Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу

In the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the impedance of the surface layer of a...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2020
Hauptverfasser:	Осадчук, Александр Владимирович, Осадчук, Володимир Степанович, Осадчук, Ярослав Александрович
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Vinnytsia National Technical University 2020
Schlagworte:	напівпровідникові сенсори газу газореактівний ефект реактивні властивості напівпровідників повний опір приповерхневий шар
Online Zugang:	https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Optoelectronic Information-Power Technologies

Institution

Optoelectronic Information-Power Technologies

id	oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-560
record_format	ojs
spelling	oai:oeipt.vntu.edu.ua:article-5602020-04-17T13:28:49Z Mathematical modeling of the physical mechanism of the formation of a bulk surface charge in semiconductors for intelligent frequency sensors for gas concentration Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу Осадчук, Александр Владимирович Осадчук, Володимир Степанович Осадчук, Ярослав Александрович semiconductor gas sensors gas-reactive effect reactive properties of semiconductors impedance surface layer напівпровідникові сенсори газу газореактівний ефект реактивні властивості напівпровідників повний опір приповерхневий шар полупроводниковые сенсоры газа газореактивный эффект реактивные свойства полупроводников полное сопротивление приповерхностный слой In the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the impedance of the surface layer of a semiconductor gas-sensitive element during the adsorption of gas molecules. Excess charge carriers during adsorption change the distribution of the electrostatic surface potential in the space charge layer. The solution of the Poisson equation made it possible to obtain expressions for the active component of the impedance on the surface of the electron and hole semiconductors of gas-sensitive sensors during the adsorption of gas molecules. An experimental dependence of a change in the resistance of a semiconductor gas-sensitive sensor based on ZnO on a change in methane concentration is presented. В работе рассмотрена математическая модель физического механизма возникновения объемного приповерхностного заряда в полупроводниках в первичных газочувствительных полупроводниковых сенсорах, описывающая зависимость активной составляющей полного сопротивления приповерхностного слоя полупроводникового газочувствительного элемента при адсорбции молекул газа. Избыточные носители заряда при адсорбции изменяют распределение электростатического поверхностного потенциала в слое пространственного заряда. Решение уравнения Пуассона позволило получить выражения для активной составляющей полного сопротивления на поверхности электронного и дырочного полупроводников газочувствительных сенсоров при адсорбции молекул газа. Представлена экспериментальная зависимость изменения сопротивления полупроводникового газочувствительного сенсора на основе ZnO от изменения концентрации метана. В роботі розглянута математична модель фізичного механізму виникнення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках в первинних газочутливих напівпровідникових сенсорах, що описує залежність активної складової повного опору приповерхневого шару напівпровідникового газочутливого елемента за адсорбції молекул газу. Надлишкові носії заряду за адсорбції змінюють розподіл електростатичного поверхневого потенціалу в шарі просторового заряду. Розв’язання рівняння Пуассона дозволило отримати вирази для активної складової повного опору на поверхні електронного та діркового напівпровідників газочутливих сенсорів за адсорбції молекул газу. Подана експериментальна залежність зміни опору напівпровідникового газочутливого сенсора на основі ZnO від зміни концентрації метану. Vinnytsia National Technical University 2020-03-12 Article Article application/pdf https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560 10.31649/1681-7893-2019-38-2-107-112 Optoelectronic Information-Power Technologies; Vol. 38 No. 2 (2019); 107-112 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 38 № 2 (2019); 107-112 Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї; Том 38 № 2 (2019); 107-112 2311-2662 1681-7893 ru https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560/523
institution	Optoelectronic Information-Power Technologies
baseUrl_str
datestamp_date	2020-04-17T13:28:49Z
collection	OJS
language	Russian
topic	напівпровідникові сенсори газу газореактівний ефект реактивні властивості напівпровідників повний опір приповерхневий шар
spellingShingle	напівпровідникові сенсори газу газореактівний ефект реактивні властивості напівпровідників повний опір приповерхневий шар Осадчук, Александр Владимирович Осадчук, Володимир Степанович Осадчук, Ярослав Александрович Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
topic_facet	semiconductor gas sensors gas-reactive effect reactive properties of semiconductors impedance surface layer напівпровідникові сенсори газу газореактівний ефект реактивні властивості напівпровідників повний опір приповерхневий шар полупроводниковые сенсоры газа газореактивный эффект реактивные свойства полупроводников полное сопротивление приповерхностный слой
format	Article
author	Осадчук, Александр Владимирович Осадчук, Володимир Степанович Осадчук, Ярослав Александрович
author_facet	Осадчук, Александр Владимирович Осадчук, Володимир Степанович Осадчук, Ярослав Александрович
author_sort	Осадчук, Александр Владимирович
title	Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
title_short	Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
title_full	Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
title_fullStr	Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
title_full_unstemmed	Математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
title_sort	математичне моделювання фізичного механізму утворення об'ємного приповерхневого заряду в напівпровідниках для інтелектуальних частотних сенсорів концентрації газу
title_alt	Mathematical modeling of the physical mechanism of the formation of a bulk surface charge in semiconductors for intelligent frequency sensors for gas concentration Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа
description	In the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the impedance of the surface layer of a semiconductor gas-sensitive element during the adsorption of gas molecules. Excess charge carriers during adsorption change the distribution of the electrostatic surface potential in the space charge layer. The solution of the Poisson equation made it possible to obtain expressions for the active component of the impedance on the surface of the electron and hole semiconductors of gas-sensitive sensors during the adsorption of gas molecules. An experimental dependence of a change in the resistance of a semiconductor gas-sensitive sensor based on ZnO on a change in methane concentration is presented.
publisher	Vinnytsia National Technical University
publishDate	2020
url	https://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/560
work_keys_str_mv	AT osadčukaleksandrvladimirovič mathematicalmodelingofthephysicalmechanismoftheformationofabulksurfacechargeinsemiconductorsforintelligentfrequencysensorsforgasconcentration AT osadčukvolodimirstepanovič mathematicalmodelingofthephysicalmechanismoftheformationofabulksurfacechargeinsemiconductorsforintelligentfrequencysensorsforgasconcentration AT osadčukâroslavaleksandrovič mathematicalmodelingofthephysicalmechanismoftheformationofabulksurfacechargeinsemiconductorsforintelligentfrequencysensorsforgasconcentration AT osadčukaleksandrvladimirovič matematičeskoemodelirovaniefizičeskogomehanizmaobrazovaniâobʺëmnogopripoverhnostnogozarâdavpoluprovodnikahdlâintellektualʹnyhčastotnyhsensorovkoncentraciigaza AT osadčukvolodimirstepanovič matematičeskoemodelirovaniefizičeskogomehanizmaobrazovaniâobʺëmnogopripoverhnostnogozarâdavpoluprovodnikahdlâintellektualʹnyhčastotnyhsensorovkoncentraciigaza AT osadčukâroslavaleksandrovič matematičeskoemodelirovaniefizičeskogomehanizmaobrazovaniâobʺëmnogopripoverhnostnogozarâdavpoluprovodnikahdlâintellektualʹnyhčastotnyhsensorovkoncentraciigaza AT osadčukaleksandrvladimirovič matematičnemodelûvannâfízičnogomehanízmuutvorennâobêmnogopripoverhnevogozarâduvnapívprovídnikahdlâíntelektualʹnihčastotnihsensorívkoncentracíígazu AT osadčukvolodimirstepanovič matematičnemodelûvannâfízičnogomehanízmuutvorennâobêmnogopripoverhnevogozarâduvnapívprovídnikahdlâíntelektualʹnihčastotnihsensorívkoncentracíígazu AT osadčukâroslavaleksandrovič matematičnemodelûvannâfízičnogomehanízmuutvorennâobêmnogopripoverhnevogozarâduvnapívprovídnikahdlâíntelektualʹnihčastotnihsensorívkoncentracíígazu
first_indexed	2025-09-24T17:29:22Z
last_indexed	2025-09-24T17:29:22Z
_version_	1850410255021768704

Institution

Ähnliche Einträge