Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних
 залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних
 напругах зміщення...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98911 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862749595873837056 |
|---|---|
| author | Григорчак, І.І. Войтович, С.А. |
| author_facet | Григорчак, І.І. Войтович, С.А. |
| citation_txt | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних
залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних
напругах зміщення прикладених до зразків. Побудована еквівалентна схема електричних процесів у таких системах.
Синтезировано наноструктуры GaSe и ІnSe с включением нанослоев нитрита натрия и следующим замещением их на электролитические полимерные слои. Проанализировано изменение
частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости, тангенса
угла потерь при разных напряжениях смещения приложенных к образцам. Построена эквивалентная схема электрических процессов в этих системах.
GaSe and InSe nanostructures with inserted Sodium Nitrite nanolayers were synthesized. Then NaNO2
nanolayers were substituted by electrolytic polymer layers. The change in frequency dependences of
specific resistance, permittivity and tangent of loss angle at different bias voltages applied to samples
was analyzed. The equivalent circuit of electric processes in these systems was presented.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:01:01Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98911 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:01:01Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Григорчак, І.І. Войтович, С.А. 2016-04-19T14:00:06Z 2016-04-19T14:00:06Z 2010 Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98911 539.2:669.24 Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних
 залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних
 напругах зміщення прикладених до зразків. Побудована еквівалентна схема електричних процесів у таких системах. Синтезировано наноструктуры GaSe и ІnSe с включением нанослоев нитрита натрия и следующим замещением их на электролитические полимерные слои. Проанализировано изменение
 частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости, тангенса
 угла потерь при разных напряжениях смещения приложенных к образцам. Построена эквивалентная схема электрических процессов в этих системах. GaSe and InSe nanostructures with inserted Sodium Nitrite nanolayers were synthesized. Then NaNO2
 nanolayers were substituted by electrolytic polymer layers. The change in frequency dependences of
 specific resistance, permittivity and tangent of loss angle at different bias voltages applied to samples
 was analyzed. The equivalent circuit of electric processes in these systems was presented. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками Article published earlier |
| spellingShingle | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками Григорчак, І.І. Войтович, С.А. |
| title | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_full | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_fullStr | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_full_unstemmed | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_short | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_sort | квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2d-електронними і 2d-іонними прошарками |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98911 |
| work_keys_str_mv | AT grigorčakíí kvantovaêmnístʹtaprocesinakopičennâzarâduvnanostrukturahzpočergovimi2delektronnimií2díonnimiprošarkami AT voitovičsa kvantovaêmnístʹtaprocesinakopičennâzarâduvnanostrukturahzpočergovimi2delektronnimií2díonnimiprošarkami |