Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора
Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модель...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80227 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко, М.Д. Варенцов, В.Ф. Ластовецкий, Г.П. Гайдар, А.П. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 175-181. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80227 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Варенцов, М.Д. Ластовецкий, В.Ф. Гайдар, Г.П. Литовченко, А.П. 2015-04-13T17:34:47Z 2015-04-13T17:34:47Z 2006 Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко, М.Д. Варенцов, В.Ф. Ластовецкий, Г.П. Гайдар, А.П. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 175-181. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1562-6016 УДК 539.125.5.04:621.315.59 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80227 Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модельном приближении Госсика с учётом перезарядки дефектов как в проводящей матрице n-Si, так и в областях пространственного заряда кластеров. Повышенной радиационной стойкостью обладает n-Si (NTD). Скорость введения дивакансий в проводящую матрицу этого кремния в ~5 раз ниже, чем в n-Si (FZ) и в ~2 раза ниже, чем в n-Si (Ar). Наличие атомов кислорода, аргона и А-типа дефектов (дислокационные петли межузельного типа) в основном повышает радиационную стойкость n-Si. Зразки n-Si, вирощені методами безтигельної зонної плавки у вакуумі (FZ), в атмосфері аргону (Ar) та нейтронно- леговані (NTD), досліджені до та після опромінення швидкими нейтронами реактора при кімнатній температурі. Ефективна концентрація носіїв у опроміненному кремнії розраховувалася в модельному наближенні Госсіка з урахуванням перезарядки дефектів як у провідній матриці n-Si, так і в областях просторового заряду кластерів. Підвищену радіаційну стійкість має n-Si (NTD). Швидкість введення дивакансій у провідну матрицю цього кремнію в ~5 разів нижче, ніж у n-Si (FZ) та в ~2 рази нижче, ніж у n-Si (Ar). Наявність атомів кисню, аргону та А-типу дефектів (дислокаційні петлі міжвузлового типу) загалом підвищує радіаційну стійкість n-Si. Samples of n-Si, which were grown by the method of a floating-zone in vacuum (FZ), in argon atmosphere (Ar) and by transmutation doping (NTD), were investigated before and after irradiation at room temperature by various fluences of fast-pile neutrons. In irradiated silicon the effective concentration of carriers was calculated in the framework of Gossick`s model taking into account the recharging of defects both in the conducting matrix of n-Si and in the space-charge regions of defect clusters. It is shown that n-Si (NTD) has increased radiation hardness. In the conducting matrix of n-Si (NTD) the introduction rate of divacancies is five times less than in n-Si (FZ) and ~2 times less than in n-Si (Ar). In general, the presence of oxygen, argon atoms and A-type defects (the dislocation loops of interstitial type) increases the radiation hardness of n-Si. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора Вплив методів вирощування та легування на радіаційну стійкість n-Si, опроміненого швидкими нейтронами реактора Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-SI irradiated by fast-pile neutrons Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| spellingShingle |
Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Варенцов, М.Д. Ластовецкий, В.Ф. Гайдар, Г.П. Литовченко, А.П. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title_short |
Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_full |
Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_fullStr |
Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_full_unstemmed |
Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_sort |
влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| author |
Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Варенцов, М.Д. Ластовецкий, В.Ф. Гайдар, Г.П. Литовченко, А.П. |
| author_facet |
Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Варенцов, М.Д. Ластовецкий, В.Ф. Гайдар, Г.П. Литовченко, А.П. |
| topic |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив методів вирощування та легування на радіаційну стійкість n-Si, опроміненого швидкими нейтронами реактора Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-SI irradiated by fast-pile neutrons |
| description |
Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модельном приближении Госсика с учётом перезарядки дефектов как в проводящей матрице n-Si, так и в областях пространственного заряда кластеров. Повышенной радиационной стойкостью обладает n-Si (NTD). Скорость введения дивакансий в проводящую матрицу этого кремния в ~5 раз ниже, чем в n-Si (FZ) и в ~2 раза ниже, чем в n-Si (Ar). Наличие атомов кислорода, аргона и А-типа дефектов (дислокационные петли межузельного типа) в основном повышает радиационную стойкость n-Si.
Зразки n-Si, вирощені методами безтигельної зонної плавки у вакуумі (FZ), в атмосфері аргону (Ar) та нейтронно-
леговані (NTD), досліджені до та після опромінення швидкими нейтронами реактора при кімнатній температурі.
Ефективна концентрація носіїв у опроміненному кремнії розраховувалася в модельному наближенні Госсіка з
урахуванням перезарядки дефектів як у провідній матриці n-Si, так і в областях просторового заряду кластерів.
Підвищену радіаційну стійкість має n-Si (NTD). Швидкість введення дивакансій у провідну матрицю цього кремнію в ~5
разів нижче, ніж у n-Si (FZ) та в ~2 рази нижче, ніж у n-Si (Ar). Наявність атомів кисню, аргону та А-типу дефектів
(дислокаційні петлі міжвузлового типу) загалом підвищує радіаційну стійкість n-Si.
Samples of n-Si, which were grown by the method of a floating-zone in vacuum (FZ), in argon atmosphere (Ar) and by transmutation doping (NTD), were investigated before and after irradiation at room temperature by various fluences of fast-pile neutrons. In irradiated silicon the effective concentration of carriers was calculated in the framework of Gossick`s model taking into account the recharging of defects both in the conducting matrix of n-Si and in the space-charge regions of defect clusters. It is shown that n-Si (NTD) has increased radiation hardness. In the conducting matrix of n-Si (NTD) the introduction rate of divacancies is five times less than in n-Si (FZ) and ~2 times less than in n-Si (Ar). In general, the presence of oxygen, argon atoms and A-type defects (the dislocation loops of interstitial type) increases the radiation hardness of n-Si.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80227 |
| citation_txt |
Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко, М.Д. Варенцов, В.Ф. Ластовецкий, Г.П. Гайдар, А.П. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 175-181. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dolgolenkoap vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT litovčenkopg vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT varencovmd vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT lastoveckiivf vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT gaidargp vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT litovčenkoap vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT dolgolenkoap vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT litovčenkopg vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT varencovmd vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT lastoveckiivf vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT gaidargp vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT litovčenkoap vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT dolgolenkoap influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT litovčenkopg influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT varencovmd influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT lastoveckiivf influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT gaidargp influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT litovčenkoap influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons |
| first_indexed |
2025-12-07T13:30:06Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:30:06Z |
| _version_ |
1850856393752444928 |