Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного б...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99834 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-99834 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. 2016-05-04T16:17:38Z 2016-05-04T16:17:38Z 2013 Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99834 539.21: 621.315.592 У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням. В работе предложена модель тензочувствительной полупроводниковой пленки, согласно которой, пленка рассматривается как система потенциальных барьеров. Рассмотрена тензочувствительность системы потенциальных барьеров. Показано, что модель согласно которой при деформации меняется только ширина потенциального барьера может объяснить аномально большие значения коэффициента тензочувствительности тонких пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃, полученных вакуумным напылением In the work proposed model of the tensosensitive semiconductor film according to which, the film is considered as system of potential barriers. It is considered tensosensitive systems of potential barriers. It is shown that the model according to which at deformation varies only width of a potential barrier can explain is abnormal great values of factor tensosensitive thin film Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃, receptions by a vacuum dusting. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| spellingShingle |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. |
| title_short |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_full |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_fullStr |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_full_unstemmed |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_sort |
тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| author |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. |
| author_facet |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. |
| publishDate |
2013 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| description |
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки
ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням.
В работе предложена модель тензочувствительной полупроводниковой пленки, согласно которой,
пленка рассматривается как система потенциальных барьеров. Рассмотрена тензочувствительность системы потенциальных барьеров. Показано, что модель согласно которой при деформации меняется только ширина потенциального барьера может объяснить аномально большие значения коэффициента тензочувствительности тонких пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃, полученных
вакуумным напылением
In the work proposed model of the tensosensitive semiconductor film according to which, the film is
considered as system of potential barriers. It is considered tensosensitive systems of potential barriers.
It is shown that the model according to which at deformation varies only width of a potential
barrier can explain is abnormal great values of factor tensosensitive thin film Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃, receptions
by a vacuum dusting.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99834 |
| citation_txt |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gulâmovg tenzorezistivnyiéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah AT gulâmovag tenzorezistivnyiéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah AT mažidovagn tenzorezistivnyiéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah |
| first_indexed |
2025-12-07T20:20:51Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:20:51Z |
| _version_ |
1850882235862876160 |