Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films

The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in
 semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the
 breakdown regime development. Проведено аналiз нерухомих точок е...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Вопросы атомной науки и техники
Дата:2004
Автори: Andreyeva, N.V., Virchenko, Yu.P.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80553
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862542125392986112
author Andreyeva, N.V.
Virchenko, Yu.P.
author_facet Andreyeva, N.V.
Virchenko, Yu.P.
citation_txt Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in
 semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the
 breakdown regime development. Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї
 у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу
 виникнення режиму пробою. Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой
 флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка,
 большая по величине порога возникновения режима пробоя.
first_indexed 2025-11-24T18:04:41Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-80553
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language English
last_indexed 2025-11-24T18:04:41Z
publishDate 2004
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Andreyeva, N.V.
Virchenko, Yu.P.
2015-04-18T20:21:02Z
2015-04-18T20:21:02Z
2004
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 75.50.L; 75.30.С
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80553
The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in
 semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the
 breakdown regime development.
Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї
 у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу
 виникнення режиму пробою.
Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой
 флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка,
 большая по величине порога возникновения режима пробоя.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
Стабiлiзацiя розвитку теплового пробою у напiвпровiдникових плiвках
Стабилизация развития теплового пробоя в полупроводниковых плёнках
Article
published earlier
spellingShingle Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
Andreyeva, N.V.
Virchenko, Yu.P.
Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
title Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
title_alt Стабiлiзацiя розвитку теплового пробою у напiвпровiдникових плiвках
Стабилизация развития теплового пробоя в полупроводниковых плёнках
title_full Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
title_fullStr Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
title_full_unstemmed Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
title_short Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
title_sort stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
topic Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
topic_facet Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80553
work_keys_str_mv AT andreyevanv stabilizationofthermalbreakdowndevelopmentinsemiconductorfilms
AT virchenkoyup stabilizationofthermalbreakdowndevelopmentinsemiconductorfilms
AT andreyevanv stabilizaciârozvitkuteplovogoproboûunapivprovidnikovihplivkah
AT virchenkoyup stabilizaciârozvitkuteplovogoproboûunapivprovidnikovihplivkah
AT andreyevanv stabilizaciârazvitiâteplovogoproboâvpoluprovodnikovyhplenkah
AT virchenkoyup stabilizaciârazvitiâteplovogoproboâvpoluprovodnikovyhplenkah