Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсени...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2009
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/7975 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |