ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ

ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ

In the work proposes an increase in the time of the coherent state at room temperature by using quantum dots inside the single crystal structure with a large band gap, in particular, direct-gap materials or aluminum gallium nitride grown in nanoreactors anodic aluminum oxide or silicon oxide , resul...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2021
Hauptverfasser: Осинский, В. И., Масол, И. В., Оначенко, М. С., Суший, А. В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Vinnytsia National Technical University 2021
Schlagworte:
декогерентизація
квантові точки
кубіт
нітриди
самоорганізовані структури.
Online Zugang:https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/334
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Optoelectronic Information-Power Technologies

Institution

Optoelectronic Information-Power Technologies
id oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-334
record_format ojs
spelling oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-3342016-07-04T09:05:31Z DECOHERENCE III-N NIZKORAZMERNYE NANOSTRUCTURES QUANTUM PROCESSOR ДЕКОГЕРЕНТИЗАЦИЯ ІІІ-N НИЗКОРАЗМЕРНЫХ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВЫХ ПРОЦЕССОРОВ ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ Осинский, В. И. Масол, И. В. Оначенко, М. С. Суший, А. В. decoherence quantum dots a qubit nitrides self- organized structures декогерентизация квантовые точки кубит нитриды самоорганизованные структуры декогерентизація квантові точки кубіт нітриди самоорганізовані структури. In the work proposes an increase in the time of the coherent state at room temperature by using quantum dots inside the single crystal structure with a large band gap, in particular, direct-gap materials or aluminum gallium nitride grown in nanoreactors anodic aluminum oxide or silicon oxide , resulting in the pores of alumina . Our results show the effectiveness of such self-organized structures in order to create arrays of quantum dots that are resistant to decoherence processes. In comparison with other technologies for building a quantum computer, the use of wide-band direct-gap materials provides defect-free operation of the devices at room temperature. В работе предлагается увеличение времени когерентного состояния при комнатных температурах использованием квантовых точек внутри монокристаллической структуры с большой шириной запрещенной зоны, в частности, прямозонных материалов нитрида галлия или алюминия, выращенных в нанореакторах анодного оксида алюминия или оксида кремния, полученного в порах оксида алюминия. Наши результаты показывают эффективность применения таких самоорганизованных структур с целью создания массивов квантовых точек, устойчивых к процессам декогерентизации. В сравнении с другими технологиями создания квантового компьютера, использование широкозонных прямозонных бездефектных материалов обеспечивает работу устройств при комнатной температуре. У роботі пропонується збільшення часу когерентного стану при кімнатних температурах використанням квантових точок всередині монокристаллической структури з великою шириною забороненої зони, зокрема, прямозоні матеріалів нітриду галію або алюмінію, вирощених в нанореакторах анодного оксиду алюмінію або оксиду кремнію, отриманого в порах оксиду алюмінію. Наші результати показують ефективність застосування таких самоорганізованих структур з метою створення масивів квантових точок, стійких до процесів декогеренції. У порівнянні з іншими технологіями створення квантового комп'ютера, використання широкозонних прямозоні бездефектних матеріалів забезпечує роботу пристроїв при кімнатній температурі. Vinnytsia National Technical University 2021-01-13 Article Article application/pdf https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/334 Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 27 No. 1 (2014); 62-72 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 27 № 1 (2014); 62-72 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 27 № 1 (2014); 62-72 2311-2662 1681-7893 ru https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/334/332 Авторське право (c) 2015 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї
institution Optoelectronic Information-Power Technologies
baseUrl_str
datestamp_date 2016-07-04T09:05:31Z
collection OJS
language Russian
topic декогерентизація
квантові точки
кубіт
нітриди
самоорганізовані структури.
spellingShingle декогерентизація
квантові точки
кубіт
нітриди
самоорганізовані структури.
Осинский, В. И.
Масол, И. В.
Оначенко, М. С.
Суший, А. В.
ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ
topic_facet decoherence
quantum dots
a qubit
nitrides
self- organized structures
декогерентизация
квантовые точки
кубит
нитриды
самоорганизованные структуры
декогерентизація
квантові точки
кубіт
нітриди
самоорганізовані структури.
format Article
author Осинский, В. И.
Масол, И. В.
Оначенко, М. С.
Суший, А. В.
author_facet Осинский, В. И.
Масол, И. В.
Оначенко, М. С.
Суший, А. В.
author_sort Осинский, В. И.
title ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ
title_short ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ
title_full ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ
title_fullStr ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ
title_full_unstemmed ДЕКОГЕРЕНЦІЇ ІІІ-N НИЗЬКОРОЗМІРНІ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВИХ ПРОЦЕСОРІВ
title_sort декогеренції ііі-n низькорозмірні наноструктур квантових процесорів
title_alt DECOHERENCE III-N NIZKORAZMERNYE NANOSTRUCTURES QUANTUM PROCESSOR
ДЕКОГЕРЕНТИЗАЦИЯ ІІІ-N НИЗКОРАЗМЕРНЫХ НАНОСТРУКТУР КВАНТОВЫХ ПРОЦЕССОРОВ
description In the work proposes an increase in the time of the coherent state at room temperature by using quantum dots inside the single crystal structure with a large band gap, in particular, direct-gap materials or aluminum gallium nitride grown in nanoreactors anodic aluminum oxide or silicon oxide , resulting in the pores of alumina . Our results show the effectiveness of such self-organized structures in order to create arrays of quantum dots that are resistant to decoherence processes. In comparison with other technologies for building a quantum computer, the use of wide-band direct-gap materials provides defect-free operation of the devices at room temperature.
publisher Vinnytsia National Technical University
publishDate 2021
url https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/334
work_keys_str_mv AT osinskijvi decoherenceiiinnizkorazmernyenanostructuresquantumprocessor
AT masoliv decoherenceiiinnizkorazmernyenanostructuresquantumprocessor
AT onačenkoms decoherenceiiinnizkorazmernyenanostructuresquantumprocessor
AT sušijav decoherenceiiinnizkorazmernyenanostructuresquantumprocessor
AT osinskijvi dekogerentizaciâííínnizkorazmernyhnanostrukturkvantovyhprocessorov
AT masoliv dekogerentizaciâííínnizkorazmernyhnanostrukturkvantovyhprocessorov
AT onačenkoms dekogerentizaciâííínnizkorazmernyhnanostrukturkvantovyhprocessorov
AT sušijav dekogerentizaciâííínnizkorazmernyhnanostrukturkvantovyhprocessorov
AT osinskijvi dekogerencííííínnizʹkorozmírnínanostrukturkvantovihprocesorív
AT masoliv dekogerencííííínnizʹkorozmírnínanostrukturkvantovihprocesorív
AT onačenkoms dekogerencííííínnizʹkorozmírnínanostrukturkvantovihprocesorív
AT sušijav dekogerencííííínnizʹkorozmírnínanostrukturkvantovihprocesorív
first_indexed 2025-09-24T17:29:02Z
last_indexed 2025-09-24T17:29:02Z
_version_ 1850410229216313344

Ähnliche Einträge