SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures
SIMS measurements and thermal effusion experiments were performed to study the distribution and thermal stability of deuterium in SOI structures fabricated by zone melting recrystallization technique. It was found that the disordered structure at the silicon-buried oxide interfaces is directly relat...
Gespeichert in:
| Datum: | 1998 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
oai:nasplib.isofts.kiev.ua:123456789-114678 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
oai:nasplib.isofts.kiev.ua:123456789-1146782025-02-23T17:08:21Z SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах SIMS Исследования распределения дейтерия и температурная стабильность в ZMR SOI структурах Boutry-Forveille, A. Ballutaud, D. Nazarov, A.N. SIMS measurements and thermal effusion experiments were performed to study the distribution and thermal stability of deuterium in SOI structures fabricated by zone melting recrystallization technique. It was found that the disordered structure at the silicon-buried oxide interfaces is directly related to the distribution of deuterium in the SOI system. The diffusion coefficient of deuterium in the top silicon layer at 250°C was determined. For the first time, the high-temperature (up to 600°C) stability of deuterium in the buried oxide was demonstrated, without any diffision into silicon layers. У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв.язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250°С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600°С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів. В работе методами вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и термостимулированной десорбции дейтерия изучались распределение дейтерия и его термическая стабильность в структурах кремния-на-изоляторе (КНИ), изготовленных с помощью технологии зонной лазерной рекристаллизации поликремния. Показано существование прямой связи между разупорядочением структуры на границах кремний-внутренний окисел и распределением дейтерия в КНИ системе. Определен коэффициент диффузии дейтерия в рекристаллизованном слое кремния при 250°С. Впервые продемонстрирована высокотемпературная стабильность дейтерия (до 600°С включительно) во внутреннем окисле КНИ структуры при отсутствии диффузии дейтерия в кремниевые слои. The authors would like to thank Professor E. I. Givargizov and Dr. A. B. Limanov (Institute of Crystallography RAS, Moscow, Russia) for useful discussions and for the samples provided. This work was performed in the framework of CNRS project N5736. One of the authors (A.N.N.) appreciates partial financial support provided by CRDF (CRDF project UP2-291). 1998 Article SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. 1560-8034 PACS 85.40. https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/114678 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
SIMS measurements and thermal effusion experiments were performed to study the distribution and thermal stability of deuterium in SOI structures fabricated by zone melting recrystallization technique. It was found that the disordered structure at the silicon-buried oxide interfaces is directly related to the distribution of deuterium in the SOI system. The diffusion coefficient of deuterium in the top silicon layer at 250°C was determined. For the first time, the high-temperature (up to 600°C) stability of deuterium in the buried oxide was demonstrated, without any diffision into silicon layers. |
| format |
Article |
| author |
Boutry-Forveille, A. Ballutaud, D. Nazarov, A.N. |
| spellingShingle |
Boutry-Forveille, A. Ballutaud, D. Nazarov, A.N. SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| author_facet |
Boutry-Forveille, A. Ballutaud, D. Nazarov, A.N. |
| author_sort |
Boutry-Forveille, A. |
| title |
SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_short |
SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_full |
SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_fullStr |
SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_full_unstemmed |
SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures |
| title_sort |
sims study of deuterium distribution and thermal stability in zmr soi structures |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1998 |
| citation_txt |
SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A.N. Nazarov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 108-111. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
| series |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| work_keys_str_mv |
AT boutryforveillea simsstudyofdeuteriumdistributionandthermalstabilityinzmrsoistructures AT ballutaudd simsstudyofdeuteriumdistributionandthermalstabilityinzmrsoistructures AT nazarovan simsstudyofdeuteriumdistributionandthermalstabilityinzmrsoistructures AT boutryforveillea simsdoslídžennârozpodíludejteríâítemperaturnoístabílʹnostívzmrsoistrukturah AT ballutaudd simsdoslídžennârozpodíludejteríâítemperaturnoístabílʹnostívzmrsoistrukturah AT nazarovan simsdoslídžennârozpodíludejteríâítemperaturnoístabílʹnostívzmrsoistrukturah AT boutryforveillea simsissledovaniâraspredeleniâdejteriâitemperaturnaâstabilʹnostʹvzmrsoistrukturah AT ballutaudd simsissledovaniâraspredeleniâdejteriâitemperaturnaâstabilʹnostʹvzmrsoistrukturah AT nazarovan simsissledovaniâraspredeleniâdejteriâitemperaturnaâstabilʹnostʹvzmrsoistrukturah |
| first_indexed |
2025-07-22T04:09:14Z |
| last_indexed |
2025-07-22T04:09:14Z |
| _version_ |
1838318727383220224 |