Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe

• Date: 2009
• Main Authors: Квон, З.Д., Ольшанецкий, Е.Б., Михайлов, Н.Н., Козлов, Д.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Series: Физика низких температур
• Subjects: XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe / З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, Д.А. Козлов // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 10-20. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.

Дан краткий обзор результатов изучения свойств двумерных электронных систем (ДЭС) в квантовых ямах (КЯ) на основе двойного гетероперехода CdHgTe/HgTe/CdHgTe с ориентацией поверхности (100) и (013). Описаны основные особенности энергетического спектра. Приведены результаты экспериментов, позволяющие...