Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів
Розроблено стенд, який надає можливість одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (θ) плівок у ділянці температур 300 - 560 K. Досліджено температурні залежності R і θ аморфних плівок системи сурма - селен. Показано, що їх кристалізація супроводжуєт...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87110 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів / В.К. Кириленко, В.М. Мар’ян, М.О. Дуркот, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2014. — Т. 16, № 2. — С. 7-13. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859590997811396608 |
|---|---|
| author | Кириленко, В.К. Мар’ян, В.М. Дуркот, М.О. Рубіш, В.М. |
| author_facet | Кириленко, В.К. Мар’ян, В.М. Дуркот, М.О. Рубіш, В.М. |
| citation_txt | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів / В.К. Кириленко, В.М. Мар’ян, М.О. Дуркот, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2014. — Т. 16, № 2. — С. 7-13. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Реєстрація, зберігання і обробка даних |
| description | Розроблено стенд, який надає можливість одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (θ) плівок у ділянці температур 300 - 560 K. Досліджено температурні залежності R і θ аморфних плівок системи сурма - селен. Показано, що їх кристалізація супроводжується різким зменшенням цих параметрів. Температурний інтервал переходу плівок з аморфного стану в кристалічний залежить від складу плівок, матеріалу контактів та умов термообробки.
A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (θ) of films in the region of temperatures 300–560 K. The temperature dependences of R and θ amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is shown that their crystallization is accompanied by a sharp decrease of these parameters. The temperature range of film transition from amorphous to a crystalline state depends on the film composition, material for contacts and heat treatment conditions.
|
| first_indexed | 2025-11-27T15:28:06Z |
| format | Article |
| fulltext |
,
ISSN 1560-9189 , , 2014, . 16, 2 7
004.08; 537.363
. . , . . ’ , . . , . .
-
. , 4, 88000 ,
’
,
(R) ( ) -
300–560 . -
R - . ,
-
.
,
.
: , , ’ .
-
’ (Phase Change Memory PCM),
« -
» . ,
( ) [1–9].
-
-
( / ) , ,
.
, ’
: , -
,
’ ;
— ’ -
[10]. , -
. ’
’ -
© . . , . . ’ , . . , . .
. . , . . ’ , . . , . .
8
. [2, 11–15],
’
- .
, ,
, -
[3–5, 8, 9, 16]. , -
,
[17, 18],
, . -
[3, 4, 6, 12, 13],
R .
, ,
. , -
, -
, .
, -
, . -
-
R(T) (T).
Sb-Se.
-
, -
’ « -
», ,
560 .
R(T)
(T) . 1 2. -
3
( ) 2 200 ,
4 5 . , -
-
, -
1.
14
( . 2) ,
-
15.
. 1. :
1 — ;
2 — ;
3 — ;
4 —
’
ISSN 1560-9189 , , 2014, . 16, 2 9
12 13, ,
- . -
2 ( . 1) .
. 2. : 1, 2 — -
; 3, 4 — ; 5, 10 — ; 6 —
; 7, 15 — ; 8 — ;
9 — ; 11 — ; 12, 13 — -
; 14 — ; 16 — ;
17 — ; 18, 19 —
; 20 —
-
(0,1–0,2 ),
(>108 ), (<20 ).
- -
(880 ). . -
15, 11, 7
6 ( . 2). , 15 7,
. 1 ( .
2) . 2 ( . 1) -
200 .
-
,
14 ( . 2) 0,2 / . 10 / . -
( -
- ) - .
, ,
( 0,2 / .),
330 . ±0,5 .
. 3–6 -
, q = 2,2 / . -
( . 3 4), 15 ( . 5) -
. . , . . ’ , . . , . .
10
25 . = 393 ( . 6) « Cr – Sb50Se50»
( . 3) « Cr – Sb65Se35» ( . 4–6).
. 3. R(a)
( )
« Cr – Sb50Se50»
. 4. R ( ) ( )
« Cr – Sb65Se35»
, R .
T
3–8 .
. , Sb65Se35 q 0,9 8,8 / . -
424 436 .
(1010–1012 ). -
104 .
. 3,
« Cr – Sb50Se50» . -
« Cr – Sb65Se35» R
( . 4). « Cr – -
Sb65Se35» R 3 ( . 5), — 4
( . 6). -
. , – – -
R, -
( . 4–6). , Sb65Se35
.
’
ISSN 1560-9189 , , 2014, . 16, 2 11
,
. R « Ag –
Sb65Se35» . 7. , R(T) -
, « Cr- Sb65Se35»
( . 4). - , « Ag –
Sb65Se35» - , , -
, ( .
7), ( T 29 ). (T),
. 4, 7, , . R(T), -
« Cr – Sb65Se35» ( . 4, ) « Ag – Sb65Se35»
( . 7, ), -
.
« Al – Sb65Se35» ,
-
. , -
, .
. 5. R ( ) ( )
15 « Cr – Sb65Se35»
. 6. R ( ) ( )
T = 393 K 25 .
« Cr – Sb65Se35»
. . , . . ’ , . . , . .
12
-
-
-
, -
’ , -
,
-
-
560 -
0,2 10 / .
,
Sb-Se -
-
. -
3–8 .
. -
, -
-
. « -
– – » R
.
Sb-Se ’
.
1. Understanding the Phase-Change Mechanism of Rewritable Optical Media / A.V. Kolobov,
P. Fons, A.I. Frenkel [et al.] // Nature Mater. — 2004. — Vol. 3. — P. 703–708.
2. / [ . ., . ., . ., . .].
— .: , 2007. — 195 .
3. Characteristics of Ga-Sb-Te Films for Phase-Change Memory / Cheng H.-Y., Kao K.-F., Lee
C.-M., Chin T.-S. // IEEE Transactions on Magnetics. — 2007. — Vol. 43, N 2. — P. 927–929.
4. Temperature Influence on Electrical Properties of Sb-Te Phase-Change Material / F. Wang,
Y. Zhang, Z. Song [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. — 2008. — Vol. 47, N 2. — P. 843–846.
5. . . -
/ . . , . . // « », 2009. — 4.
— 7 .
. 7. R ( ) ( )
« Ag – Sb65Se35»
’
ISSN 1560-9189 , , 2014, . 16, 2 13
6. Terao M. Electrical Phase-Change Memory: Fundamentals and State of the Art / M. Terao,
T. Morikawa, T. Ohta // Jpn. J. Appl. Phys. — 2009. — Vol. 48. — P. 080001 (1–14).
7. . . -
/ . . , . . // . — 2012. — . 46, 5. —
C. 577–608.
8. Thermal Properties of Phase-Change Material Ge2Sb2Te5 Doped with Bi / Sherchenkov A.,
Kozyuchin S., Babich A., Lazarenko P. // J. Non-Cryst. Solids. — 2013. — Vol. 377. — P. 26–29.
9. Kozyukhin S.A. Phase Separation in Chalcogenide Semiconductors of the Ge-Te System Upon
Thermal Cycling / S.A. Kozyukhin, A.A. Sherchenkov, A.V. Babich // Izvestiya vysshikh uchebnykh
zavedenii. Elektronika. — 2013. — Vol. 100, N 2. — P. 3–8.
10. . . / . . , . . , . . -
. — , , 1976. — 184 .
11. Sb-Se-based Phase-Change Memory Device with Lower Power and Higher Speed Operations /
S.-M. Yoon, N.-Y. Lee, S.-O Ryu [et al.] // IEEE Electron Device Letters. — 2006. — Vol. 27, N 6. —
P. 445–447.
12. ’ . , -
. ., . . [ .] // . . V . . .
( -5). — , 2011. — . 257.
13. / . ., -
. ., . . [ .] // . . IV . . . « :
, , ( – 2013)». — , , 2013. — C. 408.
14. « – »
- / . ., . ., ’ . . [
.] // . . VI . . . ( -6). — , ,
2013. — . 563–564.
15. Chalcogenide Amorphous Materials with Phase Transitions / Maryan V.M., Kyrylenko V.K.,
Kozusenok A.V. [et al.]: mat. XIV Intern. Conf. «Physics and technology of thin films and nanosystems»
(ICPTTFN-XIV). — Ivano-Frankivsk, Ukraine, 2013. — P. 319.
16. New Insights on the rystallization rocess in Ge15Sb85 hase- hange aterial: A Simultaneous
alorimetric and Quick-EXAFS easurement / P. Zalden, G. Aquilanti, O. Prestipino [et al.] // J. Non-
Cryst. Solids. — 2013. — Vol. 377. — P. 30–33.
17. Crystallization Study of (As2S3)100-x(SbSI)x morphous Films by ptical ethod / V.M. Ru-
bish, O.V. Kozusenok, P.P. Shtets [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Opto-
electronics. — 2012. — Vol. 15, N 3. — P. 294–297.
18. Sb2Se3 / . . , . . , . . ’
[ .] // . . - . . — 2013. — 34. — . 64–67.
15.04.2014
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-87110 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-9189 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-27T15:28:06Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Кириленко, В.К. Мар’ян, В.М. Дуркот, М.О. Рубіш, В.М. 2015-10-11T13:57:55Z 2015-10-11T13:57:55Z 2014 Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів / В.К. Кириленко, В.М. Мар’ян, М.О. Дуркот, В.М. Рубіш // Реєстрація, зберігання і обробка даних. — 2014. — Т. 16, № 2. — С. 7-13. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 1560-9189 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87110 004.08; 537.363 Розроблено стенд, який надає можливість одночасно вимірювати температурні залежності електричного опору (R) та оптичного пропускання (θ) плівок у ділянці температур 300 - 560 K. Досліджено температурні залежності R і θ аморфних плівок системи сурма - селен. Показано, що їх кристалізація супроводжується різким зменшенням цих параметрів. Температурний інтервал переходу плівок з аморфного стану в кристалічний залежить від складу плівок, матеріалу контактів та умов термообробки. A stand was developed that allows simultaneously measure the temperature dependences of the electrical resistance (R) and optical transmittance (θ) of films in the region of temperatures 300–560 K. The temperature dependences of R and θ amorphous films of antimony-selenium have been studied. It is shown that their crystallization is accompanied by a sharp decrease of these parameters. The temperature range of film transition from amorphous to a crystalline state depends on the film composition, material for contacts and heat treatment conditions. uk Інститут проблем реєстрації інформації НАН України Реєстрація, зберігання і обробка даних Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions Article published earlier |
| spellingShingle | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів Кириленко, В.К. Мар’ян, В.М. Дуркот, М.О. Рубіш, В.М. Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| title | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_alt | The Study of Amorphous Chalcogenide Materials of Memory Elements Based on Phase Transitions |
| title_full | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_fullStr | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_full_unstemmed | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_short | Дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| title_sort | дослідження аморфних халькогенідних матеріалів елементів пам’яті на основі фазових переходів |
| topic | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| topic_facet | Фізичні основи, принципи та методи реєстрації даних |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/87110 |
| work_keys_str_mv | AT kirilenkovk doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív AT marânvm doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív AT durkotmo doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív AT rubíšvm doslídžennâamorfnihhalʹkogenídnihmateríalívelementívpamâtínaosnovífazovihperehodív AT kirilenkovk thestudyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions AT marânvm thestudyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions AT durkotmo thestudyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions AT rubíšvm thestudyofamorphouschalcogenidematerialsofmemoryelementsbasedonphasetransitions |