Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading
The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82375 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862726837175582720 |
|---|---|
| author | Chumakov, V.I. |
| author_facet | Chumakov, V.I. |
| citation_txt | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:59:33Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-82375 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T18:59:33Z |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Chumakov, V.I. 2015-05-29T07:28:09Z 2015-05-29T07:28:09Z 2000 Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82375 621.382 The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Рlasma Dynamics and Plasma-Wall Interaction Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading Article published earlier |
| spellingShingle | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading Chumakov, V.I. Рlasma Dynamics and Plasma-Wall Interaction |
| title | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading |
| title_full | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading |
| title_fullStr | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading |
| title_full_unstemmed | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading |
| title_short | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading |
| title_sort | degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading |
| topic | Рlasma Dynamics and Plasma-Wall Interaction |
| topic_facet | Рlasma Dynamics and Plasma-Wall Interaction |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82375 |
| work_keys_str_mv | AT chumakovvi degradationsofsemiconductordevicesunderpulsedheatoverloading |