Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора
Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модель...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80227 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко, М.Д. Варенцов, В.Ф. Ластовецкий, Г.П. Гайдар, А.П. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 175-181. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859647683782770688 |
|---|---|
| author | Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Варенцов, М.Д. Ластовецкий, В.Ф. Гайдар, Г.П. Литовченко, А.П. |
| author_facet | Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Варенцов, М.Д. Ластовецкий, В.Ф. Гайдар, Г.П. Литовченко, А.П. |
| citation_txt | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко, М.Д. Варенцов, В.Ф. Ластовецкий, Г.П. Гайдар, А.П. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 175-181. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модельном приближении Госсика с учётом перезарядки дефектов как в проводящей матрице n-Si, так и в областях пространственного заряда кластеров. Повышенной радиационной стойкостью обладает n-Si (NTD). Скорость введения дивакансий в проводящую матрицу этого кремния в ~5 раз ниже, чем в n-Si (FZ) и в ~2 раза ниже, чем в n-Si (Ar). Наличие атомов кислорода, аргона и А-типа дефектов (дислокационные петли межузельного типа) в основном повышает радиационную стойкость n-Si.
Зразки n-Si, вирощені методами безтигельної зонної плавки у вакуумі (FZ), в атмосфері аргону (Ar) та нейтронно-
леговані (NTD), досліджені до та після опромінення швидкими нейтронами реактора при кімнатній температурі.
Ефективна концентрація носіїв у опроміненному кремнії розраховувалася в модельному наближенні Госсіка з
урахуванням перезарядки дефектів як у провідній матриці n-Si, так і в областях просторового заряду кластерів.
Підвищену радіаційну стійкість має n-Si (NTD). Швидкість введення дивакансій у провідну матрицю цього кремнію в ~5
разів нижче, ніж у n-Si (FZ) та в ~2 рази нижче, ніж у n-Si (Ar). Наявність атомів кисню, аргону та А-типу дефектів
(дислокаційні петлі міжвузлового типу) загалом підвищує радіаційну стійкість n-Si.
Samples of n-Si, which were grown by the method of a floating-zone in vacuum (FZ), in argon atmosphere (Ar) and by transmutation doping (NTD), were investigated before and after irradiation at room temperature by various fluences of fast-pile neutrons. In irradiated silicon the effective concentration of carriers was calculated in the framework of Gossick`s model taking into account the recharging of defects both in the conducting matrix of n-Si and in the space-charge regions of defect clusters. It is shown that n-Si (NTD) has increased radiation hardness. In the conducting matrix of n-Si (NTD) the introduction rate of divacancies is five times less than in n-Si (FZ) and ~2 times less than in n-Si (Ar). In general, the presence of oxygen, argon atoms and A-type defects (the dislocation loops of interstitial type) increases the radiation hardness of n-Si.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:30:06Z |
| format | Article |
| fulltext |
УДК 539.125.5.04:621.315.59
ВЛИЯНИЕ МЕТОДОВ ВЫРАЩИВАНИЯ И ЛЕГИРОВАНИЯ
НА РАДИАЦИОННУЮ СТОЙКОСТЬ n-Si, ОБЛУЧЁННОГО
БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко, М.Д. Варенцов, В.Ф. Ластовецкий, Г.П. Гайдар,
А.П. Литовченко
Институт ядерных исследований НАН, г. Киев, Украина
Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтрон-
но-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температу-
ре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модельном приближении Госсика с
учётом перезарядки дефектов как в проводящей матрице n-Si, так и в областях пространственного заряда кластеров. По-
вышенной радиационной стойкостью обладает n-Si (NTD). Скорость введения дивакансий в проводящую матрицу этого
кремния в ~5 раз ниже, чем в n-Si (FZ) и в ~2 раза ниже, чем в n-Si (Ar). Наличие атомов кислорода, аргона
и А-типа дефектов (дислокационные петли межузельного типа) в основном повышает радиационную стойкость n-Si.
ВВЕДЕНИЕ
Проблемам повышения радиационной стойкости
высокоомного n-Si, используемого для создания по-
лупроводниковых детекторов ядерного излучения,
всегда уделялось особое внимание. Детекторы дли-
тельное время при комнатной температуре должны
работать в полях ядерного излучения, поэтому
проблема получения материала, обладающего повы-
шенной радиационной стойкостью, всегда актуаль-
на. Особенно изучение и поиск новых радиационно-
стойких кремниевых детекторов стали очень акту-
альными в перспективе широкого использования в
экспериментах на Large Hadron Collider (LHC). Было
показано, что присутствие примесей кислорода, уг-
лерода, олова и германия влияет на радиационную
стойкость кремния и приборов на его основе [1, 2].
Наблюдалась повышенная радиационная стойкость
нейтронно-легированного кремния [3].
Под радиационной стойкостью материалов пони-
мают их способность сохранять свои свойства при
действии ядерного излучения. Количественные ха-
рактеристики радиационной стойкости задают в со-
ответствии с тем, изменением какой величины под
действием радиации интересуются, а также с указа-
нием вида и параметров радиации и условий облуче-
ния. Так, радиационная стойкость детекторов ядер-
ного излучения есть доза облучения, при которой
пользователи уже не могут мириться с ухудшением
их свойств. Обычно это доза, при которой происхо-
дит n → p-конверсия обедненной области детектора.
Фотоприемники обладают малой радиационной
стойкостью, так как их свойства определяются вре-
менем жизни носителей тока. Но достаточно проле-
гировать индием сплав на основе теллурида свинца
так, чтобы это приводило к стабилизации уровня
Ферми, как радиационная стойкость повышалась в
104 раз [4].
Легирование кремния золотом уменьшает до не-
которой степени радиационные эффекты облучения
нейтронами, так как вакансии кремния замещаются
атомами золота [5].Таким образом, легирование зо-
лотом улучшает радиационную стойкость кремние-
вых детекторов, и это значит, что время жизни де-
текторов в LHC увеличивается. Наличие микроде-
фектов А-, В- или Д-типа в n-Si (FZ), выращенном с
переменной скоростью 1…6 мм/мин при облучении
γ-квантами 60Со, уменьшает степень радиационного
изменения времени жизни носителей заряда [6].
В работе [7] приведены предварительные ре-
зультаты после облучения 1 МэВ нейтронами и 24
ГэВ протонами при комнатной температуре различ-
ных детекторов (n-типа), выращенных с помощью
эпитаксиального метода и метода плавающей зоны.
Эти изучения доказали, что существует детектор-
ный материал такой, как эпитаксиальный, из которо-
го могут быть изготовлены детекторы.
Радиационная стойкость для быстрых нейтронов
(1 МэВ эквивалент), высокоэнергетических прото-
нов (24 ГэВ) и 60Со γ-лучей планарно-изготовленных
детекторов из окисленного кремния сравнивается со
стандартными кремниевыми детекторами [8, 9].
Кислороднообагащенные детекторы имеют более
лучшую (в 2 раза) радиационную стойкость, чем
обычные детекторы при облучении протонами, но
при нейтронном облучении заметного отличия не
наблюдалось. Эффект высокой радиационной стой-
кости максимален при γ-облучении.
Интересно заметить, что легирование кремния
термодонорами показало лучшую радиационную
стойкость при протонном облучении, так как оба
фактора, ответственные за деградацию детекторов, –
эффект удаления доноров и компенсация двойными
вакансиями – уменьшаются [9]. После введения кис-
лорода в Si при 1100 оС в течение 6 ч время охла-
ждения при 550…350 оС было около 3 ч. Его было
достаточно, чтобы создать значительную концентра-
цию термодоноров в кремнии.
Нарушения, введенные радиацией в кремниевые
p+ /n /n+-переходы были в прошлом широко изучены,
чтобы понять изменения в действующих характери-
стиках детекторов частиц в экспериментах в области
физики высоких энергий [10, 11]. Обзор [12] пред-
_________________________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2006. №.4.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.
175
ставляет данные многочисленных исследований ра-
диационных повреждений в кремнии, используемом
для создания детекторов.
Для прогнозирования радиационной стойкости
полупроводниковых детекторов излучения проведе-
на идентификация моделей радиационных дефектов
в кремнии [13], так как разработанные модели до
сих пор носят полуэмпирический характер.
Цель работы – исследовать радиационную стой-
кость кремния n-типа, выращенного различными ме-
тодами, выяснить причины повышения радиацион-
ной стойкости нейтронно-легированного кремния,
основываясь на теоретическом описании изменений
электрофизических свойств n-Si при облучении бы-
стрыми нейтронами, и наметить пути повышения
радиационной стойкости кремния, а также приборов
на его основе.
1. ЭКСПЕРИМЕНТ
Образцы n-Si с удельным сопротивлением
3105,2~ ⋅ Ом⋅см, выращенные методом бестигель-
ной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере ар-
гона (Ar) и полученные методом нейтронного транс-
мутационного легирования (NTD), исследованы до и
после облучения различными дозами быстрых ней-
тронов реактора. Облучение быстрыми нейтронами
проводилось на горизонтальном канале реактора
ВВР-М при комнатной температуре. Поток быстрых
нейтронов был определён пороговым детектором 32S
c точностью 10% и подведён к энергии нейтронов
начиная с ~100 кэВ. Измерения проводимости и по-
стоянной Холла были выполнены методом Ван дер
Пау на квадратных образцах n-Si размером
11010 ×× мм компенсационным способом с точно-
стью 3%. Контакты создавались втиранием Al на
шлифованную поверхность кремния.
Экспериментальные данные обрабатывались с
использованием численных методов. Для получения
равномерной плотности вычислений эффективной
концентрации носителей в n-Si во всём интервале
измерений задавались значения логарифма доз облу-
чения или значения обратной температуры.
Это означает, что в качестве переменных для
численных методов при вычислении дозовой и тем-
пературной зависимостей эффективной концентра-
ции носителей использовались не значения дозы или
обратной температуры, а их десятичные логарифмы.
2. TЕОРИЯ
Как известно, облучение монокристаллов крем-
ния быстрыми нейтронами приводит к образованию
наряду с кластерами простых дефектов типа А-, Е-
центров и дивакансий не только в проводящей мат-
рице, но и в областях пространственного заряда кла-
стеров дефектов [4]. Быстрые нейтроны реактора
при рассеянии на атомах кремния затрачивают в
среднем энергию на упругие столкновения 26 кэВ и
создают кластеры дефектов размером 30...1000 Å. В
высокоомном n-Si кластеры окружены областью
пространственного заряда радиусом ~104 Å. Из-за
высокой подвижности вакансий и межузельных ато-
мов кремния область скопления дефектов остается
кристаллической, несмотря на высокую концентра-
цию дефектов (~ 1020…1017 см-3). Для определения
радиационной стойкости кремния обычно вычисля-
ют дозовую зависимость электрических коэффици-
ентов полупроводника: концентрацию и подвиж-
ность носителей заряда по измеренным при комнат-
ной температуре э.д.с Холла и проводимости. В на-
ших исследованиях критерием радиационной стой-
кости является скорость удаления носителей из
зоны проводимости не только точечными, но и кла-
стерами дефектов. Однако для теоретического опи-
сания дозовой зависимости эффективной концентра-
ции носителей надо знать её температурную зависи-
мость. Согласно работе [5] эффективная концентра-
ция носителей (nef) в зависимости от дозы облучения
(Φ) и температуры (T) равна:
)),,1(),), Φ−⋅Φ=Φ f(Tn(T(Tnef (1)
где ),( ΦTn – концентрация носителей в проводя-
щей матрице n-Si; ),( ΦTf – доля объёма, занятая
кластерами.
Исходя из модели Госсика для объёма и согласно
работе [14] получим:
=
Φ
−
Φ
Φ∑
−−Φ
),(
)(
ln
),(
4
exp1),(
2
2
2
1
TN
TNkT
qTN
RTf co µ
π ε ε
, (2)
где R1 – средний радиус области скопления дефек-
тов кластера; µ – положение уровня Ферми в кла-
стере относительно дна зоны проводимости; )(TNc
– эффективная плотность состояний в зоне проводи-
мости; ),(2 ΦTN – концентрация экранирующих
центров в областях пространственного заряда кла-
стеров дефектов.
Согласно модели кластеров дефектов по Госсику
положительно заряженные доноры экранируют от-
рицательно заряженные скопления дефектов акцеп-
торного типа. Если нейтроны передают атомам
кремния энергию меньше 4,7 кэВ, то кластеры де-
фектов не образуются, а вакансии и межузельные
атомы статистически равновероятно генерируются в
объёме образца. Таким образом, стабильные радиа-
ционные дефекты равномерно вводятся как в прово-
дящую матрицу образца, так и в область про-
странственного заряда кластеров. При понижении
температуры образца акцепторные дефекты в обла-
сти пространственного заряда кластеров частично
перезаряжаются, что понижает экранирующее дей-
ствие положительно заряженных доноров. В пред-
положении, что каждый рассеянный быстрый ней-
трон создаёт кластер дефектов, макроскопическое
_________________________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2006. №.4.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.
176
сечение введения кластеров дефектов ( ∑ ) при облу-
чении n-Si в ВВР-М реакторе 15,0=∑ см-1 [14].
В общем случае примесной проводимости при
электрической активности акцепторного уровня
×
−Φ−Φ⋅=Φ 11
)()(
2
1),( nNNTn a
d λ
+
−Φ−Φ
⋅Φ⋅
+× 1
)()(
)(4
1 2
11
11
nNN
nN
a
d
d
λ
, (3)
=
kT
ETgNn a
c λ
exp)(11 ,
где g = 2 – фактор вырождения акцепторного уров-
ня; )(),( ΦΦ ad NN – концентрации нескомпенсиро-
ванных доноров и акцепторных дефектов соответ-
ственно после дозы облучения Φ .
Обычно при комнатной температуре на глубокие
акцепторные уровни дефектов типа Е-центров элек-
троны захватываются из зоны проводимости. Тогда
Φ−=Φ νNNd )( , где N – концентрация нескомпенси-
рованных доноров до облучения; ν – скорость уда-
ления электронов глубокими акцепторными дефек-
тами из зоны проводимости. Положение акцептор-
ных уровней дефектов в верхней половине запре-
щенной зоны n-Si определяются как (Ес – Еа). Тогда
при Φ = 0 n11=0 ( − ∞→aE ), Na(Ф) = 0, Nd(Ф) = N и,
следовательно, n(Т,0) = n0. Искривление энергетиче-
ских зон в кластере на длине дебаевского экраниро-
вания при понижении температуры приводит к про-
странственно неоднородной перезарядке акцептор-
ного типа дефектов согласно (3). Если акцепторный
уровень локализован в проводящей матрице, то 1=λ
, а в случае его присутствия в пространственно-заря-
женной области кластера – 5,1=λ . Как показано в
работе [4], значение λ = 1,5 сохраняется во всём
интервале исследованных доз облучения кремния.
Предполагается, что λ = 1,5 также сохраняет своё
значение и для высокоомного n-Si, облучённого бы-
стрыми нейтронами. Определённое значение λ , по
нашему мнению, обусловлено наличием потенци-
альных барьеров, окружающих кластеры дефектов.
В случае отсутствия статистического взаимодей-
ствия между уровнями радиационных дефектов, т. е.
когда в запрещенной зоне они отстоят друг от друга
на величину порядка нескольких kT, то концентра-
цию носителей в проводящей матрице можно опре-
делить, если учесть суммарную концентрацию носи-
телей ),(),,(),,( 321 ΦΦΦ TnTnTn , которые будут по-
ставляться в зону проводимости при ионизации ак-
цепторных уровней – А-центров, а также уровней
дивакансий при изменении температуры Т или дозы
облучения Φ:
−Φ+Φ+Φ=Φ ),(),(),(),( 321 TnTnTnTn
)()(2 Φ+Φ ad NN . (4)
Концентрация экранирующих центров в обла-
стях пространственного заряда кластеров дефектов
аналогично равна
−Φ+Φ+Φ=Φ ),(),(),(),( 2322212 TNTNTNTN
λ
)()(2 Φ
+Φ− a
d
NN . (5)
Здесь aN – концентрация второго акцепторного
уровня.
3. ДОЗОВАЯ ЗАВИСИМОСТЬ
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ
КОЭФФИЦИЕНТОВ n-Si
На рис. 1 приведена дозовая зависимость по-
движности носителей заряда, измеренная при ком-
натной температуре.
1011 1012 1013 1014
102
103
П
од
ви
ж
но
ст
ь
но
си
те
ле
й
(c
м
2 ⋅
В
⋅
с-1
)
Флюенс (n0 ⋅ cм-2)
Fz
Ar
NTD
Рис. 1. Зависимость эффективной подвижности
электронов от флюенса быстрых нейтронов реак-
тора при комнатной температуре в ●- n-Si(FZ);
▲- n-Si(Ar); ♦ - n-Si (NTD).
Средняя концентрация носителей ( on ) в
n-Si: (FZ) – 2,65·1012; (Ar) – 2,04·1012;
(NTD) – 2,69·1012 см- 3
Видно, что подвижность носителей заряда с уве-
личением дозы облучения быстрыми нейтронами
изменяется во всех образцах n-Si независимо от ме-
тода выращивания, а после флюенса ⋅î13 n10~ см2
начинает резко уменьшаться. Так, в области доз об-
лучения (1…2)·1013 в n-Si (NTD) доля объема, заня-
тая кластерами дефектов (f), стремится к единице
(сильное перекрытие областей пространственного
заряда кластеров), холловская подвижность равна
efph N/N⋅= µµ . Здесь Nef есть средняя по объему
кристалла концентрация носителей, обратно про-
порциональная постоянной Холла (R-1), а величина
проводимости определяется концентрацией электро-
нов на уровне протекания (Np). Такое поведение по-
движности электронов свидетельствует о том, что
радиационная стойкость n-Si определяется прежде
всего скоростью введения кластеров дефектов, а уже
затем – скоростью введения дефектов в проводящую
матрицу образцов.
После дозы облучения 2·1013 положение уровня
Ферми относительно дна зоны проводимости в кла-
стерах и в проводящей матрице выравнивается, при-
_________________________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2006. №.4.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.
177
нимая значение 528,0( −cE эВ) в n-Si (FZ),
523,0( −cE эВ) в n-Si (Ar), 511,0( −cE эВ) в
n-Si (NTD).
При дозе облучения больше 3·1013 наблюдается
рост Neff, а надежного выражения для расчета посто-
янной Холла (R) не существует. Такое поведение, по
нашему мнению, связано с началом n → p-конвер-
сии и с перезарядкой кластеров дефектов, когда
вновь создаваемые дивакансии отдают дырки, кото-
рые тут же захватываются в кластеры.
Согласно уравнениям (1–5) была рассчитана эф-
фективная концентрация носителей в образцах n-Si,
выращенных и легированных различными метода-
ми, в зависимости от дозы облучения быстрыми
нейтронами реактора при комнатной температуре
(рис. 2).
1011 1012 1013
1010
1011
1012
1013
n ef
f (c
м-3
)
Флюенс (n0 ⋅ cм-2)
FZ
Ar
NTD
Рис. 2. Зависимость эффективной концентрации
электронов от флюенса быстрых нейтронов реак-
тора при комнатной температуре в
●- n-Si(FZ); ▲- n-Si(Ar); ♦ - n-Si (NTD).
Средняя концентрация носителей ( on ) в
n-Si: (FZ) – 2,65·1012; (Ar) – 2,04·1012; (NTD) –
2,69·1012 см- 3
При этом температурная зависимость концентра-
ции носителей в проводящей матрице n-Si была про-
моделирована только двумя уровнями радиацион-
ных дефектов 43,0( −cE эВ) и 315,0( −cE эВ) со
скоростями введения iν и jν соответственно. При
комнатной температуре именно уровень дивакансии
43,0( −cE эВ) ответственен за удаление носителей
из зоны проводимости и компенсацию доноров.
Поэтому
Φ−=Φ iod nN ν)( , ,)( Φ=Φ jaN ν (6)
где on – концентрация носителей в образце до облу-
чения. На согласование теоретического описания
дозовой зависимости эффективной концентрации
носителей с экспериментальными значениями мень-
шее влияние оказывает выбор второго глубокого ак-
цепторного уровня дефекта (Ес – 0,315 эВ), чем кон-
центрация носителей в образцах до облучения.
Используемые уровни радиационных дефектов
не описывают температурную зависимость концен-
трации носителей в проводящей матрице, что от-
чётливо видно на рис. 3.
3 4 5 6 7 81011
1012
2
1
К
он
це
нт
ра
ци
я
но
си
те
ле
й,
c
м-3
103/T , K-1
Рис. 3. Концентрация носителей в проводящей мат-
рице n-Si (NTD), облучённого быстрыми нейтрона-
ми реактора дозой 2·1012 no·см- 2: 1 – модельный
расчет; 2 – расчёт на основе экспериментальных
данных согласно уравнениям (4, 5)
Тем не менее, вычисленная концентрация носи-
телей (кр. 2) на основе экспериментальных данных и
промоделированная температурная зависимость
концентрации носителей в проводящей матрице (кр.
1) мало отличаются друг от друга при комнатной
температуре.
Основные расчётные параметры приведены в
табл. 1. Видно, что повышенной радиационной
стойкостью обладает нейтронно-легированный n-Si,
выращенный с помощью метода бестигельной зон-
ной плавки в атмосфере аргона (cм. рис. 2 и табл. 1)
Таблица 1
Скорости введения радиационных дефектов iν (Ес – 0,43 эВ) и jν (Ес – 0,315 эВ), а также параметры
кластеров дефектов: R1 – средний радиус скопления дефектов и µ – положение уровня Ферми относи-
тельно дна зоны проводимости в кластере, используемые при описании зависимости эффективной
концентрации носителей от дозы облучения быстрыми нейтронами реактора выращенного различ-
ными методами n-Si (FZ, Ar, NTD) со средней концентрацией носителей ( on ) до облучения
Образец Si T , K on , см-3
iν , см-1
(Ес – 0,43 эВ)
jν , см-1
(Ec – 0,315 эВ)
µ , эВ 1R , Å
FZ 294,4 2,65·1012 1,16 0,66 0,528 92
Ar 294,4 2,04·1012 0,46 0,66 0,523 76
NTD 298,5 2,69·1012 0,26 0,79 0,511 76
_________________________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2006. №.4.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.
178
Все исследуемые образцы n-Si, выращенные при
помощи различных методов, тем не менее содержа-
ли свободный кислород в количестве ~ 1016. Причи-
на уменьшения скорости введения дивакансий в
проводящую матрицу n-Si, выращенного в атмосфе-
ре аргона, по-видимому, лежит в самом методе вы-
ращивания.
4. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ
КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ
Согласно уравнениям (1, 2) экспериментально
измеренная эффективная концентрация носителей
(nef) после облучения дозой Φ равна:
Φ
−⋅
Φ
Φ∑
−⋅Φ=Φ
),T(N
)T(N
lnkT
),T(N
R4
exp),T(n),T(n
2
c
2
1o
ef µ
π ε ε
.
(7)
Методика вычисления и уравнение для расчёта
радиуса скоплений дефектов в кластере подробно
описаны в работе [15]. Концентрация носителей в
проводящей матрице образцов n-Si после различных
доз облучения быстрыми нейтронами реактора
определялась из уравнений (3, 4). Результаты рас-
чёта уравнения (7) температурных зависимостей эф-
фективной концентрации электронов в n-Si (NTD)
после различных доз облучения быстрыми нейтро-
нами реактора в виде линий, а экспериментальные
значения в виде точек показаны на рис. 4 – 6.
2 4 6 8 10 12 141011
1012
4
3
2
1
n ef
f (c
м-3
)
103/T , K-1
- 1
- 2
- 3
- 4
Рис. 4. Температурная зависимость эффективной
концентрации электронов после облучения быстры-
ми нейтронами реактора n-Si (NTD) дозами:
1 – 3,67·1011; 2 – 4,67·1011;
3 – 5,40·1011; 4 – 7,33·1011 no·см- 2;
теория; • - эксперимент
3 4 5 6 7107
108
109
1010
1011
1012
1013
3
2
1
4
n ef
f (c
м
-3
)
103/T , K-1
-1
-2
-3
4
Рис. 5. Температурная зависимость эффективной
концентрации электронов после облучения быстры-
ми нейтронами реактора n-Si (NTD) дозами:
1 – 1,33·1012; 2 – 2,0·1012;
3 – 3,0·1012 no·см- 2; 4 – концентрация электронов в
проводящей матрице n-Si, флюенс 2·1012 no·см- 2;
теория; • – эксперимент
3 4 5108
109
1010
1011
1012
3
2
1
n ef
f (c
м
-3
)
103/T , K-1
- 1
- 2
- 3
Рис. 6. Температурная зависимость эффективной
концентрации электронов после облучения быстры-
ми нейтронами реактора n-Si (NTD) дозами:
1 – 4,00·1012; 2 – 6,67·1012; 3 – 1,33·1013 no·см- 2;
теория; • – эксперимент
Параметры кластеров дефектов и радиационных
дефектов в проводящей матрице n-Si (NTD) приве-
дены в табл. 2, а их скорости удаления носителей – в
табл. 3.
Можно видеть, что с увеличением дозы облуче-
ния средний радиус (R1) кластеров дефектов растёт,
изменяясь от 36 до 92 Å (см. табл. 2). После дозы
облучения больше 1013 no⋅cм-2 положение уровня
Ферми относительно дна зоны проводимости в кла-
стерах и в проводящей матрице n-Si (NTD) выравни-
вается, принимая значение (Ec –0,51 эВ) при комнат-
ной температуре. При понижении температуры уро-
вень Ферми движется к середине запрещённой зоны,
как в случае собственного кремния. Поэтому можно
предположить, что кластеры дефектов утратили
внешнюю область пространственного заряда. Тем-
пературная зависимость концентрации носителей
описывается наклоном (Ес – 0,62 эВ) после дозы об-
лучения 1,33⋅1013 nо⋅см-2 (см. рис. 6). Известно, что
концентрация дефектов в кластерах порядка плотно-
сти состояний в зоне проводимости. Поэтому пред-
_________________________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2006. №.4.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.
179
полагается, что при понижении температуры элек-
троны проводимости рекомбинируют с дырками на
дефектах кластера.
Наблюдаемый уровень, по-видимому, принадле-
жит пентавакансии ( −
5V ). При этом мы исходим из
предположения, что так как присоединение еще од-
ной вакансии к дивакансии ( −
2V ) с акцепторным
уровнем Ес – 0,426 эВ [16] уменьшает ее энергетиче-
ское положение в запрещенной зоне n-Si на величи-
ну 0,065 эВ [17] и согласно расчетам, выполненным
в работе [18], то энергетическое положение акцеп-
торного уровня пентавакансии есть Ес – 0,62 эВ.
Концентрация углерода и кислорода в образцах
n-Si (NTD) не превышала значения 1016 см-3. В то же
время скорость введения дивакансий быстрыми ней-
тронами реактора в проводящую матрицу кремния в
пять раз ниже, чем в Si (FZ). Скорость введения
уровня (Ec – 0,39 эВ), который относят к четырёхва-
кансионному дефекту (V4) такая же, как и в Si (Cz)
[5]. Но скорость введения А-центров (VO) в ~ 1,5
раза выше, чем в Si (FZ).
Таблица 2
Вычисленная концентрация (Na) и энергия уровней (Ea) радиационных дефектов в проводящей мат-
рице n-Si (NTD), облучённого различными дозами быстрых нейтронов реактора (Ф); Nb – концентра-
ция экранирующих центров вне нарушенной области кластеров дефектов cо средним радиусом R1
Ф (no·см-2) no,см-3 Nb,см-3 Na,см-3 Ec – Ea,эВ R1,Å
3,67·1011 2,67·1012 2,52·1012 6,0·1011 0,18 36
4,67·1011 2,68·1012 2,52·1012 7,0·1011 0,18 57
5,4·1011 2,64·1012 2,51·1012 7,95·1011 0,18 58
7,33·1011 2,51·1012 2,33·1012 1,08·1012 0,19 64
1,33·1012 2,35·1012
2,05·1012
1,05·1012
7,5·1011
1,0·1012
3,0·1011
1,9·1012
0,315
0,261
0,204
60
2,0·1012 3,07·1012 2,57·1012 2,47·1012 0,36 76
3,0·1012 3,07·1012 2,32·1012
5,2·1011
1,8·1012
0,9·1012
0,405
0,39 86
4,0·1012 2,38·1012 1,48·1012 1,2·1012 0,39 92
6,67·1012 2,51·1012 2,44·1012 1,75·1012 0,43 92
1,33·1013 2,79·1012 2,79·1012 2,78·1012 0,62 -
Известно, что по мере роста температуры или
дозы облучения в образце проявляются все более
глубокие уровни радиационных дефектов. Многие
дефекты, как видно из табл. 3, уже идентифицирова-
ны. Точность определения не хуже, чем при DLTS-
измерениях, при которых уже при малых дозах об-
лучения проявляется весь спектр радиационных де-
фектов. Исследование n-Si, нейтронно-легированно-
го до концентрации фосфора ~ 1014 см-3 при повтор-
ном облучении быстрыми нейтронами реактора по-
казало, что скорость введения дивакансий в прово-
дящую матрицу кремния уменьшилась ещё в ~ 2 ра-
за.
Таблица 3
Скорость удаления носителей (ν ) радиационны-
ми дефектами в проводящей матрице n-Si (NTD),
облучённого быстрыми нейтронами реактора
Ec – Ea, эВ ν , см-1 Литературные данные
0,18 1,54 VOi (A-центр); CiCs
0,19 1,47 –
0,315 0,75 –
0,261 0,23 V2
=
0,204 1,42 –
0,36 1,23 V2O
0,39 0,3 E170 (V4)
0,405 0,6 –
0,43 0,26 V2
-
0,47 5,1·10-3 PV (E-центр)
0,62 0,15 –
5. ОБСУЖДЕНИЕ
Итак, исследования показали, что повышенной
радиационной стойкостью обладает нейтронно-ле-
гированный n-Si, выращенный в атмосфере аргона.
Основной особенностью повышенной радиационной
стойкости является то, что в этом материале бы-
стрые нейтроны реактора создают кластеры дефек-
тов с меньшим размером скопления дефектов и по-
чти в ~ 2 раза меньшей скоростью введения дива-
кансий в проводящую матрицу образцов по сравне-
нию с кремнием, выращенным в атмосфере аргона.
Известно, что при выращивании кремния в атмосфе-
ре аргона существует возможность его вхождения в
решётку кремния, а восстановительный отжиг ней-
тронно-легированного n-Si приводит к образованию
дислокационных петель. Тогда присутствие атомов
аргона и дислокационных петель в решётке кремния
создаёт деформационные поля, которые, по-видимо-
му, способствуют рекомбинации дивакансий и меж-
узельных атомов кремния.
6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
По нашему мнению, одним из путей повышения
радиационной стойкости кремния является создание
центров рекомбинации вакансий и межузельных
атомов по типу дислокационных петель.
ЛИТЕРАТУРА
1.RD48 Status Report (R&D On Silicon for future Ex-
periments), Cern / LHCC-39. June 1997.
2.B.G. Svensson, J.L. Lindström. Generation of diva-
cancies in silicon by Mev electrons:Dose rate depend-
_________________________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2006. №.4.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.
180
ence and influence of Sn and P //J. Appl. Phys. 1992,
v. 72, № 12, p. 5616–5621.
3.И.И. Колковский, Л.Ф. Лугаков, В.В. Шуша. Ре-
комбинационные свойства радиационных дефектов
в Si (NTD) //ФТП. 1986, т. 20, в. 5, с. 964–967.
4.Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Л.И. Рябова,
Д.Р. Хохлов //Труды Международной конференции
по физике электронных материалов. Калуга, Рос-
сия, 2002, с. 14.
5.M.Mc. Pherson, T. Sloan, B.K. Jones. Suppression of
irradiation effects in gold-doped silicon detectors //J.
Phys. D: Appl.Phys. 1997, v. 30, p. 3028–3035.
6.P.F. Lugakov, L.A. Kazakevich. Recombination of
charge carriers in irradiated silicon containing as-grown
microdefects //IRS-2001. Proceeding of the Fourth In-
ternational Conference "Interaction of Radiation with
Solids". Minsk, Belarus, 2001, p. 176–177.
7.B. Dezillie, S. Bates, M. Glaser, F. Lemeilleur,
C. Leroy. Radiation hardness of silicon detectors manu-
factured on wafers from various sources //Nucl. Instr.
and Meth. in Phys. Research A. 1997, v. 388, p. 314–
317.
8.X.B. Xie, H.S. Cho, C.Y. Chien, G.W. Liang,
W. Huang, W. Huang, Z. Li. New Designs of Silicon
Pixel Detectors Fabricated from Normal and Oxygen-
Enriched Silicon Sub-states //IEEE Trans. Nucl. Sci.
2000, v. 47, № 6, p. 1807–1811.
9.B. Dezillie, Z. Li, V. Eremin, W. Chen, L.J. Zhao. The
Effect of Oxygen Impurities on Radiation Hardness of
FZ Silicon Detectors for HEP after Neutron, Proton and
Gamma Irradiation //IEEE Trans. Nucl. Sci. 2000, v. 47,
№ 6, p. 1892–1897.
10.E. Borchi, M. Bruzzi, Z. Li, S. Pirollo. Shallow
Level Analysis in Irradiated Silicon //IEEE Trans. Nucl.
Sci. 2000, v. 47, № 4, p. 1474–1477.
11.B. Dezillie, Z. Li, V. Eremin, M. Bruzzi, S. Pirollo,
S.U. Pandey, C.J. Li. Improved neutron radiation hard-
ness for Si detectors: application on low resistivity start-
ing material and /or manipulation of Neff by selective
filling of radiation-induced traps at low temperatures
//IEEE Trans. Nucl. Sci. 1999, v. 46, № 3, p. 221–227.
12.G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Radiation hard-
ness of Silicon detectors-a challenge from high-energy
physics //Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research A.
1999, v. 426, p. 1–15.
13.L.F. Makarenko, V.Yu. Yavid, Ya.I. Latushko,
N.I. Zamyatin. Identification of radiation defect models
to predict radiation hardness of silicon detectors for ion-
izing radiation //IRS-2001. Proceeding of the Fourth In-
ternational Conference "Interaction of Radiation with
Solids". Minsk, Belarus, 2001, p. 178–180.
14.A.P. Dolgolenko, I.I. Fishchuk. A-Centres Build-up
Kinetics in the Conductive Matrix of Pulled n-Type Sili-
con with Calculation of Their Recharges at Defect Clus-
ters //Phys. Stat. Sol.(a). 1981, v. 67, p. 407–411.
15.A.P. Dolgolenko. Variation of Carrier Removal Rate
with Irradiation Dose in Fast-Pile Neutron Irradiated n-
Si // Phys. Stat. Sol. (a). 2000, v. 179, p. 179–188.
16.J. Stahl, E. Fretwurst, G. Lindstrom, I. Pintilie. Deep
defect levels in standard and oxygen enriched silicon
detectors before and after 60Co-γ-irradiation //Nucl. In-
str. and Meth. in Phys. Research A. 2003, v. 512,
p. 111–116.
17.A.P. Dolgolenko, P.G. Litovchenko, A.P.
Litovchenko. Influence of 24 GeV proton irradiation on
electrophysical properties of high-ohm n-type silicon
//Materials of the Annual Scientific Conference of the
Institute for Nuclear Research. Kiev, 1998, p. 184–186.
18.П. Ермолов, Д. Карманов, А. Лефлат, В. Ма-
нанков, М. Меркин, Е. Шабалина. Нейтронно-наве-
денные эффекты в зонном кремнии, обусловленные
дивакансионными кластерами с тетравакансионным
ядром //ФТП. 2002, т. 36, в. 10, с. 1194–1201.
ВПЛИВ МЕТОДІВ ВИРОЩУВАННЯ ТА ЛЕГУВАННЯ НА РАДІАЦІЙНУ СТІЙКІСТЬ n-Si,
ОПРОМІНЕНОГО ШВИДКИМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
О.П. Долголєнко, П.Г. Літовченко, М.Д. Варєнцов, В.Ф. Ластовецький, Г.П. Гайдар, О.П. Літовченко
Зразки n-Si, вирощені методами безтигельної зонної плавки у вакуумі (FZ), в атмосфері аргону (Ar) та нейтронно-
леговані (NTD), досліджені до та після опромінення швидкими нейтронами реактора при кімнатній температурі.
Ефективна концентрація носіїв у опроміненному кремнії розраховувалася в модельному наближенні Госсіка з
урахуванням перезарядки дефектів як у провідній матриці n-Si, так і в областях просторового заряду кластерів.
Підвищену радіаційну стійкість має n-Si (NTD). Швидкість введення дивакансій у провідну матрицю цього кремнію в ~5
разів нижче, ніж у n-Si (FZ) та в ~2 рази нижче, ніж у n-Si (Ar). Наявність атомів кисню, аргону та А-типу дефектів
(дислокаційні петлі міжвузлового типу) загалом підвищує радіаційну стійкість n-Si.
INFLUENCE OF GROWING AND DOPING METHODS ON RADIATION HARDNESS OF n-SI IRRADIATED
BY FAST-PILE NEUTRONS
A.P. Dolgolenko, P.G. Litovchenko, M.D. Varentsov, V.F. Lastovetsky, G.P. Gaidar, A.P. Litovchenko
Samples of n-Si, which were grown by the method of a floating-zone in vacuum (FZ), in argon atmosphere (Ar) and by trans-
mutation doping (NTD), were investigated before and after irradiation at room temperature by various fluences of fast-pile neu-
_________________________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2006. №.4.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.
181
trons. In irradiated silicon the effective concentration of carriers was calculated in the framework of Gossick`s model taking into
account the recharging of defects both in the conducting matrix of n-Si and in the space-charge regions of defect clusters. It is
shown that n-Si (NTD) has increased radiation hardness. In the conducting matrix of n-Si (NTD) the introduction rate of divacan-
cies is five times less than in n-Si (FZ) and ~2 times less than in n-Si (Ar). In general, the presence of oxygen, argon atoms and
A-type defects (the dislocation loops of interstitial type) increases the radiation hardness of n-Si.
_________________________________________________________________________________
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2006. №.4.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (89), с. 175-181.
182
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80227 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:30:06Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Варенцов, М.Д. Ластовецкий, В.Ф. Гайдар, Г.П. Литовченко, А.П. 2015-04-13T17:34:47Z 2015-04-13T17:34:47Z 2006 Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко, М.Д. Варенцов, В.Ф. Ластовецкий, Г.П. Гайдар, А.П. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 175-181. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1562-6016 УДК 539.125.5.04:621.315.59 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80227 Образцы n-Si, выращенные методом бестигельной зонной плавки в вакууме (FZ), в атмосфере аргона (Ar) и нейтронно-легированные (NTD), исследованы до и после облучения быстрыми нейтронами реактора при комнатной температуре. Эффективная концентрация носителей в облучённом кремнии рассчитывалась в модельном приближении Госсика с учётом перезарядки дефектов как в проводящей матрице n-Si, так и в областях пространственного заряда кластеров. Повышенной радиационной стойкостью обладает n-Si (NTD). Скорость введения дивакансий в проводящую матрицу этого кремния в ~5 раз ниже, чем в n-Si (FZ) и в ~2 раза ниже, чем в n-Si (Ar). Наличие атомов кислорода, аргона и А-типа дефектов (дислокационные петли межузельного типа) в основном повышает радиационную стойкость n-Si. Зразки n-Si, вирощені методами безтигельної зонної плавки у вакуумі (FZ), в атмосфері аргону (Ar) та нейтронно- леговані (NTD), досліджені до та після опромінення швидкими нейтронами реактора при кімнатній температурі. Ефективна концентрація носіїв у опроміненному кремнії розраховувалася в модельному наближенні Госсіка з урахуванням перезарядки дефектів як у провідній матриці n-Si, так і в областях просторового заряду кластерів. Підвищену радіаційну стійкість має n-Si (NTD). Швидкість введення дивакансій у провідну матрицю цього кремнію в ~5 разів нижче, ніж у n-Si (FZ) та в ~2 рази нижче, ніж у n-Si (Ar). Наявність атомів кисню, аргону та А-типу дефектів (дислокаційні петлі міжвузлового типу) загалом підвищує радіаційну стійкість n-Si. Samples of n-Si, which were grown by the method of a floating-zone in vacuum (FZ), in argon atmosphere (Ar) and by transmutation doping (NTD), were investigated before and after irradiation at room temperature by various fluences of fast-pile neutrons. In irradiated silicon the effective concentration of carriers was calculated in the framework of Gossick`s model taking into account the recharging of defects both in the conducting matrix of n-Si and in the space-charge regions of defect clusters. It is shown that n-Si (NTD) has increased radiation hardness. In the conducting matrix of n-Si (NTD) the introduction rate of divacancies is five times less than in n-Si (FZ) and ~2 times less than in n-Si (Ar). In general, the presence of oxygen, argon atoms and A-type defects (the dislocation loops of interstitial type) increases the radiation hardness of n-Si. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора Вплив методів вирощування та легування на радіаційну стійкість n-Si, опроміненого швидкими нейтронами реактора Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-SI irradiated by fast-pile neutrons Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Варенцов, М.Д. Ластовецкий, В.Ф. Гайдар, Г.П. Литовченко, А.П. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_alt | Вплив методів вирощування та легування на радіаційну стійкість n-Si, опроміненого швидкими нейтронами реактора Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-SI irradiated by fast-pile neutrons |
| title_full | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_fullStr | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_full_unstemmed | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_short | Влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| title_sort | влияние методов выращивания и легирования на радиационную стойкость n-si, облучённого быстрыми нейтронами реактора |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80227 |
| work_keys_str_mv | AT dolgolenkoap vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT litovčenkopg vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT varencovmd vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT lastoveckiivf vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT gaidargp vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT litovčenkoap vliâniemetodovvyraŝivaniâilegirovaniânaradiacionnuûstoikostʹnsioblučennogobystrymineitronamireaktora AT dolgolenkoap vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT litovčenkopg vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT varencovmd vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT lastoveckiivf vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT gaidargp vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT litovčenkoap vplivmetodívviroŝuvannâtaleguvannânaradíacíinustíikístʹnsiopromínenogošvidkimineitronamireaktora AT dolgolenkoap influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT litovčenkopg influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT varencovmd influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT lastoveckiivf influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT gaidargp influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons AT litovčenkoap influenceofgrowinganddopingmethodsonradiationhardnessofnsiirradiatedbyfastpileneutrons |