Фототранзистор составной на полевых транзисторах

• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А., Каманов, Б.М., Гиясова, Ф.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2012
• Schriftenreihe: Физическая инженерия поверхности
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98963
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Фототранзистор составной на полевых транзисторах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев, Б.М. Каманов, Ф.А. Гиясова // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 226–229. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении канала стокового транзистора ток инжекции через переход затвора увеличивается...