Buchumschlag

SHORT - рядка AgGaS2 (SE2) аморфна сполук і епітаксійного росту плівок На їх базі С надбудовних клітин

The short-range order parameters of AgGaS2(Se2) thin amorphous films have been investigated. The interatomic distances and numbers of the nearest neighbors have been determined from the atom radial distribution curves. It is shown, that the matrices of amorphous films consists from tetrahedral and o...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Kasimov, F. D., Mamedova, A. CH., Alakbarova, E. E., Ismailov, D.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Vinnytsia National Technical University 2013
Online Zugang:	https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/16
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Optoelectronic Information-Power Technologies

Institution

Optoelectronic Information-Power Technologies

Ähnliche Einträge

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
von: Moroz, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
von: Barchiy, Igor, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
von: Pashayev, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
von: Sabov, Viktoria, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Дослідження методом РФС поверхні нанопорошків TiO2:Ag
von: Korduban, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4
von: Maystruk, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

MILLIMETER AND SUB-MILLIMETER-WAVE SPECTRUM OF SELENIUM DIOXIDE, SeO2
von: Alekseev, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Kinematics of formation of the western and central parts of the Ukrainian shield between 2,02—2,05 Ga ago
von: Mychak, S.V.
Veröffentlicht: (2015)

Расчет числа образующих полиномов для регистров сдвига с нелинейной обратной связью с нелинейностью произвольного по-рядка
von: Полуяненко, Николай Aлександрович
Veröffentlicht: (2017)

Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фотоелектрохімічні властивості наноструктурованих фотоелектродів TiО2/CdSe для систем одержання водню
von: Slobodyanyuk, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
von: Rusetskii, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Melts and fluids evolution in the process of crust and mantle formation in Paleo-Proterozoic (2,2—1,75 Ga ago). Stratigraphy and magnetic activity
von: Usenko, O. V.
Veröffentlicht: (2017)

Структура та стабільність MnOx-Na2WO4/SiO2 каталізатора окиснювальної конденсації метану
von: Osmanova, Sevinj, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Kovalyuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
von: Zozulia, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2024)

THE PALEOARCHEAN (3.3 Ga) AND MESOARCHEAN (3.0 Ga) TTGs OF THE WESTERN AZOV AREA, THE UKRAINIAN SHIELD
von: Артеменко, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
von: Paschenko, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO–Ag методом ТВЭ-кривых
von: Lyashkov, A. Yu.
Veröffentlicht: (2013)

Оптичні властивості та РФЕС-характеризація біметалічних наночастинок Ag/Au в пористих сілікатних золь-гель плівках
von: Eremenko, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

ВИВЧЕННЯ ПОВЕДІНКИ GaN У КОНТАКТІ З Fe, Fe2-4N і Co/Cr ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ і ТЕМПЕРАТУРАХ
von: Петруша, І. A., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Optical Recording of Micro- and Nano- Relief Structures on Inorganic Resists Ge-Se
von: Indutny, I. Z., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Розробка способу кількісного визначення складу магнітного нанокомпозиту Ag@Fe3O4
von: Chan, T. M, et al.
Veröffentlicht: (2016)

ТЕРМОДИНАМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СРІБЛОВМІСНИХ СПОЛУК СИСТЕМИ Ag–Fe–Sn–S, ОТРИМАНИХ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИМ ТВЕРДОФАЗНИМ СИНТЕЗОМ
von: Moroz , Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2020)

MICROHARDNESS OF CERAMIC MATERIALS BASED ON Ge-DOPED ARGYRODITE Ag6PS5I
von: Filep, Michael, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)