Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation te...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2009
Main Authors: Dovbnya, A.N., Yefimov, V.P., Abyzov, A.S., Rybka, A.V., Zakutin, V.V., Reshetnyak, N.G., Blinkin, A.A., Romas’ko, V.P.
Format: Article
Language:English
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Subjects:
Ядернo-физические методы и обработка данных
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96509
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96509
record_format dspace
spelling Dovbnya, A.N.
Yefimov, V.P.
Abyzov, A.S.
Rybka, A.V.
Zakutin, V.V.
Reshetnyak, N.G.
Blinkin, A.A.
Romas’ko, V.P.
2016-03-17T20:23:42Z
2016-03-17T20:23:42Z
2009
Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96509
Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are presented.
Сформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур.
Сформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Ядернo-физические методы и обработка данных
Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
Методика формування нанорозмiрних аморфно-мiкрокристалевих структур в монокристалiчному кремнiї випромiнюванням  
Методика формирования наноразмерных аморфно-микрокристаллических структур в монокристаллическом кремнии излучением
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
spellingShingle Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
Dovbnya, A.N.
Yefimov, V.P.
Abyzov, A.S.
Rybka, A.V.
Zakutin, V.V.
Reshetnyak, N.G.
Blinkin, A.A.
Romas’ko, V.P.
Ядернo-физические методы и обработка данных
title_short Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_full Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_fullStr Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_full_unstemmed Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_sort procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
author Dovbnya, A.N.
Yefimov, V.P.
Abyzov, A.S.
Rybka, A.V.
Zakutin, V.V.
Reshetnyak, N.G.
Blinkin, A.A.
Romas’ko, V.P.
author_facet Dovbnya, A.N.
Yefimov, V.P.
Abyzov, A.S.
Rybka, A.V.
Zakutin, V.V.
Reshetnyak, N.G.
Blinkin, A.A.
Romas’ko, V.P.
topic Ядернo-физические методы и обработка данных
topic_facet Ядернo-физические методы и обработка данных
publishDate 2009
language English
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Методика формування нанорозмiрних аморфно-мiкрокристалевих структур в монокристалiчному кремнiї випромiнюванням  
Методика формирования наноразмерных аморфно-микрокристаллических структур в монокристаллическом кремнии излучением
description Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are presented. Сформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур. Сформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96509
citation_txt Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT dovbnyaan procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
AT yefimovvp procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
AT abyzovas procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
AT rybkaav procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
AT zakutinvv procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
AT reshetnyakng procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
AT blinkinaa procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
AT romaskovp procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
AT dovbnyaan metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm
AT yefimovvp metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm
AT abyzovas metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm
AT rybkaav metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm
AT zakutinvv metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm
AT reshetnyakng metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm
AT blinkinaa metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm
AT romaskovp metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm
AT dovbnyaan metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem
AT yefimovvp metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem
AT abyzovas metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem
AT rybkaav metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem
AT zakutinvv metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem
AT reshetnyakng metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem
AT blinkinaa metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem
AT romaskovp metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem
first_indexed 2025-12-07T19:47:55Z
last_indexed 2025-12-07T19:47:55Z
_version_ 1850880164483825664

Similar Items