Автоматизированная система оперативного контроля процесса плазмохимического травления в реакторе на базе ВЧ индукционного разряда

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2006
• 1. Verfasser: Дудин, С.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98794
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Автоматизированная система оперативного контроля процесса плазмохимического травления в реакторе на базе ВЧ индукционного разряда / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 169–173. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Описана система автоматического мониторинга технологического процесса плазмохимического травления в реакторе на базе ВЧ индукционного разряда, позволяющая в условиях интенсивных ВЧ помех измерять основные параметры процесса, отображать на экране компьютера их текущие значения и временные зависимости, а также записывать протокол технологического процесса. Описано систему автоматичного моніторингу технологічного процесу плазмохімічного травління в реакторі на базі ВЧ індукційного розряду, яка дозволяє в умовах інтенсивних ВЧ перешкод вимірювати основні параметри процесу, відображати на екрані комп’ютера їх поточнізначення та часові залежності, а також записувати протокол технологічного процесу. The system for automatic monitoring of the plasmachemical etching process in the ICP reactor is described, which in conditions of intense RF interference allows measuring the main process parameters, displaying the parameters and its time dependencies on the computer monitor as well as recording the protocol of the technology process.