Comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods
Improvement of physical, mechanical and chemical properties of thin nitride films depends on the methods of their deposition and improvement of the structure, which determines the obtained properties. In the production of nitride films, which are promising in solid-state microelectronics and instrum...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут енергетичних машин і систем ім. А. М. Підгорного Національної академії наук України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://journals.uran.ua/jme/article/view/19925 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Energy Technologies & Resource Saving |
Institution
Energy Technologies & Resource Saving| id |
oai:ojs.journals.uran.ua:article-19925 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:ojs.journals.uran.ua:article-199252025-12-02T15:24:12Z Comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods Сопоставление физико-химических свойств нитридных пленок, полученных разными методами реактивного распыления Зіставлення фізико-хімічних властивостей нітридних плівок, отриманих різними методами реактивного розпилювання Василенко, Наталья Афанасьевна Василенко, Алексей Олегович ion implantation condensation and ion bombardment nitride physicochemical properties УДК 535.338.43.533.59 ионная имплантация конденсация и ионная бомбардировка нитрид физико-химические свойства УДК 535.338.43.533.59 іонна імплантація конденсація і іонне бомбардування нітрид фізико-хімічні властивості УДК 535.338.43.533.59 Improvement of physical, mechanical and chemical properties of thin nitride films depends on the methods of their deposition and improvement of the structure, which determines the obtained properties. In the production of nitride films, which are promising in solid-state microelectronics and instrument engineering, various reactive sputtering methods are widely used. For the solution of these problems, relatively new methods - ion implantation method (II) and condensation and ion bombardment (CIB) method, carried out on the "Bulat" in stallation are quite promising. However, films, obtained by various methods using the same initial materials, as a rule, have various characteristics. In this paper, the films of nitrides on Ti, Ta, W, Mo, Ni, Si (111) and NaCl (100) substrates were obtained by the above methods, their physical, electrical and chemical characteristics were studied. The kinetics and mechanism of build-up of the obtained film coatings were established, the growth constant was calculated. Due to the study of physicochemical properties of films, obtained by various methods it is possible to obtain film coatings with previously predicted properties. Повышение физических, механических и химических характеристик тонких нитридных пленок зависит от методов их осаждения и усовершенствования структуры, которая и определяет получаемые свойства. Методом ионной имплантации и конденсации и ионной бомбардировки получены пленки нитридов на подложках Ti, Ta, W, Mo, Ni, Si (111) и NaCl (100), изучены их физические, электрические, химические характеристики. Підвищення фізичних , механічних і хімічних характеристик тонких нітридних плівок залежить від методів їх осадження та удосконалення структури , яка і визначає одержувані властивості . Методом іонної імплантації та конденсації і іонного бомбардування отримані плівки нітридів на підкладках Ti , Ta , W , Mo , Ni , Si ( 111 ) і NaCl ( 100 ) , вивчено їх фізичні , електричні , хімічні характеристики . Інститут енергетичних машин і систем ім. А. М. Підгорного Національної академії наук України 2014-01-10 Article Article application/pdf https://journals.uran.ua/jme/article/view/19925 Journal of Mechanical Engineering; Vol. 16 No. 5 (2013); 55-58 Проблемы машиностроения; Том 16 № 5 (2013); 55-58 Проблеми машинобудування; Том 16 № 5 (2013); 55-58 2709-2992 2709-2984 ru https://journals.uran.ua/jme/article/view/19925/36499 Copyright (c) 2015 Наталья Афанасьевна Василенко, Алексей Олегович Василенко https://creativecommons.org/licenses/by-nd/4.0 |
| institution |
Energy Technologies & Resource Saving |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-12-02T15:24:12Z |
| collection |
OJS |
| language |
Russian |
| topic |
ion implantation condensation and ion bombardment nitride physicochemical properties УДК 535.338.43.533.59 |
| spellingShingle |
ion implantation condensation and ion bombardment nitride physicochemical properties УДК 535.338.43.533.59 Василенко, Наталья Афанасьевна Василенко, Алексей Олегович Comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods |
| topic_facet |
ion implantation condensation and ion bombardment nitride physicochemical properties УДК 535.338.43.533.59 ионная имплантация конденсация и ионная бомбардировка нитрид физико-химические свойства УДК 535.338.43.533.59 іонна імплантація конденсація і іонне бомбардування нітрид фізико-хімічні властивості УДК 535.338.43.533.59 |
| format |
Article |
| author |
Василенко, Наталья Афанасьевна Василенко, Алексей Олегович |
| author_facet |
Василенко, Наталья Афанасьевна Василенко, Алексей Олегович |
| author_sort |
Василенко, Наталья Афанасьевна |
| title |
Comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods |
| title_short |
Comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods |
| title_full |
Comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods |
| title_fullStr |
Comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods |
| title_full_unstemmed |
Comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods |
| title_sort |
comparison of physicochemical properties of nitride films produced by various reactive sputtering methods |
| title_alt |
Сопоставление физико-химических свойств нитридных пленок, полученных разными методами реактивного распыления Зіставлення фізико-хімічних властивостей нітридних плівок, отриманих різними методами реактивного розпилювання |
| description |
Improvement of physical, mechanical and chemical properties of thin nitride films depends on the methods of their deposition and improvement of the structure, which determines the obtained properties. In the production of nitride films, which are promising in solid-state microelectronics and instrument engineering, various reactive sputtering methods are widely used. For the solution of these problems, relatively new methods - ion implantation method (II) and condensation and ion bombardment (CIB) method, carried out on the "Bulat" in stallation are quite promising. However, films, obtained by various methods using the same initial materials, as a rule, have various characteristics. In this paper, the films of nitrides on Ti, Ta, W, Mo, Ni, Si (111) and NaCl (100) substrates were obtained by the above methods, their physical, electrical and chemical characteristics were studied. The kinetics and mechanism of build-up of the obtained film coatings were established, the growth constant was calculated. Due to the study of physicochemical properties of films, obtained by various methods it is possible to obtain film coatings with previously predicted properties. |
| publisher |
Інститут енергетичних машин і систем ім. А. М. Підгорного Національної академії наук України |
| publishDate |
2014 |
| url |
https://journals.uran.ua/jme/article/view/19925 |
| work_keys_str_mv |
AT vasilenkonatalʹâafanasʹevna comparisonofphysicochemicalpropertiesofnitridefilmsproducedbyvariousreactivesputteringmethods AT vasilenkoaleksejolegovič comparisonofphysicochemicalpropertiesofnitridefilmsproducedbyvariousreactivesputteringmethods AT vasilenkonatalʹâafanasʹevna sopostavleniefizikohimičeskihsvojstvnitridnyhplenokpolučennyhraznymimetodamireaktivnogoraspyleniâ AT vasilenkoaleksejolegovič sopostavleniefizikohimičeskihsvojstvnitridnyhplenokpolučennyhraznymimetodamireaktivnogoraspyleniâ AT vasilenkonatalʹâafanasʹevna zístavlennâfízikohímíčnihvlastivostejnítridnihplívokotrimanihríznimimetodamireaktivnogorozpilûvannâ AT vasilenkoaleksejolegovič zístavlennâfízikohímíčnihvlastivostejnítridnihplívokotrimanihríznimimetodamireaktivnogorozpilûvannâ |
| first_indexed |
2025-07-17T11:58:49Z |
| last_indexed |
2025-12-02T15:25:25Z |
| _version_ |
1850410665336897536 |