SHORT - рядка AgGaS2 (SE2) аморфна сполук і епітаксійного росту плівок На їх базі С надбудовних клітин
The short-range order parameters of AgGaS2(Se2) thin amorphous films have been investigated. The interatomic distances and numbers of the nearest neighbors have been determined from the atom radial distribution curves. It is shown, that the matrices of amorphous films consists from tetrahedral and o...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Kasimov, F. D., Mamedova, A. CH., Alakbarova, E. E., Ismailov, D.I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Vinnytsia National Technical University
2013
|
| Онлайн доступ: | https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/16 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Optoelectronic Information-Power Technologies |
Репозитарії
Optoelectronic Information-Power TechnologiesСхожі ресурси
-
Crystal structure of AgGa2Se3Cl(Br) compounds
за авторством: I. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2022) -
Ентропійні способи вибору предиктора для рядка пікселів у форматі PNG
за авторством: Бомба, А.Я., та інші
Опубліковано: (2010) -
Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
за авторством: Вакарюк, Т.Є., та інші
Опубліковано: (2013) -
Comparative testing of zeolite catalyst and acidic oxide ZrO2–SiO2 in cracking of vacuum gas oil
за авторством: V. V. Brej, та інші
Опубліковано: (2013) -
Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system
за авторством: Halyan, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)