Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
 плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
 потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки
...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2013 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99834 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки
ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням.
В работе предложена модель тензочувствительной полупроводниковой пленки, согласно которой,
пленка рассматривается как система потенциальных барьеров. Рассмотрена тензочувствительность системы потенциальных барьеров. Показано, что модель согласно которой при деформации меняется только ширина потенциального барьера может объяснить аномально большие значения коэффициента тензочувствительности тонких пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃, полученных
вакуумным напылением
In the work proposed model of the tensosensitive semiconductor film according to which, the film is
considered as system of potential barriers. It is considered tensosensitive systems of potential barriers.
It is shown that the model according to which at deformation varies only width of a potential
barrier can explain is abnormal great values of factor tensosensitive thin film Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃, receptions
by a vacuum dusting.
|
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |