Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка

Исследовано влияние облучения электронами с энергией 90 МэВ в интервале флюенсов 10⁹…101¹⁶ эл/см² на микрохрупкость селенида цинка n-типа со структурой сфалерита. Установлено, что облучение вызывает увеличение длин трещин при постоянной нагрузке. В интервале флюенсов 10⁹…10¹³ эл/см² наблюдалось повы...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2002
Hauptverfasser: Мазилов, А.В., Мигаль, В.П., Стратиенко, В.А., Луговская, Е.И.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2002
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80082
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка / А.В. Мазилов, В.П. Мигаль, В.А. Стратиенко, Е.И. Луговская // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine