Формирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоков

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Вербицкий, В.Г., Осинский, С.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98474
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Формирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоков / В. Г. Вербицкий,С.В. Осинский // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 49–53. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Приведены результаты исследований процессов формирования атомного состава нанослоев соединений А³В⁵ и их твердых растворов при молекулярно-лучевой эпитаксии из ионизированных потоков. Показана важная роль одновременной ионизации как элементов А³ , так и элементов В⁵ для компьютерного управления составом интерфейсов и нанослоев гетероструктур Наведені результати досліджень процесів формування атомного складу наношарів сполук А³В⁵ і їх твердих розчинів при молекулярно-променевій епітаксіїзіонізованих потоків. Показана важлива роль одночасної іонізації як елементів А³ , так і елементів В⁵ для комп’ютерного управління складом інтерфейсів і наношарів гетероструктур. The results of researches of formation processes of the atomic composition of A³B⁵ nanolayers in Molecular Beam Epitaxy from ion beams. It is shown important role of simultaneous ionization A³ and B⁵ elements for computer formation of composition of heterostructure interfaces and nanolayers.