Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in
 semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the
 breakdown regime development. Проведено аналiз нерухомих точок е...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80553 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862542125392986112 |
|---|---|
| author | Andreyeva, N.V. Virchenko, Yu.P. |
| author_facet | Andreyeva, N.V. Virchenko, Yu.P. |
| citation_txt | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in
semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the
breakdown regime development.
Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї
у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу
виникнення режиму пробою.
Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой
флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка,
большая по величине порога возникновения режима пробоя.
|
| first_indexed | 2025-11-24T18:04:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80553 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T18:04:41Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Andreyeva, N.V. Virchenko, Yu.P. 2015-04-18T20:21:02Z 2015-04-18T20:21:02Z 2004 Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 75.50.L; 75.30.С https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80553 The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in
 semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the
 breakdown regime development. Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї
 у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу
 виникнення режиму пробою. Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой
 флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка,
 большая по величине порога возникновения режима пробоя. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films Стабiлiзацiя розвитку теплового пробою у напiвпровiдникових плiвках Стабилизация развития теплового пробоя в полупроводниковых плёнках Article published earlier |
| spellingShingle | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films Andreyeva, N.V. Virchenko, Yu.P. Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом |
| title | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_alt | Стабiлiзацiя розвитку теплового пробою у напiвпровiдникових плiвках Стабилизация развития теплового пробоя в полупроводниковых плёнках |
| title_full | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_fullStr | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_full_unstemmed | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_short | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_sort | stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| topic | Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом |
| topic_facet | Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80553 |
| work_keys_str_mv | AT andreyevanv stabilizationofthermalbreakdowndevelopmentinsemiconductorfilms AT virchenkoyup stabilizationofthermalbreakdowndevelopmentinsemiconductorfilms AT andreyevanv stabilizaciârozvitkuteplovogoproboûunapivprovidnikovihplivkah AT virchenkoyup stabilizaciârozvitkuteplovogoproboûunapivprovidnikovihplivkah AT andreyevanv stabilizaciârazvitiâteplovogoproboâvpoluprovodnikovyhplenkah AT virchenkoyup stabilizaciârazvitiâteplovogoproboâvpoluprovodnikovyhplenkah |