Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array
 of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n)
 photoconverter. Experimental results of apply...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96509 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin,
 N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862735373255311360 |
|---|---|
| author | Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. |
| author_facet | Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. |
| citation_txt | Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin,
 N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array
of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n)
photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are
presented.
Сформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з
об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати
застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур.
Сформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с
малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены
экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:47:55Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96509 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T19:47:55Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. 2016-03-17T20:23:42Z 2016-03-17T20:23:42Z 2009 Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin,
 N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96509 Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array
 of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n)
 photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are
 presented. Сформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з
 об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати
 застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур. Сформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с
 малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены
 экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Ядернo-физические методы и обработка данных Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon Методика формування нанорозмiрних аморфно-мiкрокристалевих структур в монокристалiчному кремнiї випромiнюванням Методика формирования наноразмерных аморфно-микрокристаллических структур в монокристаллическом кремнии излучением Article published earlier |
| spellingShingle | Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Ядернo-физические методы и обработка данных |
| title | Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon |
| title_alt | Методика формування нанорозмiрних аморфно-мiкрокристалевих структур в монокристалiчному кремнiї випромiнюванням Методика формирования наноразмерных аморфно-микрокристаллических структур в монокристаллическом кремнии излучением |
| title_full | Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon |
| title_fullStr | Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon |
| title_full_unstemmed | Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon |
| title_short | Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon |
| title_sort | procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon |
| topic | Ядернo-физические методы и обработка данных |
| topic_facet | Ядернo-физические методы и обработка данных |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96509 |
| work_keys_str_mv | AT dovbnyaan procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT yefimovvp procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT abyzovas procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT rybkaav procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT zakutinvv procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT reshetnyakng procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT blinkinaa procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT romaskovp procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT dovbnyaan metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm AT yefimovvp metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm AT abyzovas metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm AT rybkaav metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm AT zakutinvv metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm AT reshetnyakng metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm AT blinkinaa metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm AT romaskovp metodikaformuvannânanorozmirnihamorfnomikrokristalevihstrukturvmonokristaličnomukremniíviprominûvannâm AT dovbnyaan metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem AT yefimovvp metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem AT abyzovas metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem AT rybkaav metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem AT zakutinvv metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem AT reshetnyakng metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem AT blinkinaa metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem AT romaskovp metodikaformirovaniânanorazmernyhamorfnomikrokristalličeskihstrukturvmonokristalličeskomkremniiizlučeniem |