Cover Image

Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний

Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную
 зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового
 уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зав...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2012
Main Authors: Гулямов, Г., Шарибаев, Н.Ю.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98962
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 221–225. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items