Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках

У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
 плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
 потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки&#xd...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физическая инженерия поверхности
Дата:2013
Автори: Гулямов, Г., Гулямов, A.Г., Мажидова, Г.Н.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99834
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine