Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних
 залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних
 напругах зміщення...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98911 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |