Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка
Исследовано влияние облучения электронами с энергией 90 МэВ в интервале флюенсов 10⁹…101¹⁶ эл/см² на микрохрупкость селенида цинка n-типа со структурой сфалерита. Установлено, что облучение вызывает увеличение длин трещин при постоянной нагрузке. В интервале флюенсов 10⁹…10¹³ эл/см² наблюдалось повы...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2002 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2002
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80082 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка / А.В. Мазилов, В.П. Мигаль, В.А. Стратиенко, Е.И. Луговская // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859758143284707328 |
|---|---|
| author | Мазилов, А.В. Мигаль, В.П. Стратиенко, В.А. Луговская, Е.И. |
| author_facet | Мазилов, А.В. Мигаль, В.П. Стратиенко, В.А. Луговская, Е.И. |
| citation_txt | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка / А.В. Мазилов, В.П. Мигаль, В.А. Стратиенко, Е.И. Луговская // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Исследовано влияние облучения электронами с энергией 90 МэВ в интервале флюенсов 10⁹…101¹⁶ эл/см² на микрохрупкость селенида цинка n-типа со структурой сфалерита. Установлено, что облучение вызывает увеличение длин трещин при постоянной нагрузке. В интервале флюенсов 10⁹…10¹³ эл/см² наблюдалось повышение критичеcкой нагрузки, при которой образовывались трещины. Показано, что доминирующее влияние на механические свойства селенида цинка оказывают кластеры дефектов, для образования которых требуется энергия выше 400 эВ.
Вивчався вплив опромінення електронами з енергією 90 Мев в інтервалі флюенсів 10⁹...10¹⁶ ел/см² на мікрокрихтість селениду цинку n-типу з структурою сфалериту. Встановлено, що опромінення призводить до збільшення довжин тріщин при постійному навантаженні. В інтервалі флюенсів 10⁹...10¹³ ел/см² спостерігалось підвищення критичного навантаження, при якому утворювались тріщини. Показано, що домінуючий вплив на механічні властивості селеніду цинку справляють кластери дефектів, для утворення яких потрібна енергія вища за 400 еВ.
The influence of 60 MeV electron irradiation (fluences between 10⁹ and 10¹⁶ el/sm² ) on the mikrobrittleness of n-type sphalerite-structure zinc selenide has been investigated. It was found that irradiation caused the crack lengths to increase under constant load. In the fluence range of 10⁹ to 10¹³ el/sm² , an increase was observed in the critical load, at which cracks were formed. It is shown that the mechanical properties of zinc selenide are dominantly influenced by the defect clusters, for the formation of which an energy over 400 eV is needed.
|
| first_indexed | 2025-12-02T01:59:00Z |
| format | Article |
| fulltext |
УДК 537.534
ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ РЕЛЯТИВИСТСКИМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА
МИКРОХРУПКОСТЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА
А.В.Мазилов1, В.П.Мигаль2, В.А.Стратиенко1, Е.И.Луговская2
1Национальный научный центр “Харьковский Физико-технический
институт”, г.Харьков, Украина. E-mail: mazilov@kipt.kharkov.ua
2Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е.Жуковского
“ХАИ”, г.Харьков, Украина
Вивчався вплив опромінення електронами з енергією 90 Мев в інтервалі флюенсів 109...1016 ел/см2 на мікрокрихтість
селениду цинку n-типу з структурою сфалериту. Встановлено, що опромінення призводить до збільшення довжин
тріщин при постійному навантаженні. В інтервалі флюенсів 109...1013 ел/см2 спостерігалось підвищення критичного
навантаження, при якому утворювались тріщини. Показано, що домінуючий вплив на механічні властивості селеніду
цинку справляють кластери дефектів, для утворення яких потрібна енергія вища за 400 еВ.
Исследовано влияние облучения электронами с энергией 90 МэВ в интервале флюенсов 109…1016 эл/см2 на микро-
хрупкость селенида цинка n-типа со структурой сфалерита. Установлено, что облучение вызывает увеличение длин тре-
щин при постоянной нагрузке. В интервале флюенсов 109…1013 эл/см2 наблюдалось повышение критичеcкой нагрузки,
при которой образовывались трещины. Показано, что доминирующее влияние на механические свойства селенида цинка
оказывают кластеры дефектов, для образования которых требуется энергия выше 400 эВ.
The influence of 60 MeV electron irradiation (fluences between 109 and 1016 el/sm2) on the mikrobrittleness of n-type
sphalerite-structure zinc selenide has been investigated. It was found that irradiation caused the crack lengths to increase under
constant load. In the fluence range of 109 to 1013 el/sm2, an increase was observed in the critical load, at which cracks were
formed. It is shown that the mechanical properties of zinc selenide are dominantly influenced by the defect clusters, for the
formation of which an energy over 400 eV is needed.
ВВЕДЕНИЕ
Развитие радиационных методов в полупровод-
никовой технологии, позволяющих управлять элек-
трофизическими свойствами кристаллов, обуслови-
ло необходимость детального исследования микро-
процессов, ответственных за изменение механиче-
ских характеристик при облучении материалов. По-
мимо широко используемых в электронике методов
ионного легирования, эффективными во многих
случаях являются радиационные технологии моди-
фицирования материалов, основанные на накопле-
нии радиационных нарушений и пространственном
перераспределении компонентов мишени [1,2].
Представляет особый интерес изучение влияния на
механические свойства облучения электронами в
интервале энергий 10…102 МэВ, которые имеют
большие длины пробега в твердых телах, относи-
тельно низкие сечения ядерных реакций, создающих
наведенную активность, и обеспечивают получение
однородного распределения радиационных наруше-
ний [2-4].
МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
В настоящей работе приводятся результаты ис-
следования влияния облучения релятивистскими
электронами на микрохрупкость кристаллов селени-
да цинка. Были изучены особенности трещинооб-
разования образцов ZnSe n-типа, имеющих структу-
ру сфалерита, выращенных из расплава под давле-
нием в инертной среде, при микровдавливании пи-
рамидального индентора. Исследования проводили
с помощью микротвердомера ПМТ-3, снабженного
поляризационной приставкой и специально
сконструированным устройством, позволяющим
производить микроиндентирование в процессе на-
блюдения под микроскопом. Нагружение индентора
осуществлялось с помощью прогреваемой биметал-
лической пластины со скоростью 10-3……10-2 см/с.
Точность измерений микротвердости составляла 8…
10 %.
Облучение образцов проводили на линейном
ускорителе ННЦ ХФТИ [3,4] электронами с энерги-
ей 90 МэВ в интервале флюенсов 109…1016 эл/см2.
Температуру во время облучения контролировали
термопарой. При максимальных плотностях потока
1013 эл/cм2ּc она не превышала 320 К. Измерения
микротвердости производили при комнатной темпе-
ратуре. Контрольные измерения показали, что на-
грев образцов на 45…50 К с последующим охлажде-
нием не приводил к изменению микромеханических
характеристик облученных кристаллов ZnSe. Это
указывает на отсутствие эффектов возврата в про-
цессе облучения при больших плотностях потока.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
Было установлено, что при нагружении грани
скола (110) в интервале нагрузок (2ּ10-2-1)Н обра-
зуются трещины по плоскостям спайности (110),
нормальным к поверхности, и по пересекающимся
плоскостям (101), (011), (011
−
) и (101
−
), аналогично
описанному в [5]. При нагрузках выше 1Н наблюда-
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ, 2002, №3.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (81), с.44-47.
44
mailto:mazilov@kipt.kharkov.ua
ли подповерхностные трещины. Трещины, выходив-
шие на поверхность, образовывались и удлинялись
непосредственно в процессе нагружения индентора.
Облучение электронами не изменяло существенно
характер трещинообразования (вид розеток микро-
хрупкости сохранялся неизменным). В исходных и
облученных кристаллах наиболее четко выражено
трещинообразование по плоскостям (110), характе-
ризующееся относительно большими значениями
длин трещин l. Зависимости длин трещин, ориенти-
рованных вдоль плоскости (110), от нагрузки Р для
исходного (кривая 1), облученных до флюенсов 1015
эл/cм2 (кривая 2) и 6ּ1016 эл/cм2 (кривая 3) приведе-
ны на рис. 1.
Рис.1. Зависимость длин трещин l от нагрузки P
при Ф=0 (1), Ф=1015 эл/см2 (2) и Ф=6·1016 эл/см2 (3)
С увеличением флюенса электронов при нагруз-
ках выше 1Н наблюдается возрастание микрохруп-
кости, проявляющееся в увеличении длин трещин
при постоянной нагрузке. Зависимость длин трещин
от нагрузки в исходных и облученных во всем ис-
следованном интервале флюенсов кристаллах селе-
нида цинка носила линейный характер. Облучение
релятивистскими электронами существенно изменя-
ло зависимость вероятности трещинообразования от
нагрузки. Зависимости отношения количества отпе-
чатков с трещинами к общему числу испытаний от
нагрузки для исходного (кривая 1) и облученного до
флюенса 1015 эл/cм2 (кривая 2) кристаллов селенида
цинка представлены на рис. 2.
Рис.2. Зависимость вероятности образования тре-
щин от нагрузки для исходного (1) и облучённого (2)
до флюенса 1015 эл/см2 кристалла
Вероятность трещинообразования определялась
по данным порядка 102 экспериментов при каждой
нагрузке. Облучение приводило к изменению веро-
ятности трещинообразования в широком интервале
нагрузок. Наблюдалось возрастание минимальной
нагрузки Pc, при которой происходит образование
первых трещин, - величины, используемой для коли-
чественного описания микрохрупкости при стан-
дартных испытаниях микровдавливанием [5].
Возрастание критической нагрузки трещино-об-
разования Рс происходило при увеличении флюенса
в интервале 109 … 1014 эл/cм2 (рис.3). Дальнейшее
облучение приводило к снижению критической на-
грузки и возрастанию микротвердости (рис. 4).
Рис.3. Зависимость критической нагрузки трещино-
образования Рс от флюенса при облучении
электронами
В [6, 7] разработаны модели микроразрушения
хрупких кристаллов под действием сосредоточен-
ной нагрузки и проанализированы критические
условия, необходимые для возникновения поверх-
ностных трещин. Было установлено, что критиче-
ская нагрузка Pс связана с микротвердостью Hv и
критическим коэффициентом интенсивности напря-
жений Кic соотношением
Pc = 885 (Kic / Hv)3 Kic (1)
Критический коэффициент интенсивности
напряжений Кic соответствует разрушению кристал-
ла с идеальной структурой в устье трещины.
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ, 2002, №3.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (81), с.44-47.
45
Рис.4. Изменение микротвёрдости селенида цинка
от флюенса электронов, выраженного в числе сме-
щений на атом Сd.
Все виды радиационного воздействия, сопрово-
ждающегося накоплением в материале дефектов ре-
шетки, могут лишь снижать идеальную прочность и
соответственно Кic. В связи с этим в рамках рассмот-
ренных [6, 7] моделей не может быть объяснено на-
блюдавшееся при проведении настоящего исследо-
вания возрастание критической нагрузки трещино-
образования при облучении релятивистскими элек-
тронами в интервале флюенсов 109 …1014 эл/cм2
(рис. 3). Возможной причиной неприменимости тео-
рии хрупкого разрушения при индентировании [6, 7]
облученных кристаллов является то обстоятельство,
что в исходных моделях микроразрушения не учи-
тывалось влияние напряжения сопротивления дви-
жению дислокаций σo (сила трения) на конфигура-
цию дислокационных скоплений. Учитывая, что
напряжения в окрестности дислокационного скопле-
ния в хрупком материале практически не релаксиру-
ют, для вычисления величины напряжения σs,, необ-
ходимого для образования трещины, можно
воспользоваться результатами расчетов локальной
концентрации напряжения в голове скопления дис-
локаций, на которые действует сила трения [8]
(σs - σo)2 = EG/[4l(1+ν)] , (2)
где Е - модуль Юнга, ν - коэффициент Пуассона,
l - длина дислокационного скопления, G - скорость
выделения энергии деформации.
Принимая во внимание, что критический коэф-
фициент интенсивности напряжений связан со ско-
ростью выделения энергии деформации соотноше-
нием [7]
K2
ic
= EG/ (1-ν3), (3)
получаем
l = ((1-ν)K2
ic) / (4(σs - σo)2).
Так как длина дислокационного скопления, при
которой образуется трещина, может приниматься
равной 1.4d, где d − полудиагональ отпечатка [7],
приблеженно равная (Pc / 2Hv)1/2, а максимальная ве-
личина сдвиговых напряжений σs при микро-инден-
тировании равна пределу текучести, составляющему
обычно 0.1Нv [7], окончательно получим:
Pc = [Kic /(0.1Hv - σo)]4 Hv(1-ν)2β , (4)
где β - численный коэффициент.
Сопоставление соотношений (1) и (4) показыва-
ет, что при условии малых значений напряжений со-
противления перемещению дислокаций (σo<< 0.1Нv)
они с точностью до численного множителя эквива-
лентны. Однако для описания микрохрупкости по-
лупро-водниковых веществ, обладающих ионноко-
ва-лентными связями, характеризующимися высо-
кими значениями сил Пайерлса, соотношение (1)
должно давать заниженные значения критической
нагрузки трещинообразования. Наблюдавшееся воз-
растание Pc при увеличении флюенса от 109 до 1015
эл/cм2 (рис. 3), согласно соотношению (4), может
быть связано с увеличением напряжения сопротив-
ления перемещению дислокаций σo при радиацион-
ном генерировании точечных дефектов решетки.
Уменьшение Pc при больших флюенсах электронов,
наблюдавшееся экспериментально (рис. 3), свиде-
тельствует о том, что при флюенсах φ выше 1014
эл/cм2 напряжение сопротивления перемещению
дислокаций возрастает с увеличением флюенса
медленнее, чем микротвердость (рис. 4). Этот вывод
подтверждается, в частности, тем, что снижение
критической нагрузки трещинообразования вплоть
до значения в необлученном кристалле наблюдается
при флюенсах электронов, соответствующих резко-
му возрастанию микротвердости.
Для оценки влияния радиационного воздействия
на перемещение дослокаций можно воспользоваться
выражением для критического напряжения сдвига,
действующего на дислокацию, перемещающуюся
через точечные стопоры, равномерно распределен-
ные в плоскости скольжения [8]
σ = 0.81(µb) / p
−
,
где µ - модуль сдвига; b - вектор Бюргерса; p
−
-
среднее расстояние между препятствиями. При хао-
тическом распределении радиационных нарушений
p n
−
−≈ 1 3/
,
где n - концентрация стопоров дислокаций радиаци-
онного происхождения, и соответственно
n = [σ / (0.81µb)]3 . (5)
В предположении, что радиационные наруше-
ния, являющиеся дислокационными стопорами, не-
подвижны при комнатной температуре, концентра-
ция стопоров определяется выражением [9]
n = φ σs no
ν
−
, (6)
где σs - поперечное сечение смещения; no - число ча-
стиц в единице объема образца; ν
−
- среднее число
стопоров, образованных одним первично выбитым
атомом.
Для точечных стопоров
ν
−
= Ee / 2Ed ,
где Еe - средняя энергия, передаваемая электро-
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ, 2002, №3.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (81), с.44-47.
46
ном атому; Ed - пороговая энергия смещения.
Средняя передаваемая энергия Ee связана с поро-
говой энергией Ed соотношением
Ee = Ed ln[561εe(εe+2) / EdM] , (7)
где εe = Ed / mc2 − для электрона с энергией Ee; m
− масса покоя электрона; c − скорость света; М −
масса атома мишени.
При облучении электронами с Eе = 90 МэВ
максимальная передаваемая атомам энергия много
больше Ed и, следовательно, для расчета сечения
смещения применимо соотношение [10, 11]
σs = (8π d2
o z2E2
R) / (Mc2Ed) , (8)
где do - боровский радиус атома водорода; ER − по-
стоянная Ридберга; z - зарядное число атомов мише-
ни.
Вычисления на основании соотношений (6)−(8)
показывают, что при облучении селенида цинка
электронами флюенсом 1016 эл/cм-2 полные попереч-
ные сечения σs смещения атомов цинка и селена
равны соответственно 192 и 236 барн; средняя энер-
гия, передаваемая первично выбитым атомам, равна
90 эВ; максимальная энергия − 2.7ּ105 эВ. Среднее
число смещений, создаваемых первично выбитым
атомом, равно 5.1, а ожидаемая концентрация точеч-
ных дефектов − 2.2ּ1017 см-3. Расчет же концентра-
ции стопоров по формуле (5) в предположении, что
σo ≈ 0.1Нv, дает величину n = 4ּ1015 см-3. Это несоот-
ветствие, по-видимому, указывает на то, что за из-
менение механических свойств селенида цинка от-
вественны радиационные нарушения, сечение об-
разования которых существенно ниже сечения сме-
щения. Из условия (5), используя соотношение (8),
можно показать, что повышение микротвердости
вызывается дефектами, для образования которых
необходима энергия 4ּ102 …2ּ105 эВ. Таким об-
разом, полученные результаты свидетельствуют о
возможном влиянии кластеров дефектов, для об-
разования которых требуется минимальная энергия,
на два порядка превышающая пороговую энергию
смещения.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Облучение релятивистскими электронами моно-
кристаллов селенида цинка приводит к увеличению
длин трещин, создаваемых при микроиндентирова-
нии. С ростом флюенса облучения до 1015 эл/cм2 на-
блюдалось повышение критической нагрузки тре-
щинообразования. Дальнейшее увеличение флюенса
электронов, сопровождающееся повышением ми-
кротвердости, приводило к снижению критической
нагрузки. Обсуждены возможные механизмы радиа-
ционно-стимулированного изменения механических
свойств в условиях воздействия сосредоточенной
нагрузки.
Работа выполнена при частичной поддержке
Проекта УНТЦ №1804.
ЛИТЕРАТУРА
1. Б.Я.Бер, Е.Е.Журкин, Ю.А.Кудрявцев и др. Ди-
намическое моделирование радиационного дефек-
тообразования на каскадной стадии в многоатомных
слоистых материалах //Неорганические материалы,
1998, т. 34, №10, с.1237−1244.
2. В.Ф.Зеленский, И.М.Неклюдов, Т.П.Черняева.
Радиационные дефекты и распухание металлов.
Киев: “Наукова Думка”, 1988, с. 293.
3. В.А.Стратиенко. О зависимости радиационной
эффективности релятивистских электронов от энер-
гии //Вопросы атомной науки и техники. Серия
“Физика радиационных повреждений и радиаци-
онное материаловедение”, 1974, вып. 1(1), c. 38−41.
4. В.А.Стратиенко, А.Н.Довбня, Е.И.Луговская,
Т.И.Мазилова. Исследование действия высокоэнер-
гетических электронов на тугоплавкие металлы
//Тез. докл. XV международного семинара по линей-
ным ускорителям заряженных частиц. Алушта, 16-
21 сентября 1997, с. 99.
5. Л.В.Атрощенко, Б.Л.Тиман, О.А.Федоренко.
Влияние примеси на микрохрупкость монокристал-
лов Cu2S //Известия АН СССР. Неорган. материа-
лы. 1981, т.17, № 4, c.579−582.
6. B.R. Lawn, A.G. Evans. A model for crack initiation
in elastick-plastic indentation fields //J. Mater. Sci.,
1977, v.12, № 11, p.2195−2199.
7. J.M.Hagan. Micromechanics of crack nucleation
during indentations //J. Mater. Sci., 1979, v.14, № 12, p.
2975−2980.
8. Ж.Фридель. Дислокации. М.: “Мир”, 1967, с. 644
(J. Friedel. Dislocations. Oxford: Pergamon Press,
1964.)
9. А.Формен, М.Мэйкин. Движение дислокации
сквозь хаотические сетки препятствий. В кн. Акту-
альные вопросы теории дислокаций. Под ред.
А.Н.Орлова. М.: “Мир”, 1968, c. 200−215.
10. К.Лейман. Взаимодействие излучения с
твердым телом и образование элементарных де-
фектов. М.: “Атомиздат”, 1979. 296 с. (Chr.
Lehmann. Interaction of radiation with solids and
elementary defect production. Amsterdam, New York,
Oxford: North-Holland Publishing Company, 1977.)
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ, 2002, №3.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (81), с.44-47.
47
А.В.Мазилов1, В.П.Мигаль2, В.А.Стратиенко1, Е.И.Луговская2
1Национальный научный центр “Харьковский Физико-технический
институт”, г.Харьков, Украина. E-mail: mazilov@kipt.kharkov.ua
2Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е.Жуковского
“ХАИ”, г.Харьков, Украина
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80082 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T01:59:00Z |
| publishDate | 2002 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мазилов, А.В. Мигаль, В.П. Стратиенко, В.А. Луговская, Е.И. 2015-04-11T16:45:52Z 2015-04-11T16:45:52Z 2002 Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка / А.В. Мазилов, В.П. Мигаль, В.А. Стратиенко, Е.И. Луговская // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80082 537.534 Исследовано влияние облучения электронами с энергией 90 МэВ в интервале флюенсов 10⁹…101¹⁶ эл/см² на микрохрупкость селенида цинка n-типа со структурой сфалерита. Установлено, что облучение вызывает увеличение длин трещин при постоянной нагрузке. В интервале флюенсов 10⁹…10¹³ эл/см² наблюдалось повышение критичеcкой нагрузки, при которой образовывались трещины. Показано, что доминирующее влияние на механические свойства селенида цинка оказывают кластеры дефектов, для образования которых требуется энергия выше 400 эВ. Вивчався вплив опромінення електронами з енергією 90 Мев в інтервалі флюенсів 10⁹...10¹⁶ ел/см² на мікрокрихтість селениду цинку n-типу з структурою сфалериту. Встановлено, що опромінення призводить до збільшення довжин тріщин при постійному навантаженні. В інтервалі флюенсів 10⁹...10¹³ ел/см² спостерігалось підвищення критичного навантаження, при якому утворювались тріщини. Показано, що домінуючий вплив на механічні властивості селеніду цинку справляють кластери дефектів, для утворення яких потрібна енергія вища за 400 еВ. The influence of 60 MeV electron irradiation (fluences between 10⁹ and 10¹⁶ el/sm² ) on the mikrobrittleness of n-type sphalerite-structure zinc selenide has been investigated. It was found that irradiation caused the crack lengths to increase under constant load. In the fluence range of 10⁹ to 10¹³ el/sm² , an increase was observed in the critical load, at which cracks were formed. It is shown that the mechanical properties of zinc selenide are dominantly influenced by the defect clusters, for the formation of which an energy over 400 eV is needed. Работа выполнена при частичной поддержке Проекта УНТЦ №1804. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка Мазилов, А.В. Мигаль, В.П. Стратиенко, В.А. Луговская, Е.И. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка |
| title_full | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка |
| title_fullStr | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка |
| title_full_unstemmed | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка |
| title_short | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка |
| title_sort | влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка |
| topic | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet | Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80082 |
| work_keys_str_mv | AT mazilovav vliânieoblučeniârelâtivistskimiélektronaminamikrohrupkostʹmonokristallovselenidacinka AT migalʹvp vliânieoblučeniârelâtivistskimiélektronaminamikrohrupkostʹmonokristallovselenidacinka AT stratienkova vliânieoblučeniârelâtivistskimiélektronaminamikrohrupkostʹmonokristallovselenidacinka AT lugovskaâei vliânieoblučeniârelâtivistskimiélektronaminamikrohrupkostʹmonokristallovselenidacinka |