Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the breakdown regime development. Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2004 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80553 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in
semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the
breakdown regime development.
Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї
у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу
виникнення режиму пробою.
Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой
флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка,
большая по величине порога возникновения режима пробоя.
|
|---|---|
| ISSN: | 1562-6016 |