Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
Наведено результати комплексних дослiджень ефекту наноструктурування базових напiвпровiдникiв оптоелектронiки Si i GaAs, пiдданих дiї УЗ кавiтацiї в рiдкому азотi. Встановлено, що обробка напiвпровiдникових кристалiв GaAs та Si ультразвуком (1– 6 МГц, 15 Вт/см²), енергiя якого концентрується в кав...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2015
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96939 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi / Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2015. — № 7. — С. 70-78. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |