Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98962
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергетической плотности состояний и присутствия дискретных уровней в запрещенной зоне. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. Досліджено вплив температурного розширення енергетичних станів на температурну залежність ширини забороненої зони напівпровідника. Моделюванням процесу теплового розширення, числовим аналізом установлено, що коефіцієнт температурного змінювання ширини забороненої зони залежить від енергетичної щільності станів і присутності дискретних рівнів у забороненій зоні. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними. The effect of thermal broadening of energy states in the temperature dependence of the band gap of the semiconductor. Simulation of the thermal broadening, the numerical analysis showed that the rate of temperature change in the band gap depends on the energy density of states and the presence of discrete levels in the forbidden zone. The calculation results are in good agreement with experimental data.