Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation
Changes in scintillation and optical properties of semiconductor scintillators (SCS) based on ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) and CdWO₄ (CWO) crystals were studied under influence of ionizing radiations: gamma (~1.3 MeV, up to 500 Mrad), protons (~18 MeV, fluence up to 10¹⁶per⋅cm ⁻² ), el...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80407 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation / N.G. Starzhinskiy, V.D. Ryzhikov, L.P. Gal’chinetskii, L.L. Nagornaya, V.I. Silin // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 3. — С. 43-46. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |