Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний
Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового
 уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зав...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98962 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862734701183107072 |
|---|---|
| author | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| author_facet | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| citation_txt | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную
зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового
уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергетической плотности состояний и присутствия дискретных уровней в запрещенной зоне. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.
Досліджено вплив температурного розширення енергетичних станів на температурну залежність
ширини забороненої зони напівпровідника. Моделюванням процесу теплового розширення,
числовим аналізом установлено, що коефіцієнт температурного змінювання ширини забороненої
зони залежить від енергетичної щільності станів і присутності дискретних рівнів у забороненій
зоні. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними.
The effect of thermal broadening of energy states in the temperature dependence of the band gap of
the semiconductor. Simulation of the thermal broadening, the numerical analysis showed that the rate
of temperature change in the band gap depends on the energy density of states and the presence of
discrete levels in the forbidden zone. The calculation results are in good agreement with experimental
data.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:44:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98962 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:44:39Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. 2016-04-19T16:41:12Z 2016-04-19T16:41:12Z 2012 Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98962 539.21: 621.315.592 Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового
 уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергетической плотности состояний и присутствия дискретных уровней в запрещенной зоне. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными. Досліджено вплив температурного розширення енергетичних станів на температурну залежність
 ширини забороненої зони напівпровідника. Моделюванням процесу теплового розширення,
 числовим аналізом установлено, що коефіцієнт температурного змінювання ширини забороненої
 зони залежить від енергетичної щільності станів і присутності дискретних рівнів у забороненій
 зоні. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними. The effect of thermal broadening of energy states in the temperature dependence of the band gap of
 the semiconductor. Simulation of the thermal broadening, the numerical analysis showed that the rate
 of temperature change in the band gap depends on the energy density of states and the presence of
 discrete levels in the forbidden zone. The calculation results are in good agreement with experimental
 data. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний Article published earlier |
| spellingShingle | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний Гулямов, Г. Шарибаев, Н.Ю. |
| title | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_full | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_fullStr | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_full_unstemmed | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_short | Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| title_sort | температурная зависимость ширины запрещенной зоны si и связь с тепловым уширением плотности состояний |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98962 |
| work_keys_str_mv | AT gulâmovg temperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennoizonysiisvâzʹsteplovymušireniemplotnostisostoânii AT šaribaevnû temperaturnaâzavisimostʹširinyzapreŝennoizonysiisvâzʹsteplovymušireniemplotnostisostoânii |