Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2013
• Main Authors: Гулямов, Г., Гулямов, A.Г., Мажидова, Г.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99834
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
 плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
 потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки&#xd...