ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ

In the work proposes an increase in the time of the coherent state at room temperature by using quantum dots inside the single crystal structure with a large band gap, in particular, direct-gap materials or aluminum gallium nitride grown in nanoreactors anodic aluminum oxide or silicon oxide , resul...

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2021
Hauptverfasser: Осинский, В. И., Масол, И. В., Оначенко, М. С., Суший, А. В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Vinnytsia National Technical University 2021
Schlagworte:
Online Zugang:https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/334
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Назва журналу:Optoelectronic Information-Power Technologies

Institution

Optoelectronic Information-Power Technologies