Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры
 с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сф...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99829 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862738671605645312 |
|---|---|
| author | Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
| author_facet | Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
| citation_txt | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры
с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформированы. Исследованы вольт-фарадные, вольтамперные
и шумовые характеристики структур. Структуры регистрировали α-частицы с энергией 5.482
MэВ от источника Am²⁴¹. Энергетическое разрешение R-структур составляет величину 22 ÷
29 кэВ при напряжениях смещения V = 5 − 8 В и T = 293 K. При повышении величины V происходит инжекция неосновных носителей в базу структур. Установлено, что источником инжекции электронов в базу является Мо-контакт и соединение MoO₃ вблизи него.
Для детекторів короткопробіжних частинок створені плівкові CdTe-детекторні структури з бар’єром Шоттки. Структури виготовлені на основі великоблочних p-CdTе плівок з питомим
опором ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаліити плівок розташовані ортогонально до площини Мо-підкладинки, на якій вони сформовані. Досліджені вольт-фарадні, вольтамперні та шумові характеристики
структур. Структури реєстрували α-частинки з енергією 5.482 MеВ від джерела Am²⁴¹. Енергетичний можливий розподіл R-структур становить величину 22 ÷ 29 кеВ при напругах зсуву
V = 5 − 8 В і T = 293 K. При підвищенні величини V відбувається інжекція неосновних носіїв у
базу структур. Установлено, що джерелом інжекції електронів у базу є Мо-контакт і з’єднання
MoO₃ поблизу нього.
At first for registration of nuclear radiation film CdTe-detector structures with Schottky barrier were
created. The structures are made on the basis of large block-p-CdTe films with resistivity ρ ∼ 10⁷
Om⋅cm. Crystallites of the films are orthogonal to plane of Mo-substrate on which they are formed. The
capacitance-voltage, current-voltage characteristics and an energy resolution of the structures were
measured and transport mechanisms of current carriers were defined for different values of bias voltage.
The structures registried α-particles with energy 5.482 MeV from source Am²⁴¹. Energy resolution
R of the structures was 22 ÷ 29 keV at T = 293 K. It is established that improving of the characteristics
of the detector structures associated with removal processes of an electron injection in
region of back Mo-contact. It was found that source of the electron injection аt high bias voltages are
Mo-contact and oxide MoO₃ between the film and the molybdenum contact.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:05:12Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99829 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:05:12Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. 2016-05-04T15:58:35Z 2016-05-04T15:58:35Z 2013 Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99829 53.043;53.023.539.234 Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры
 с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформированы. Исследованы вольт-фарадные, вольтамперные
 и шумовые характеристики структур. Структуры регистрировали α-частицы с энергией 5.482
 MэВ от источника Am²⁴¹. Энергетическое разрешение R-структур составляет величину 22 ÷
 29 кэВ при напряжениях смещения V = 5 − 8 В и T = 293 K. При повышении величины V происходит инжекция неосновных носителей в базу структур. Установлено, что источником инжекции электронов в базу является Мо-контакт и соединение MoO₃ вблизи него. Для детекторів короткопробіжних частинок створені плівкові CdTe-детекторні структури з бар’єром Шоттки. Структури виготовлені на основі великоблочних p-CdTе плівок з питомим
 опором ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаліити плівок розташовані ортогонально до площини Мо-підкладинки, на якій вони сформовані. Досліджені вольт-фарадні, вольтамперні та шумові характеристики
 структур. Структури реєстрували α-частинки з енергією 5.482 MеВ від джерела Am²⁴¹. Енергетичний можливий розподіл R-структур становить величину 22 ÷ 29 кеВ при напругах зсуву
 V = 5 − 8 В і T = 293 K. При підвищенні величини V відбувається інжекція неосновних носіїв у
 базу структур. Установлено, що джерелом інжекції електронів у базу є Мо-контакт і з’єднання
 MoO₃ поблизу нього. At first for registration of nuclear radiation film CdTe-detector structures with Schottky barrier were
 created. The structures are made on the basis of large block-p-CdTe films with resistivity ρ ∼ 10⁷
 Om⋅cm. Crystallites of the films are orthogonal to plane of Mo-substrate on which they are formed. The
 capacitance-voltage, current-voltage characteristics and an energy resolution of the structures were
 measured and transport mechanisms of current carriers were defined for different values of bias voltage.
 The structures registried α-particles with energy 5.482 MeV from source Am²⁴¹. Energy resolution
 R of the structures was 22 ÷ 29 keV at T = 293 K. It is established that improving of the characteristics
 of the detector structures associated with removal processes of an electron injection in
 region of back Mo-contact. It was found that source of the electron injection аt high bias voltages are
 Mo-contact and oxide MoO₃ between the film and the molybdenum contact. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки Тонкоплівкові детекторні CdTe-структури з бар’єром Шоттки Thin film cdte-structures with barrier Schottky Article published earlier |
| spellingShingle | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки Мирсагатов, Ш.А. Ачилов, А.С. Заверюхин, Б.Н. |
| title | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки |
| title_alt | Тонкоплівкові детекторні CdTe-структури з бар’єром Шоттки Thin film cdte-structures with barrier Schottky |
| title_full | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки |
| title_fullStr | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки |
| title_full_unstemmed | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки |
| title_short | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки |
| title_sort | тонкопленочные детекторные cdte-структуры с барьером шоттки |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99829 |
| work_keys_str_mv | AT mirsagatovša tonkoplenočnyedetektornyecdtestrukturysbarʹeromšottki AT ačilovas tonkoplenočnyedetektornyecdtestrukturysbarʹeromšottki AT zaverûhinbn tonkoplenočnyedetektornyecdtestrukturysbarʹeromšottki AT mirsagatovša tonkoplívkovídetektornícdtestrukturizbarêromšottki AT ačilovas tonkoplívkovídetektornícdtestrukturizbarêromšottki AT zaverûhinbn tonkoplívkovídetektornícdtestrukturizbarêromšottki AT mirsagatovša thinfilmcdtestructureswithbarrierschottky AT ačilovas thinfilmcdtestructureswithbarrierschottky AT zaverûhinbn thinfilmcdtestructureswithbarrierschottky |