Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading
The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal dependencies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2000
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/82375 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Degradations of semiconductor devices under pulsed heat overloading / V.I. Chumakov // Вопросы атомной науки и техники. — 2000. — № 3. — С. 96-98. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!