The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2006
• 1. Verfasser: Dolgolenko, A.P.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
• Schlagworte: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80147
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation / A.P. Dolgolenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 65-70. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

N- and p-type samples of Si-Ge solid solution with the resistivity of (4...7) 10⁻³⋅ Ohm·cm, unannealed after high-temperature baking have been investigated. Samples were irradiated up to the fluence ~10²⁰ n⁰·cm⁻² in reactor active zone at the temperature ~500 ºC in mixed neutron field. It has b...