Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками
Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних напругах зміщення прикладених до...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98911 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98911 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Григорчак, І.І. Войтович, С.А. 2016-04-19T14:00:06Z 2016-04-19T14:00:06Z 2010 Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98911 539.2:669.24 Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних напругах зміщення прикладених до зразків. Побудована еквівалентна схема електричних процесів у таких системах. Синтезировано наноструктуры GaSe и ІnSe с включением нанослоев нитрита натрия и следующим замещением их на электролитические полимерные слои. Проанализировано изменение частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости, тангенса угла потерь при разных напряжениях смещения приложенных к образцам. Построена эквивалентная схема электрических процессов в этих системах. GaSe and InSe nanostructures with inserted Sodium Nitrite nanolayers were synthesized. Then NaNO2 nanolayers were substituted by electrolytic polymer layers. The change in frequency dependences of specific resistance, permittivity and tangent of loss angle at different bias voltages applied to samples was analyzed. The equivalent circuit of electric processes in these systems was presented. uk Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| spellingShingle |
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками Григорчак, І.І. Войтович, С.А. |
| title_short |
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_full |
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_fullStr |
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_full_unstemmed |
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками |
| title_sort |
квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2d-електронними і 2d-іонними прошарками |
| author |
Григорчак, І.І. Войтович, С.А. |
| author_facet |
Григорчак, І.І. Войтович, С.А. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
Синтезовано наноструктури GaSe та InSe з включенням нанопрошарків нітриту натрію та наступним заміщенням їх на електролітичні полімерні прошарки. Проаналізовано зміну частотних
залежностей питомого опору, діелектричної проникливості, тангенса кута втрат при різних
напругах зміщення прикладених до зразків. Побудована еквівалентна схема електричних процесів у таких системах.
Синтезировано наноструктуры GaSe и ІnSe с включением нанослоев нитрита натрия и следующим замещением их на электролитические полимерные слои. Проанализировано изменение
частотных зависимостей удельного сопротивления, диэлектрической проницаемости, тангенса
угла потерь при разных напряжениях смещения приложенных к образцам. Построена эквивалентная схема электрических процессов в этих системах.
GaSe and InSe nanostructures with inserted Sodium Nitrite nanolayers were synthesized. Then NaNO2
nanolayers were substituted by electrolytic polymer layers. The change in frequency dependences of
specific resistance, permittivity and tangent of loss angle at different bias voltages applied to samples
was analyzed. The equivalent circuit of electric processes in these systems was presented.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98911 |
| citation_txt |
Квантова ємність та процеси накопичення заряду в наноструктурах з почерговими 2D-електронними і 2D-іонними прошарками / І.І. Григорчак, С.А. Войтович // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 320–325. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT grigorčakíí kvantovaêmnístʹtaprocesinakopičennâzarâduvnanostrukturahzpočergovimi2delektronnimií2díonnimiprošarkami AT voitovičsa kvantovaêmnístʹtaprocesinakopičennâzarâduvnanostrukturahzpočergovimi2delektronnimií2díonnimiprošarkami |
| first_indexed |
2025-12-07T21:01:01Z |
| last_indexed |
2025-12-07T21:01:01Z |
| _version_ |
1850884763547598848 |