Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He

С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое сопровождается умень...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Физическая инженерия поверхности
Date:	2004
Main Authors:	Воронов, Д.Л., Девизенко, А.Ю., Зубарев, Е.Н., Кондратенко, В.В., Пеньков, А.В., Севрюкова, В.А., Бобков, В.В., Перегон, Т.И., Тищенко, Л.П.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98475
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He / Д.Л. Воронов, А.Ю. Девизенко, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков , В.А. Севрюкова, В.В. Бобков, Т. И. Перегон, Л. П. Тищенко // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 54–59. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1859802390724608000
author	Воронов, Д.Л. Девизенко, А.Ю. Зубарев, Е.Н. Кондратенко, В.В. Пеньков, А.В. Севрюкова, В.А. Бобков, В.В. Перегон, Т.И. Тищенко, Л.П.
author_facet	Воронов, Д.Л. Девизенко, А.Ю. Зубарев, Е.Н. Кондратенко, В.В. Пеньков, А.В. Севрюкова, В.А. Бобков, В.В. Перегон, Т.И. Тищенко, Л.П.
citation_txt	Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He / Д.Л. Воронов, А.Ю. Девизенко, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков , В.А. Севрюкова, В.В. Бобков, Т. И. Перегон, Л. П. Тищенко // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 54–59. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Физическая инженерия поверхности
description	С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое сопровождается уменьшением толщиныслоев молибдена и кремния, возрастанием толщиныперемешанных зон и уменьшением их плотности. В многослойном покрытии развиваются сжимающие напряжения За допомогою рентгенівської дифракції та електронної мікроскопії поперечних зрізів досліджені структурні зміни в багатошарових періодичних композиціях Mo/Si під час опромінювання іонами He. Встановлено, що опромінювання викликає зменшення періоду багатошарової композиції, яке супроводжується зменшенням товщини шарів молібдену та кремнію, зростанням товщини перемішаних зон та зменшенням їх густини. В багатошаровому покритті розвиваються стискуючі напруги. The structural changes in Mo/Si multilayer coatings induced by He ions irradiation were studied. The electron microscopy of cross-sections and low-angle x-ray diffraction were used. It was shown that irradiation lead to shrinkage of multilayer’s period and thicknesses of Mo and Si layers, growth of mixed zones, decreasing of mixed zone density. Compressing stresses in the coating were formed during irradiation.
first_indexed	2025-12-07T15:13:46Z
format	Article
fulltext	ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 254 ВВЕДЕНИЕ Многослойные периодические пленочные ком- позиции (МПК) являются удобным объектом для изучения начальных стадий процессов межслое- вого взаимодействия при термическом или радиа- ционном воздействии [1, 2]. Картина малоугловой рентгеновской дифракции от таких структур, обу- словленная искусственной периодичностью, не- сет информацию о величине периода, толщинах отдельных слоев, плотности слоев, межслоевой шероховатости и т.д. [3]. Для облегчения теоре- тического моделирования рентгеновских спект- ров и повышения достоверности результатов важно уменьшить число варьируемых парамет- ров, используя данные о многослойной компо- зиции, полученные другими, прямыми методами, в частности, высокоразрешающей электронной микроскопией поперечных срезов. Совместное использование методов малоугловой рентгенов- ской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов при исследовании процессов межслоевого взаимодействия позволяет достичь разрешения по глубине на уровне 0,05 – 0,1 нм, что на 1 – 2 порядка лучше, чем для других мето- дов анализа, таких как обратное резерфордовское рассеяние [2] или Оже-спектроскопия с про- филированием по глубине [4]. В качестве объекта исследования нами была выбрана система Mo/Si. Многослойные рентге- новские зеркала Mo/Si являются перспективными для применения в проекционной рентгеновской литографии на длине волны 13,4 нм. Источником рентгеновского излучения в литографических системах является плазма, образующаяся при воз- действии лазерного излучения на твердую ми- шень, состоящую из ксенона или гелий-ксе- ноновой смеси [5]. При этом формируется поток ускоренных частиц, который воздействует на рентгенооптическое покрытие первого зеркала [6]. Знание последствий радиационного воздейст- вия является необходимым для прогнозирования оптических свойств и для разработки принципов повышения радиационной стойкости рентгенов- ских зеркал. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ Многослойные периодические покрытия Mo/Si с периодом 11,5 нм были изготовлены методом прямоточного магнетронного распыления на подложки из полированного кремния толщиной ~0,4 мм. Облучение ионами гелия с энергией 40 кэВ проводилось на линейном ускорителе с магнитным масс-сепаратором [7] при комнатной температуре с дозами от 3⋅1015 до 5⋅1016 см-2. Структура покрытия в исходном и облученном состоянии исследовалась с помощью высоко- разрешающей просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов и малоугловой рентгеновской дифракции с компьютерным мо- делированием дифракционных профилей. Период МПК определялся по профилям мало- угловой рентгеновской дифракции из уравнения Вульфа-Брегга с учетом преломления [3]. Съем- ка производилась в геометрии Θ – 2Θ в излучении Cu-Kα1. Поскольку не существует аналитичес- кого решения задачи определения параметров многослойного периодического покрытия по спектру рентгеновской дифракции (т.н. прямая задача), использовался метод подгонки, который позволяет решить обратную задачу. Путем пере- бора подбиралась такая комбинация параметров, описывающих многослойное покрытие, при ко- торой достигалось наилучшее совпадение теоре- тического и экспериментального дифракционных УДК 621.785.3:539.216.2 НАЧАЛЬНЫЕ СТАДИИ ПЕРЕМЕШИВАНИЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЯХ Mo/Si ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ИОНАМИ He Д.Л. Воронов, А.Ю. Девизенко, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков , В.А. Севрюкова, В.В. Бобков, Т. И. Перегон, Л. П. Тищенко* Национальный технический университет “ХПИ”, (Харьков) *Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина, Украина Поступила в редакцию 18.02.2004 С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое со- провождается уменьшением толщины слоев молибдена и кремния, возрастанием толщины перемешанных зон и уменьшением их плотности. В многослойном покрытии развиваются сжимающие напряжения. ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 55 профилей (рис. 1). В качестве подгоночных пара- метров использовались толщины и плотности слоев, шероховатости границ раздела. Теорети- ческие спектры малоугловой рентгеновской диф- ракции рассчитывались по методу рекуррентных соотношений [3]. В качестве начальных значений использова- лись толщины слоев, измеренные по электронно- микроскопическим изображениям. Затем в про- цессе подгонки эти толщины уточнялись, опре- делялись плотности слоев и шероховатость меж- фазных границ. Для моделирования ионно-лучевого переме- шивания использовалась программа TRIM2003 [8]. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ В исходном состоянии многослойное покрытие Mo/Si состоит из периодически чередующихся слоев аморфного кремния и поликристалличес- кого текстурированного молибдена, разделенных аморфными перемешанными зонами (рис. 2). Эти зоны образуются во время изготовления по- крытия в результате межслоевого диффузионного взаимодействия. Асимметрия толщин соседних перемешанных зон обусловлена различными ус- ловиями для диффузии в случае роста Mo на Si и Si на Mo [9]. Средний состав перемешанных зон в исходном состоянии близок по стехиометри- ческому составу к силициду молибдена MoSi2 [10]. Дифракционная картина от многослойного покрытия, полученная в Cu-Кα1 излучении на ма- лых углах падения – скольжения, содержит дос- таточно большое число порядков отражения (≥10), что повышает достоверность результатов подгонки экспериментальной и расчетной кри- вых. В табл. 1 приведены параметры много- слойного покрытия Mo/Si, в исходном состоянии, соответствующие наилучшему совпадению расчетного и экспериментального дифракцион- ных спектров малоугловой рентгеновской диф- ракции. Плотности кремния и перемешанных зон соответствуют табличным значениям, а плотность молибдена на 5 – 10 % ниже табличной плотно- сти. При облучении многослойной периодической композиции ионами гелия происходит взаимное перемешивание слоев на границах раздела. Со- гласно данным малоугловой рентгеновской ди- фракции заметные изменения в многослойном покрытии, обусловленные перемешиванием, на- блюдаются уже при дозе 3⋅1015 см-2. При дальней- шем увеличении дозы облучения взаимное пере- мешивание слоев проявляется в линейном увели- чении толщины аморфных перемешанных зон, уменьшении толщин слоев молибдена и кремния (рис. 3). Прирост толщины для каждой из пере- мешанных зон при максимальной дозе облучения составил ~1,2 нм (табл. 1). Учитывая большую разницу в атомных массах ионов и компонентов мишени, можно предположить, что в нашей сис- теме реализуется баллистическое перемешива- ние. При этом, как показывает расчет в TRIM, число первично выбитых атомов составляет ~40 % от общего числа смещенных. Остальной Рис. 1. Расчетный (1) и экспериментальный (2) профили рентгеновской дифракции на МПК Mo/Si на длине волны 0,154 нм. Рис. 2. Электронно-микроскопическое изображение попереч- ного среза МПК Mo/Si в исходном состоянии. Подложка внизу. Таблица 1 Параметры МПК Mo/Si в исходном и облученном состоянии Si h, нм Исходный Не+, 40 кэВ, 4⋅1016 см–2 Si на Mo h, нмρ, г/см3 ρ, г/см3 Mo Mo на Si 6,19 0,52 3,6 1,07 3,30 1,45 3,33 2,16 2,3 6,2 9,6 6,2 2,3 4,3 9,6 4,3 Д.Л. ВОРОНОВ, А.Ю. ДЕВИЗЕНКО, Е.Н. ЗУБАРЕВ, В.В. КОНДРАТЕНКО, А.В. ПЕНЬКОВ , В.А. СЕВРЮКОВА ... ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 256 вклад в перемешивание дают вторичные атомы отдачи и каскадные атомы отдачи [11]. При этом ~45% каскадов содержат от 1 до 6 смещенных атомов. Суммарное изменение толщин слоев пере- мешанных зон, кремния и молибдена приводит к уменьшению периода многослойного покрытия. Уменьшение периода, как было нами ранее ус- тановлено [12], линейно зависит от дозы облу- чения и составляет ~10% при дозе 5⋅1016 см–2. Как отмечалось выше, перемешанные зоны в исходном состоянии имеют состав близкий к MoSi2. Для того, чтобы поддерживать этот сос- тав при увеличении ширин зон в процессе пере- мешивания необходимо, как показывает расчет, чтобы соотношение между толщинами кремния и молибдена, которые участвуют в наращивании зон, было ~2,5:1. Это соотношение подтвержда- ется экспериментально при формировании ди- силицида молибдена MoSi2 в процессе отжига многослойных композиций Mo/Si [12]. При ион- но-лучевом облучении толщина кремния умень- шается примерно в 5 раз быстрее, чем толщина молибдена или в два раза быстрее, чем необ- ходимо для поддержания состава MoSi2. Это озна- чает, что в перемешанных зонах при облучении происходит уменьшение концентрации молиб- дена, а рост перемешанных зон в конечном итоге осуществляется преимущественно за счет пере- распределения атомов молибдена из перемешан- ных зон в слои кремния. В результате с увеличе- нием дозы облучения средняя плотность переме- шанных зон уменьшается и при дозе 4⋅1016 см-2 составляет ~4,3 г/см3. Обращает на себя внимание тот факт, что из 4-х типов межфазных границ в многослойной системе Mo/Si (Mo/MoSi2, MoSi2/Si, Si/MoSi2 и MoSi2/Mo) наиболее существенное перемешива- ние наблюдается на фазово-равновесных гра- ницах MoSi2/Si и Si/MoSi2. В то же время много- слойная система MoSi2/Si, составленная именно из таких границ раздела, как показали наши ис- следования, не претерпевает никаких изменений при облучении ионами с энергией 40 кэВ и с дозами 3⋅1015 – 1,5⋅1016 см–2. Такая устойчивость к ионному перемешиванию наблюдается и у других фазово-равновесных систем [1]. Переход от многослойной системы MoSi2/Si к системе Mo/Si формально означает введение прослойки Mo в слои MoSi2. Атомы молибдена, в процессе облучения перемещаясь из слоев молибдена в перемешанные зоны, нарушают фазовое равнове- сие на границах MoSi2/Si и Si/MoSi2. Участие слоев Mo в формировании конечной структуры многослойного покрытия Mo/Si в процессе ион- ного перемешивания является принципиальным, несмотря на малое изменение толщины самих слоев Mo по сравнению с толщинами слоев Si и перемешанных зон в этом процессе. Концентрационный профиль, рассчитанный с помощью программы TRIM2003 (рис. 4) пока- зывает, что в результате облучения должна сфор- мироваться перемешанная зона с градиентом концентраций. В то же время на электронно- микроскопическом изображении хорошо видны достаточно резкие границы перемешанных зон (рис. 5). При этом эти аморфные перемешанные зоны имеют смесь фазового и абсорбционного контраста. Моделирование дифракционных профилей так же не разрешает этого противоречия. Меж- слоевая шероховатость, которая является под- гоночным параметром при построении теорети- ческих дифракционных профилей, увеличивается при увеличении дозы облучения. Но, согласно [3], малая шероховатость границы раздела эквива- лентна градиенту концентрации. Поэтому увели- Рис. 3. Зависимость толщин слоев в МПК Mo/Si от дозы облучения по результатам моделирования дифракционных спектров. Рис.4. Рассчитанные с помощью TRIM 2003 концентра- ционные профили молибдена на границе Mo/MoSi2/Si в зависимости от дозы облучения. НАЧАЛЬНЫЕ СТАДИИ ПЕРЕМЕШИВАНИЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЯХ Mo/Si ПРИ ОБЛУЧЕНИИ... ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 57 чение шероховатости, наблюдаемое после облу- чения, на самом деле может быть вызвано как образованием перемешанных зон с неоднород- ным по толщине составом, так и увеличением шероховатости. Перемешивание слоев происходит неравно- мерно по толщине многослойного покрытия. Об этом свидетельствуют различия в толщинах одно- именных слоев по мере продвижения от поверх- ности покрытия к подложке. Как следует из рис. 5 толщины слоев кремния и молибдена умень- шаются вглубь образца, а толщины перемешан- ных зон увеличиваются. При дозе 4⋅1016 см-2 раз- личие в толщинах слоев для кремния и переме- шанных зон по толщине покрытия достигает ~20 – 30 %. В то же время толщина слоев молибдена изменяется незначительно, что согласуется с от- меченным выше малым расходом молибдена по сравнению с кремнием при ионном перемеши- вании. Период многослойного покрытия умень- шается от поверхности к подложке на ~3%. Не- однородность перемешивания по глубине хорошо коррелирует с расчетным распределением энер- гии, выделенной в столкновениях. Согласно рас- четам, выделение энергии линейно возрастает от поверхности к подложке [12], где наблюдается наибольшее перемешивание. Облучение ионами гелия сопровождается ге- нерацией сжимающих механических напряжений в многослойном покрытии Mo/Si. Под действием этих напряжений кремниевая подложка с мно- гослойным покрытием изгибается таким обра- зом, что покрытие располагается на выпуклой стороне. Радиус изгиба кремниевой подложки с многослойным покрытием составляет ~12 м при дозе облучения 3⋅1016 см-2. Изгиб подложки с по- крытием приводит к уширению всех дифракци- онных порядков отражения на картине малоугло- вой рентгеновской дифракции (рис. 6). Такое уширение дифрагированного пучка выглядит естественным при переходе к съемке выпуклого образца. Увеличение полуширины дифракци- онных максимумов становится заметным при дозе об- лучения 1,5⋅1016см-2. При увеличении дозы до 5⋅1016см-2 полуширина возрастает более, чем в два раза (рис. 7). Необходимо отметить, что воз- растание полуширины не может быть объяснено градиентом толщин слоев по глубине покрытия вследствие неравномерности процесса переме- Рис 5. Электронно-микроскопическое изображение попе- речного среза МПК Mo/Si после облучения ионами He+ с энергией 40 кэВ и дозой 4⋅1016 см-2. Подложка внизу. Рис. 6. Распределение толщин слоев по глубине МПК Mo/Si после облучения ионами He+ с энергией 40 кэВ и дозой 4⋅1016 см-2. Рис. 7. Зависимость полуширины дифракционного макси- мума 6-го порядка от дозы облучения. Д.Л.ВОРОНОВ, А.Ю. ДЕВИЗЕНКО, Е.Н. ЗУБАРЕВ, В.В. КОНДРАТЕНКО, А.В. ПЕНЬКОВ , В.А. СЕВРЮКОВА ... ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 258 шивания. Хорошее совпадение эксперименталь- ной и расчетной дифракционных кривых дости- гается при увеличении в процессе моделирова- ния угла расходимости дифрагированного рентге- новского пучка ∆Θ с 0,015° для исходного сос- тояния и при малых дозах облучения до 0,06° для дозы 4⋅1016 см–2. Оценка уровня напряжений в многослойном покрытии, выполненная на основании измерен- ного радиуса кривизны [14], дает для дозы облу- чения 4⋅1016 см-2 величину сжимающих напряже- ний ~2,9 ГПа. Такой уровень напряжений харак- терен для облученных гелием металлических пле- нок, в которых атомная концентрация гелия дос- тигает нескольких процентов [15]. В нашем слу- чае средняя концентрация гелия составляет ~2 – 4 ат. % (по данным расчета в TRIM 2003). Источ- ником напряжений могут быть как дефекты, обра- зовавшиеся при облучении, так и внедренные атомы гелия [13]. Сложность исследуемого объек- та (аморфная структура перемешанных зон и кремниевых слоев, невысокое кристаллическое совершенство молибденовых слоев, большое число межфазных границ раздела, наноразмерные толщины слоев) затрудняет изучение структур- ных превращений в многослойном покрытии, установление и локализацию источников гене- рируемых напряжений. Вместе с тем необходимо отметить, что полуширина дифракционного максимума (110) Мо после облучения дозой 4⋅1016 см–2 возросла на 15 %. Такое возрастание полуширины дифракционного пика только час- тично может быть объяснено уширением за счет уменьшения толщины слоя молибдена. Свой вклад в увеличение полуширины, по-видимому, могут давать и вторичные радиационные дефек- ты, образовавшиеся в слоях Мо [13]. Описанные выше структурные изменения в МПК Mo/Si, индуцируемые радиационным воз- действием, существенно ухудшают рентгено-оп- тические характеристики рентгеновских зеркал за счет изменения геометрии и оптических конс- тант слоев. ЗАКЛЮЧЕНИЕ Применение многослойной пленочной перио- дической композиции в сочетании с такими вза- имодополняющими методами как высокораз- решающая электронная микроскопия, малоуг- ловая рентгеновская дифракция и теоретическое моделирование рентгеновских спектров позволи- ли выявить следующие особенности начальных стадий ионного перемешивания многослойной периодической системы Mo/Si при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ и дозами 3⋅1015 – 5⋅1016 см–2 . 1. Процесс перемешивания сопровождается увеличением толщины перемешанных зон, уменьшением толщины слоев кремния, молиб- дена и периода в целом. Толщины перемешанных зон линейно возрастают с увеличением дозы об- лучения. Прирост перемешанных зон составляет ~1,2 нм и происходит преимущественно за счет их размытия в сторону слоев кремния и сопро- вождается снижением их плотности. 2. Ионное перемешивание происходит не- равномерно по толщине покрытия. Наиболее ин- тенсивно процесс идет вблизи подложки, где со- гласно расчетам наблюдается наибольшее выде- ление энергии при столкновениях. 3. Ионное перемешивание сопровождается ге- нерацией сжимающих механических напряжений, которые нарастают с увеличением дозы облуче- ния, достигая ~2,9 ГПа при дозе 4⋅1016 см–2. ЛИТЕРАТУРА 1. Nastasi M., Mayer J.W. Ion beam mixing in metallic and semiconductor materials //Material Science and Engineering. – 1994. – R 12. – P. 1 - 52 2. Bolse W. Ion-beam induced atomic transport through bi-layer interfaces of low- and medium-Z metals and their nitrides// Material Science and Engineering. – 1994. – R12. – P. 53 - 102 3. Зеркальная рентгеновская оптика /под ред. Виног- радова А.В. – Л.: ”Машиностроение”, 1989. – 463 c. 4. Konkol A, Sulyok A, Menyhard M. and Barna A. Auger indepth profiling of Mo-Si multilayers// Journal of Vacuum Science and Technology. – 1994. – A12. – P. 436 - 442. 5. Kubiak G.D. EUVL Cappilary Discharge Sourse// Second EUVL Source Workshop. – Santa-Clara. – 2001. 6. Spilller E. High performance multilayer coatings for EUV lithography // Proceedings of SPIE. – 2004. – Vol. 5193. – P. 89 - 97 7. Чечетенко В.В., Савчекнко Е.В., Фогель Я.М., Шкля-ров И.Н., Яровая Р.Г. Изучение влияния протонной бомбардировки на оптические посто- янные тонких металлических слоев//Оптика и спектроскопия. – 1967. – Т. 22, № 4. – С. 626- 629 8. Ziegler J. F., Biersack J. P. and Littmark U. The Stop- ping and Range of Ions in Solids. New York: ”Per- gamon Press”. – 1999. – 486 p. 9. Зубарев Е.Н., Кондратенко В.В., Польцева О.В., Севрюкова В.А., Федоренко А.И., Юлин С.А. Межфазные перемешанные зоны в сверхрешет- ках Mo-Si// Металлофизика и новейшие техноло- гии. – 1997. – Т.19, № 8. – C. 56 - 63 10. Yulin S., Feigl T., Kuhlmann T., Keiser N., Fedoren- ko A.I., Poltseva O.V., Sevryukova V.A., Zolota- НАЧАЛЬНЫЕ СТАДИИ ПЕРЕМЕШИВАНИЯ В МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕРИОДИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЯХ Mo/Si ПРИ ОБЛУЧЕНИИ... ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 59 rev A.Yu., Zubarev E.N. Interlayer transition zones in Mo/Si superlattices//Journal of Applied Physics.– 2002. – Vol. 92. – P. 1216 - 1220 11. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Буренков А.Ф. Ион- ная имплантация. – Мн.: “Университетское”, 1994.– 303 c. 12. Воронов Д.Л., Зубарев Е.Н., Кондратенко В.В., Пеньков А.В., Перегон Т. И., Тищенко Л. П. Ионно- лучевое перемешивание в многослойных рентге- новских зеркалах Mо/Si // Сборник докладов 14го Международного симпозиума “Тонкие пленки в оптике и электронике”. Харьков. – 2002. – Ч.2. – С. 168-175 13. Мюрарка Ш. Силициды для СБИС. – М.: ”Мир”, 1986. – 176 с. 14. Зубарев Е.Н., Козьма А.А., Стеценко А.Н., Федо- ренко А.И., Перегон Т.И., Тищенко Л.П. Влияние исходной структуры и напряжений на кинетику на- копления радиационных дефектов в тонких плен- ках ванадия // Вопросы атомной науки и техники. “Серия физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение”. – 1987. – Вып. 2(40). – С. 21 - 26. ПОЧАТКОВІ СТАДІЇ ПЕРЕМІШУВАННЯ В БАГАТОШАРОВИХ ПЕРІОДИЧНИХ ПОКРИТТЯХ Mo/Si ПРИ ОПРОМІНЕННІ ІОНАМИ He. Д.Л. Воронов, А.Ю. Девизенко, Е.Н. Зубарєв, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков, В.А. Севрюкова, В.В. Бобков, Т. І. Перегон, Л. П. Тищенко За допомогою рентгенівської дифракції та елект-ронної мікроскопії поперечних зрізів досліджені структурні зміни в багатошарових періодичних ком-позиціях Mo/Si під час опромінювання іонами He. Встановлено, що опромінювання викликає зменшення періоду багатошарової композиції, яке супровод-жується зменшенням товщини шарів молібдену та кремнію, зростанням товщини перемішаних зон та зменшенням їх густини. В багатошаровому покритті розвиваються стискуючі напруги. INITIAL STAGES OF INTERMIXING IN Mo/Si MULTILAYER COATINGS DURING He ION IRRADIATION D.L. Voronov, O.Yu. Devizenko, E.M. Zubaryev, V.V. Kondratenko, O.V. Penkov, V.A. Sevryukova, V.V. Bobkov, T.I. Peregon, L.P. Tishenko The structural changes in Mo/Si multilayer coatings induced by He ions irradiation were studied. The electron microscopy of cross-sections and low-angle x-ray dif- fraction were used. It was shown that irradiation lead to shrinkage of multilayer’s period and thicknesses of Mo and Si layers, growth of mixed zones, decreasing of mixed zone density. Compressing stresses in the coating were formed during irradiation. Д.Л.ВОРОНОВ, А.Ю. ДЕВИЗЕНКО, Е.Н. ЗУБАРЕВ, В.В. КОНДРАТЕНКО, А.В. ПЕНЬКОВ , В.А. СЕВРЮКОВА ...
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98475
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1999-8074
language	Russian
last_indexed	2025-12-07T15:13:46Z
publishDate	2004
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format	dspace
spelling	Воронов, Д.Л. Девизенко, А.Ю. Зубарев, Е.Н. Кондратенко, В.В. Пеньков, А.В. Севрюкова, В.А. Бобков, В.В. Перегон, Т.И. Тищенко, Л.П. 2016-04-15T07:24:11Z 2016-04-15T07:24:11Z 2004 Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He / Д.Л. Воронов, А.Ю. Девизенко, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков , В.А. Севрюкова, В.В. Бобков, Т. И. Перегон, Л. П. Тищенко // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 54–59. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98475 621.785.3:539.216.2 С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое сопровождается уменьшением толщиныслоев молибдена и кремния, возрастанием толщиныперемешанных зон и уменьшением их плотности. В многослойном покрытии развиваются сжимающие напряжения За допомогою рентгенівської дифракції та електронної мікроскопії поперечних зрізів досліджені структурні зміни в багатошарових періодичних композиціях Mo/Si під час опромінювання іонами He. Встановлено, що опромінювання викликає зменшення періоду багатошарової композиції, яке супроводжується зменшенням товщини шарів молібдену та кремнію, зростанням товщини перемішаних зон та зменшенням їх густини. В багатошаровому покритті розвиваються стискуючі напруги. The structural changes in Mo/Si multilayer coatings induced by He ions irradiation were studied. The electron microscopy of cross-sections and low-angle x-ray diffraction were used. It was shown that irradiation lead to shrinkage of multilayer’s period and thicknesses of Mo and Si layers, growth of mixed zones, decreasing of mixed zone density. Compressing stresses in the coating were formed during irradiation. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He Початкові стадії перемішування в багатошарових періодичних покриттях Mo / Si при опроміненні іонами He Initial stage of intermixing in Mo/Si multilayer coatings during He ion irradiation Article published earlier
spellingShingle	Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He Воронов, Д.Л. Девизенко, А.Ю. Зубарев, Е.Н. Кондратенко, В.В. Пеньков, А.В. Севрюкова, В.А. Бобков, В.В. Перегон, Т.И. Тищенко, Л.П.
title	Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
title_alt	Початкові стадії перемішування в багатошарових періодичних покриттях Mo / Si при опроміненні іонами He Initial stage of intermixing in Mo/Si multilayer coatings during He ion irradiation
title_full	Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
title_fullStr	Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
title_full_unstemmed	Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
title_short	Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
title_sort	начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях mo/si при облучении ионами he
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98475
work_keys_str_mv	AT voronovdl načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT devizenkoaû načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT zubareven načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT kondratenkovv načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT penʹkovav načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT sevrûkovava načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT bobkovvv načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT peregonti načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT tiŝenkolp načalʹnyestadiiperemešivaniâvmnogosloinyhperiodičeskihpokrytiâhmosiprioblučeniiionamihe AT voronovdl počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT devizenkoaû počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT zubareven počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT kondratenkovv počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT penʹkovav počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT sevrûkovava počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT bobkovvv počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT peregonti počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT tiŝenkolp počatkovístadííperemíšuvannâvbagatošarovihperíodičnihpokrittâhmosipriopromínennííonamihe AT voronovdl initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation AT devizenkoaû initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation AT zubareven initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation AT kondratenkovv initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation AT penʹkovav initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation AT sevrûkovava initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation AT bobkovvv initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation AT peregonti initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation AT tiŝenkolp initialstageofintermixinginmosimultilayercoatingsduringheionirradiation

Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He

Institution

Similar Items