Magnetron with a concave hemispherical cathode

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2009
• Автори: Stetsenko, B.V., Shchurenko, A.I., Zavyalov, Yu.G.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
• Теми: Низкотемпературная плазма и плазменные технологии
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/88319
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Magnetron with a concave hemispherical cathode / B.V. Stetsenko, A.I. Shchurenko, Yu.G. Zavyalov // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 1. — С. 134-135. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

A magnetron set up with a hemispherical concave cathode has been worked out for the first time. The cathode
 center of curvature was registered with the sputtered surface. An aluminum nitride film was sputtered by this magnetron
 in the pulse regime. The pulse duration was about 2 ms. The film thickness was between 10 to 12 nm. The sputtering
 rate was about 50 nm/s. The magnetron characteristics agree with a qualitative model of the magnetron. Вперше створено модель магнетрону з напівсферичним катодом, що увігнутий у бік поверхні, на яку
 проводиться напорошення. В імпульсному режимі напорошена плівка нітриду алюминию, товщина якої в
 центрі запорошеної області дорівнює 10 нм, а поблизу края катоду – 12 нм. Швидкість запорошення − 50 нм/с.
 Характеристики магнетрону якісно відповідають модельним розрахункам. Впервые создана модель магнетрона с полусферическим катодом, вогнутым в сторону напыляемой
 поверхности. В импульсном режиме напылена плёнка нитрида алюминия, толщина которой в центре
 запыленной площадки равна 10 нм, а вблизи края катода − 12 нм. Скорость напыления − 50 нм/c.
 Характеристики магнетрона качественно соответствуют модельным расчётам.