Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Гулямов, Г., Гулямов, A.Г., Мажидова, Г.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99834
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
 плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
 потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки&#xd...