Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбув...
Saved in:
| Date: | 2009 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/8515 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862555735360012288 |
|---|---|
| author | Сизов, Ф.Ф. Гришин, Ю.Г. Круковський, С.І. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Савкіна, Р.К. Смірнов, О.Б. Тартачник, В.П. |
| author_facet | Сизов, Ф.Ф. Гришин, Ю.Г. Круковський, С.І. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Савкіна, Р.К. Смірнов, О.Б. Тартачник, В.П. |
| citation_txt | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| description | Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбувається радiацiйно стимульоване зростання прямого струму дiодiв внаслiдок зменшення концентрацiї основних носiїв заряду та часу життя неосновних носiїв заряду. Причиною змiни параметрiв є радiацiйне введення пасток.
AlxGa1−xAs/GaAs-based (x = 0.27÷0.31) light-emitting diodes were exposed to fast neutrons with fluences ranging from 10^14 to 5·10^16 n/cm², and their current-voltage characteristics were measured from 300 K to 80 K. Experimental results have revealed an increase of the positive current through the irradiated diode when it is forward-biased that is connected with a decrease of the majoritycarrier concentration and the minority-carrier lifetime. Change of the electric transport is probably due to the creation of traps after neutron irradiation.
|
| first_indexed | 2025-11-25T22:31:41Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-8515 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T22:31:41Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Сизов, Ф.Ф. Гришин, Ю.Г. Круковський, С.І. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Савкіна, Р.К. Смірнов, О.Б. Тартачник, В.П. 2010-06-04T15:04:11Z 2010-06-04T15:04:11Z 2009 Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs / Ф.Ф. Сизов, Ю. Г. Гришин, С. I. Круковський, В.Я. Опилат, I.В. Петренко, Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2009. — № 5. — С. 87-93. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/8515 538.935 Дослiджується вплив швидких нейтронiв на зразки свiтловипромiнюючих дiодних структур n^+-n-p-AlxGa1−xAs/GaAs (x = 0,27 ÷ 0,31). Вольт-ампернi характеристики вимiрювалися в iнтервалi температур 77 К – 300 К до та пiсля опромiнення нейтронами з флюенсом (10^14– 5 · 10^16) см^−2. Встановлено, що вiдбувається радiацiйно стимульоване зростання прямого струму дiодiв внаслiдок зменшення концентрацiї основних носiїв заряду та часу життя неосновних носiїв заряду. Причиною змiни параметрiв є радiацiйне введення пасток. AlxGa1−xAs/GaAs-based (x = 0.27÷0.31) light-emitting diodes were exposed to fast neutrons with fluences ranging from 10^14 to 5·10^16 n/cm², and their current-voltage characteristics were measured from 300 K to 80 K. Experimental results have revealed an increase of the positive current through the irradiated diode when it is forward-biased that is connected with a decrease of the majoritycarrier concentration and the minority-carrier lifetime. Change of the electric transport is probably due to the creation of traps after neutron irradiation. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Фізика Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs Effect of neutron radiation on characteristics of AlxGa1−xAs light-emitting diodes Article published earlier |
| spellingShingle | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs Сизов, Ф.Ф. Гришин, Ю.Г. Круковський, С.І. Опилат, В.Я. Петренко, І.В. Савкіна, Р.К. Смірнов, О.Б. Тартачник, В.П. Фізика |
| title | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_alt | Effect of neutron radiation on characteristics of AlxGa1−xAs light-emitting diodes |
| title_full | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_fullStr | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_full_unstemmed | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_short | Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs |
| title_sort | вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів alxga1–xas |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/8515 |
| work_keys_str_mv | AT sizovff vplivneitronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT grišinûg vplivneitronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT krukovsʹkiisí vplivneitronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT opilatvâ vplivneitronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT petrenkoív vplivneitronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT savkínark vplivneitronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT smírnovob vplivneitronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT tartačnikvp vplivneitronnogoopromínennânaharakteristikisvítlodíodívalxga1xas AT sizovff effectofneutronradiationoncharacteristicsofalxga1xaslightemittingdiodes AT grišinûg effectofneutronradiationoncharacteristicsofalxga1xaslightemittingdiodes AT krukovsʹkiisí effectofneutronradiationoncharacteristicsofalxga1xaslightemittingdiodes AT opilatvâ effectofneutronradiationoncharacteristicsofalxga1xaslightemittingdiodes AT petrenkoív effectofneutronradiationoncharacteristicsofalxga1xaslightemittingdiodes AT savkínark effectofneutronradiationoncharacteristicsofalxga1xaslightemittingdiodes AT smírnovob effectofneutronradiationoncharacteristicsofalxga1xaslightemittingdiodes AT tartačnikvp effectofneutronradiationoncharacteristicsofalxga1xaslightemittingdiodes |