympolem AT egorovam modelirovanieteplovogomehanizmavpoluprovodnikahprivozdeistviiimpulʹsnymélektromagnitnympolem AT loninyuf modelirovanieteplovogomehanizmavpoluprovodnikahprivozdeistviiimpulʹsnymélektromagnitnympolem |
| first_indexed |
2025-12-07T16:15:41Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:15:41Z |
| _version_ |
1850866811844689920 |