Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2010
• Автори: Григорчак, І.І., Войтович, С.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98911
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних
 залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних
 напругах зміщення прикладених до зразків. Побудована еквівалентна схема електричних процесів у таких системах. Синтезировано наноструктуры GaSe и ІnSe с включением нанослоев нитрита натрия и следующим замещением их на электролитические полимерные слои. Проанализировано изменение
 частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости, тангенса
 угла потерь при разных напряжениях смещения приложенных к образцам. Построена эквивалентная схема электрических процессов в этих системах. GaSe and InSe nanostructures with inserted Sodium Nitrite nanolayers were synthesized. Then NaNO2
 nanolayers were substituted by electrolytic polymer layers. The change in frequency dependences of
 specific resistance, permittivity and tangent of loss angle at different bias voltages applied to samples
 was analyzed. The equivalent circuit of electric processes in these systems was presented.