Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний
Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергети...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98962 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |