Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2005
• Main Author: Ёдгорова, Д.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда
 р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности
 изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено,
 что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора. У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими
 дослідженнями закономірності зміни ємності
 p-n-переходу від напруги і характеристичного
 параметра установлено, що чим різкіше і тонше
 p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора. In the work the results of research of processes of pn-junction
 gates space charge layer expansion in the
 field transistor are given. By direct researches of
 change of р-n-junction capacity with voltage and
 characteristic parameter is established, that the more
 abruptly and the thiner р-n-junction on the higher
 steepness of the transfer characteristics of the field
 transistor, made on its base is.