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Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading

The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Вопросы атомной науки и техники
Datum:	2000
1. Verfasser:	Chumakov, V.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2000
Schlagworte:	Рlasma Dynamics and Plasma-Wall Interaction
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82375
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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