Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation
Changes in scintillation and optical properties of semiconductor scintillators (SCS) based on ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) and CdWO₄ (CWO) crystals were studied under influence of ionizing radiations: gamma (~1.3 MeV, up to 500 Mrad), protons (~18 MeV, fluence up to 10¹⁶per⋅cm ⁻² ), el...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80407 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation / N.G. Starzhinskiy, V.D. Ryzhikov, L.P. Gal’chinetskii, L.L. Nagornaya, V.I. Silin // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 3. — С. 43-46. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80407 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Starzhinskiy, N.G. Ryzhikov, V.D. Gal’chinetskii, L.P. Nagornaya, L.L. Silin, V.I. 2015-04-17T17:08:05Z 2015-04-17T17:08:05Z 2005 Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation / N.G. Starzhinskiy, V.D. Ryzhikov, L.P. Gal’chinetskii, L.L. Nagornaya, V.I. Silin // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 3. — С. 43-46. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80407 539.12.04 Changes in scintillation and optical properties of semiconductor scintillators (SCS) based on ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) and CdWO₄ (CWO) crystals were studied under influence of ionizing radiations: gamma (~1.3 MeV, up to 500 Mrad), protons (~18 MeV, fluence up to 10¹⁶per⋅cm ⁻² ), electrons (0.54 to 2.26 MeV, up to 50 Mrad), and neutrons (source - thermal reactor channel, fluence up to 10¹⁸ per⋅cm ⁻² ). SCS and CWO crystals have high radiation stability (RS) towards irradiation by gamma-rays and neutrons. Under proton irradiation, CWO scintillators have much higher RS as compared with SCS. For SCS under gamma-irradiation with Dγ>(2…5)⋅10⁹ rad and Pγ=7.7⋅10²R⋅s⁻¹ , in the surface layer (estimated in tens of nanometers) radiolysis of the crystalline structure occurs, and the loss of mass is observed for the samples (at Т=320 К). Вивчено зміну сцинтиляційних і оптичних властивостей напівпровідникових сцинтиляторів (НПС) ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) та CdWO₄ (CWO) кристалів при впливі різних видів іонізуючих випромінювань (гамма, протонів, нейтронів). При опроміненні кристалів НПС нейтронами їх світловий вихід зростає на 20...150 % і спостерігаються помітні зміни їхніх оптичних характеристик у видимому та інфрачервоному діапазонах. Протонне опромінення приводить до суттєвої деградації оптичних та сцинтиляційних параметрів кристалів НПС при тому в інфрачервоній області спостерігаються селективні смуги поглинання (при 4...7 мкм). Кристали CWO мають більш високу радіаційну стійкість до протонного опромінення, ніж НПС. При високих дозах опромінення НПС (D>2...5•10⁹ рад) у поверхневому шарі кристалів спостерігаються процеси радіолізу і втрата маси опромінених зразків. Изучено изменение сцинтилляционных и оптических свойств полупроводниковых сцинтилляторов (ППС) ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) и CdWO₄ (CWO) кристаллов при воздействии различных видов ионизирующих излучений (гамма, протонов, нейтронов). При облучении кристаллов ППС нейтронами их световыход возрастает на 20…150 % и наблюдаются заметные изменения их оптических характеристик в видимом и инфракрасном диапазонах. Протонное облучение приводит к существенной деградации оптических и сцинтилляционных параметров кристаллов ППС, при этом в инфракрасной области наблюдаются селективные полосы поглощения (при 4…7 мкм). Кристаллы CWO обладают более высокой радиационной стойкостью к протонному облучению, чем ППС. При высоких дозах облучения ППС (D>2…5•10⁹ рад) в поверхностном слое кристаллов наблюдаются процессы радиолиза и потеря массы облученных образцов. Authors are glad to express their gratitude to Magne Guttormsen (Oslo Cyclotron Laboratory, Norway), Alexander A. Kist (Institute Nuclear of Physics, Uzbekistan) and V.M.Lisitsin (Tomsk, Polytechnic University, Russia) for providing of irradiation of samples. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation Радиаційно-випромінювальні процеси в A²B⁶ та оксидних сполученнях під протонним та гама-опроміненням Радиационно-излучательные процессы в A²B⁶ и оксидных соединениях под протонным и гамма-облучением Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation |
| spellingShingle |
Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation Starzhinskiy, N.G. Ryzhikov, V.D. Gal’chinetskii, L.P. Nagornaya, L.L. Silin, V.I. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| title_short |
Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation |
| title_full |
Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation |
| title_fullStr |
Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation |
| title_full_unstemmed |
Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation |
| title_sort |
radiation-induced pocesses in a²b⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation |
| author |
Starzhinskiy, N.G. Ryzhikov, V.D. Gal’chinetskii, L.P. Nagornaya, L.L. Silin, V.I. |
| author_facet |
Starzhinskiy, N.G. Ryzhikov, V.D. Gal’chinetskii, L.P. Nagornaya, L.L. Silin, V.I. |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| publishDate |
2005 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Радиаційно-випромінювальні процеси в A²B⁶ та оксидних сполученнях під протонним та гама-опроміненням Радиационно-излучательные процессы в A²B⁶ и оксидных соединениях под протонным и гамма-облучением |
| description |
Changes in scintillation and optical properties of semiconductor scintillators (SCS) based on ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) and CdWO₄ (CWO) crystals were studied under influence of ionizing radiations: gamma (~1.3 MeV, up to 500 Mrad), protons (~18 MeV, fluence up to 10¹⁶per⋅cm ⁻² ), electrons (0.54 to 2.26 MeV, up to 50 Mrad), and neutrons (source - thermal reactor channel, fluence up to 10¹⁸ per⋅cm ⁻² ). SCS and CWO crystals have high radiation stability (RS) towards irradiation by gamma-rays and neutrons. Under proton irradiation, CWO scintillators have much higher RS as compared with SCS. For SCS under gamma-irradiation with Dγ>(2…5)⋅10⁹ rad and Pγ=7.7⋅10²R⋅s⁻¹ , in the surface layer (estimated in tens of nanometers) radiolysis of the crystalline structure occurs, and the loss of mass is observed for the samples (at Т=320 К).
Вивчено зміну сцинтиляційних і оптичних властивостей напівпровідникових сцинтиляторів (НПС) ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) та CdWO₄ (CWO) кристалів при впливі різних видів іонізуючих випромінювань (гамма, протонів, нейтронів). При опроміненні кристалів НПС нейтронами їх світловий вихід зростає на 20...150 % і спостерігаються помітні зміни їхніх оптичних характеристик у видимому та інфрачервоному діапазонах. Протонне опромінення приводить до суттєвої деградації оптичних та сцинтиляційних параметрів кристалів НПС при тому в інфрачервоній області спостерігаються селективні смуги поглинання (при 4...7 мкм). Кристали CWO мають більш високу радіаційну стійкість до протонного опромінення, ніж НПС. При високих дозах опромінення НПС (D>2...5•10⁹ рад) у поверхневому шарі кристалів спостерігаються процеси радіолізу і втрата маси опромінених зразків.
Изучено изменение сцинтилляционных и оптических свойств полупроводниковых сцинтилляторов (ППС) ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) и CdWO₄ (CWO) кристаллов при воздействии различных видов ионизирующих излучений (гамма, протонов, нейтронов). При облучении кристаллов ППС нейтронами их световыход возрастает на 20…150 % и наблюдаются заметные изменения их оптических характеристик в видимом и инфракрасном диапазонах. Протонное облучение приводит к существенной деградации оптических и сцинтилляционных параметров кристаллов ППС, при этом в инфракрасной области наблюдаются селективные полосы поглощения (при 4…7 мкм). Кристаллы CWO обладают более высокой радиационной стойкостью к протонному облучению, чем ППС. При высоких дозах облучения ППС (D>2…5•10⁹ рад) в поверхностном слое кристаллов наблюдаются процессы радиолиза и потеря массы облученных образцов.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80407 |
| citation_txt |
Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation / N.G. Starzhinskiy, V.D. Ryzhikov, L.P. Gal’chinetskii, L.L. Nagornaya, V.I. Silin // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 3. — С. 43-46. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT starzhinskiyng radiationinducedpocessesina2b6oxidecompoundsunderprotonandgammairradiation AT ryzhikovvd radiationinducedpocessesina2b6oxidecompoundsunderprotonandgammairradiation AT galchinetskiilp radiationinducedpocessesina2b6oxidecompoundsunderprotonandgammairradiation AT nagornayall radiationinducedpocessesina2b6oxidecompoundsunderprotonandgammairradiation AT silinvi radiationinducedpocessesina2b6oxidecompoundsunderprotonandgammairradiation AT starzhinskiyng radiacíinovipromínûvalʹníprocesiva2b6taoksidnihspolučennâhpídprotonnimtagamaopromínennâm AT ryzhikovvd radiacíinovipromínûvalʹníprocesiva2b6taoksidnihspolučennâhpídprotonnimtagamaopromínennâm AT galchinetskiilp radiacíinovipromínûvalʹníprocesiva2b6taoksidnihspolučennâhpídprotonnimtagamaopromínennâm AT nagornayall radiacíinovipromínûvalʹníprocesiva2b6taoksidnihspolučennâhpídprotonnimtagamaopromínennâm AT silinvi radiacíinovipromínûvalʹníprocesiva2b6taoksidnihspolučennâhpídprotonnimtagamaopromínennâm AT starzhinskiyng radiacionnoizlučatelʹnyeprocessyva2b6ioksidnyhsoedineniâhpodprotonnymigammaoblučeniem AT ryzhikovvd radiacionnoizlučatelʹnyeprocessyva2b6ioksidnyhsoedineniâhpodprotonnymigammaoblučeniem AT galchinetskiilp radiacionnoizlučatelʹnyeprocessyva2b6ioksidnyhsoedineniâhpodprotonnymigammaoblučeniem AT nagornayall radiacionnoizlučatelʹnyeprocessyva2b6ioksidnyhsoedineniâhpodprotonnymigammaoblučeniem AT silinvi radiacionnoizlučatelʹnyeprocessyva2b6ioksidnyhsoedineniâhpodprotonnymigammaoblučeniem |
| first_indexed |
2025-12-07T17:47:54Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:47:54Z |
| _version_ |
1850872614054002688 |