Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
Ge nanocluster systems on SiOх are paid much interest of scientists today as far as introduction of an insulting SiOх layer can modify essentially the electrical properties of well examined Ge on Si structures making such systems prospective in the view of their possible application to new nanoelect...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2011
|
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/122 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |