Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
Ge nanocluster systems on SiOх are paid much interest of scientists today as far as introduction of an insulting SiOх layer can modify essentially the electrical properties of well examined Ge on Si structures making such systems prospective in the view of their possible application to new nanoelect...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2011
|
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/122 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543781361287168 |
|---|---|
| author | Kozyrev, Yu. M. Rubezhanska, M. Yu. Storozhuk, N. P. Kondratenko, S. V. |
| author_facet | Kozyrev, Yu. M. Rubezhanska, M. Yu. Storozhuk, N. P. Kondratenko, S. V. |
| author_sort | Kozyrev, Yu. M. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:23:14Z |
| description | Ge nanocluster systems on SiOх are paid much interest of scientists today as far as introduction of an insulting SiOх layer can modify essentially the electrical properties of well examined Ge on Si structures making such systems prospective in the view of their possible application to new nanoelectronic devices such as memory cells, solar elements, and infrared photodetectors. A possibility of epitaxial formation of Si and Ge nanoclusters on initially amorphous silicon oxide layer is considered. The effect of such a layer on the density and uniformity distribution of the self-assembled Ge nanoclusters formed in molecular-beam epitaxy chamber "Katun" on SiOх (х ? 2) and their optoelectronic properties, in particular lateral photoconductivity and photo-emf, has been investigated. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:30:26Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-122 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | English |
| last_indexed | 2025-07-22T19:30:26Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-1222022-06-29T10:23:14Z Photo-Emf Peculiarities of Ge Nanocluster Structures Formed on Oxidized Si Surface Особенности фото-эдс нанокластерных структур Ge, образованных на оксидированной поверхности Si Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si Kozyrev, Yu. M. Rubezhanska, M. Yu. Storozhuk, N. P. Kondratenko, S. V. Ge nanocluster systems on SiOх are paid much interest of scientists today as far as introduction of an insulting SiOх layer can modify essentially the electrical properties of well examined Ge on Si structures making such systems prospective in the view of their possible application to new nanoelectronic devices such as memory cells, solar elements, and infrared photodetectors. A possibility of epitaxial formation of Si and Ge nanoclusters on initially amorphous silicon oxide layer is considered. The effect of such a layer on the density and uniformity distribution of the self-assembled Ge nanoclusters formed in molecular-beam epitaxy chamber "Katun" on SiOх (х ? 2) and their optoelectronic properties, in particular lateral photoconductivity and photo-emf, has been investigated. Исследовано влияние первично аморфного слоя SiOх на морфологию и оптоэлектронные свойства систем нанокластеров Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложен механизм формирования нанокластеров при взаимодействии сверхкритических потоков германия или кремния с первоначально аморфной поверхностью, который основывается на залечивании химической неоднородности и встраивании атомов Si в SiОх , а также возникновении напряжений из-за несоответствия постоянных решеток. Для того, чтобы выяснить, каким образом наличие дополнительного промежуточного субмонослоя SiOx влияет на фотоэлектрические свойства структур с нанокластерами Ge, изучены спектры фотопроводимости и фото-эдс таких систем и сопоставлены с ранее полученными спектрами традиционных структур Ge на Si. Досліджено вплив первісно аморфного шару SiOх на морфологію та оптоелектронні властивості систем нанокластерів Si та Ge, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії. Запропоновано механізм формування нанокластерів при взаємодії надкритичних потоків германію чи кремнію з первісно аморфною поверхнею, який базується на заліковуванні хімічної неоднорідності та вбудовуванні атомів Si в SiOх, а також виникненні напружень внаслідок невідповідності сталих граток. Для того, щоб переконатися, яким чином наявність додаткового проміжного субмоношару SiOx впливає на фотоелектричні властивості структур з нанокластерами Ge, досліджено спектри фотопровідності та фото-ерс таких систем і порівняно з раніше одержаними спектрами традиційних структур Ge на Si. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2011-11-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/122 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 2 No. 4 (2011): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 399-402 Химия, физика и технология поверхности; Том 2 № 4 (2011): Химия, физика и технология поверхности; 399-402 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 2 № 4 (2011): Хімія, фізика та технологія поверхні; 399-402 2518-1238 2079-1704 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/122/118 Copyright (c) 2011 Yu. M. Kozyrev, M. Yu. Rubezhanska, N. P. Storozhuk, S. V. Kondratenko |
| spellingShingle | Kozyrev, Yu. M. Rubezhanska, M. Yu. Storozhuk, N. P. Kondratenko, S. V. Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si |
| title | Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si |
| title_alt | Photo-Emf Peculiarities of Ge Nanocluster Structures Formed on Oxidized Si Surface Особенности фото-эдс нанокластерных структур Ge, образованных на оксидированной поверхности Si |
| title_full | Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si |
| title_fullStr | Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si |
| title_full_unstemmed | Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si |
| title_short | Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si |
| title_sort | особливості фото-ерс нанокластерних структур ge, утворених на оксидованій поверхні si |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/122 |
| work_keys_str_mv | AT kozyrevyum photoemfpeculiaritiesofgenanoclusterstructuresformedonoxidizedsisurface AT rubezhanskamyu photoemfpeculiaritiesofgenanoclusterstructuresformedonoxidizedsisurface AT storozhuknp photoemfpeculiaritiesofgenanoclusterstructuresformedonoxidizedsisurface AT kondratenkosv photoemfpeculiaritiesofgenanoclusterstructuresformedonoxidizedsisurface AT kozyrevyum osobennostifotoédsnanoklasternyhstrukturgeobrazovannyhnaoksidirovannojpoverhnostisi AT rubezhanskamyu osobennostifotoédsnanoklasternyhstrukturgeobrazovannyhnaoksidirovannojpoverhnostisi AT storozhuknp osobennostifotoédsnanoklasternyhstrukturgeobrazovannyhnaoksidirovannojpoverhnostisi AT kondratenkosv osobennostifotoédsnanoklasternyhstrukturgeobrazovannyhnaoksidirovannojpoverhnostisi AT kozyrevyum osoblivostífotoersnanoklasternihstrukturgeutvorenihnaoksidovaníjpoverhnísi AT rubezhanskamyu osoblivostífotoersnanoklasternihstrukturgeutvorenihnaoksidovaníjpoverhnísi AT storozhuknp osoblivostífotoersnanoklasternihstrukturgeutvorenihnaoksidovaníjpoverhnísi AT kondratenkosv osoblivostífotoersnanoklasternihstrukturgeutvorenihnaoksidovaníjpoverhnísi |