Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
Наведено результати комплексних дослiджень ефекту наноструктурування базових напiвпровiдникiв оптоелектронiки Si i GaAs, пiдданих дiї УЗ кавiтацiї в рiдкому азотi. Встановлено, що обробка напiвпровiдникових кристалiв GaAs та Si ультразвуком (1– 6 МГц, 15 Вт/см²), енергiя якого концентрується в кав...
Saved in:
| Date: | 2015 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2015
|
| Series: | Доповіді НАН України |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96939 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi / Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2015. — № 7. — С. 70-78. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |