Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу

• Дата: 2020
• Автори: Осадчук, Александр Владимирович, Осадчук, Володимир Степанович, Осадчук, Ярослав Александрович
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Vinnytsia National Technical University 2020
• Теми: напівпровідникові сенсори газу; газореактівний ефект; реактивні властивості напівпровідників; повний опір; приповерхневий шар
• Онлайн доступ: https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560
• Назва журналу: Optoelectronic Information-Power Technologies

In the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the impedance of the surface layer of a...