Buchumschlag

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si

Ge nanocluster systems on SiOх are paid much interest of scientists today as far as introduction of an insulting SiOх layer can modify essentially the electrical properties of well examined Ge on Si structures making such systems prospective in the view of their possible application to new nanoelect...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Kozyrev, Yu. M., Rubezhanska, M. Yu., Storozhuk, N. P., Kondratenko, S. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2011
Online Zugang:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/122
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Ähnliche Einträge

Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si
von: Kozachenko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
von: Kozyrev, Yu.N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
von: Гайдар, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
von: Ye. Ye. Melnichuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
von: Melnichuk, Ye.Ye., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: V. S. Lysenko, et al.
Veröffentlicht: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
von: Lysenko, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Написання слів, утворених від абревіатур
von: Городенська, К.
Veröffentlicht: (2010)

Дослiдження рекомбiнацiйних параметрiв сонячного кремнiю методом спектроскопiї поверхневої фото-ерс
von: Litovchenko, V. G.
Veröffentlicht: (2019)

Властивості періодичних структур, утворених впоряд-куванням наночастинок срібла в полімерній матриці методом голографічної літографії
von: Hryn, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Фото вбрання
Veröffentlicht: (2003)

Фото вбрання
Veröffentlicht: (2004)

Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів
von: Венгер, Є.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
von: Yu. M. Kozyriev, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Моделювання світіння зони H II, що оточує область зореутворення, з урахуванням еволюції структур, утворених супервітром
von: Кошмак, І.О., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
von: Козирев, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots
von: Nikolenko, A.S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: S. V. Kondratenko
Veröffentlicht: (2015)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
von: Kondratenko, S.V.
Veröffentlicht: (2015)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Економіко-математична модель формально утворених цін в електроенергетиці
von: Dobrovolsky V.K.
Veröffentlicht: (2000)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Электрофизические характеристики структур Si—X—Ge₃₃As₁₂Se₅₅ (X: Sb, Bi, In, Pb) с различными контактами
von: Кондрат, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Особливості геолого-економічної оцінки відходів, утворених при видобуванні та переробці корисних копалин
von: Коржнев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
von: M. I. Terebinska, et al.
Veröffentlicht: (2021)

ТермоЕРС і електропровідність твердих розчинів кобальтитів-галатів лантану і неодиму
von: Лубинський, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Статистическая теория фото- и электрополимеризации фуллеренов
von: Загинайченко, С.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Статистическая теория фото- и электрополимеризации фуллеренов
von: Загинайченко, С.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Игорь Семенович Кон: фото, комментарии, переписка
von: Паниотто, В.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
von: Gomeniuk, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)